RáRugosidade 1 nmLiNbO3 Wafer usado nas regiões do visível, infravermelho próximo e infravermelho médio
O niobato de lítio é transparente entre 0,25 e 5,3 μm.Pode ser usado nas regiões do visível, infravermelho próximo e infravermelho médio.Como qualquer ferroelétrico, o niobato de lítio tem efeitos piezoelétricos, efeitos ópticos não lineares, efeitos fotoelásticos e efeitos Pockels (efeitos eletro-ópticos lineares).O que destaca o niobato de lítio é que os coeficientes que caracterizam esses efeitos são várias vezes maiores que os de ferroelétricos similares, o que favorece sua aplicação em diversas aplicações.
Devido ao seu alto coeficiente eletro-óptico, o niobato de lítio é usado em moduladores ópticos de amplitude e fase, baterias Pockels e moduladores Q-switch de laser.As propriedades ópticas não lineares do niobato de lítio o tornam adequado para osciladores paramétricos ópticos e amplificadores paramétricos com ampla faixa de comprimento de onda.O niobato de lítio é a melhor escolha para o segundo gerador harmônico em laser Nd:YAG de 1,064 μm e laser semicondutor de 1,3, 1,55 μm.É digno de nota que o niobato de lítio não dopado tem um índice de refração de luz muito alto.Portanto, cristais dopados com óxido de magnésio (MgO:LiNbO3) são usados em aplicações de laser de alta potência.Eles têm um limite de dano de laser mais alto.Ao mesmo tempo, a dopagem não tem efeito nas propriedades ópticas do cristal.
Material |
3" 4" 6" 8" LN wafer (serra/grau óptico) |
Orientação |
X / Z / Y41°/ Y64°/ Y128°/YZ/YX ou Personalizado |
Curie Temp |
1142°C±3°C |
Doping |
Er, MgO, dopado simples ou duplo disponível |
Acabamento de superfície |
polimento de lados simples ou duplos (DLP/SLP/ SSP/DSP todos disponíveis) |
Espessura |
0,18/0,25/0,35/0,50/1,00 + mm |
TTV |
< 1~5µm |
ARCO |
±(25µm ~40um) |
Urdidura |
<= 35µm |
LTV (5mmx5mm) |
<1,5 um |
PLTV(<0,5um) |
≥98% (5mm*5mm) com borda de 2mm excluída |
Borda |
Compl't com SEMI M1.2@with GC800# .regular em C digitado |
apartamentos de orientação |
disponível, por solicitação |
Lado polido Ra |
Rugosidade Ra<=5A |
Critérios do Verso |
Rugosidade Ra:0,5-1,0 µm GC#1000 |
Arredondamento de arestas |
Compatível com o padrão SEMI M1.2/consulte IEC62276 |
Rachaduras, marcas de serra, manchas |
Nenhum |
Fórmula Composta |
LiNbO3 |
Peso molecular |
147,85 |
Ponto de fusão |
1250°C |
Densidade |
4,64 g/cm3 |
Solubilidade em H2O |
Insolúvel |
Índice de refração |
no2h30, ne2,21 (589,2 nm, 25°C) |
Fase Cristal/Estrutura |
Trigonal |
Condutividade térmica |
5,6 W/m·K |
Perguntas frequentes:
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UMA:Os produtos wafer são frágeis e às vezes caros.A última coisa que, como fabricante, queremos ver é que os produtos que fabricamos foram danificados durante o transporte.Como resultado, vamos embalar os wafers adequadamente e colocá-los em uma caixa adequada cheia de esponja tampão.No entanto, os acidentes às vezes são inevitáveis.Então, por favor, siga o“Verificação de aceitação”etapas mostradas nos desenhos abaixo.Se o indesejado acontecer, daremos o reabastecimento ou o reembolso se você seguir as etapas de verificação.
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Verificação de aceitação