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Risco de Sapphire Windows Piezoelectric Wafer Semiconductor resistente
Risco de Sapphire Windows Piezoelectric Wafer Semiconductor resistente
Risco de Sapphire Windows Piezoelectric Wafer Semiconductor resistente
Risco de Sapphire Windows Piezoelectric Wafer Semiconductor resistente
Especificações
Number modelo :
Safira (Al2O3)
Lugar de origem :
China
MOQ :
5 peças
Termos do pagamento :
T/T
Capacidade da fonte :
10000 partes/mês
Prazo de entrega :
1-4 semanas
Detalhes de empacotamento :
Gaveta, frasco, pacote do filme
Material :
Sapphire Windows
Crescimento :
Método de Kyropoulos
Ponto de derretimento :
°C 2040
Condutibilidade térmica :
27,21 com (m x K) em 300 K
Expansão térmica :
5,6 x 10 -6 /K (C-linha central paralela) & 5,0 (C-linha central perpendicular) x 10 -6 /K
Dureza :
Knoop 2000 kg/mm 2 com o indenter 2000g
Capacidade de calor específico :
419 j (quilograma x K)
Constante dielétrica :
11,5 (C-linha central paralela) 9,4 (C-linha central perpendicular) em 1MHz
Descrição

Bolacha de Sapphire Wafer Sapphire Windows Piezoelectric do semicondutor

 

A safira é um material de uma combinação original de propriedades físicas, químicas e óticas, que fazem resistente à erosão de choque de alta temperatura, térmico, da água e da areia, e de risco. É um material superior da janela para muitas aplicações do IR de 3µm a 5µm. as carcaças da safira do C-plano são amplamente utilizadas crescer compostos de III-V e de II-VI tais como GaN para o diodo emissor de luz e diodos láser azuis, quando as carcaças da safira do R-plano forem usadas para o depósito hetero-epitaxial do silicone para aplicações microeletrónicas de IC.

 

Risco de Sapphire Windows Piezoelectric Wafer Semiconductor resistenteRisco de Sapphire Windows Piezoelectric Wafer Semiconductor resistenteRisco de Sapphire Windows Piezoelectric Wafer Semiconductor resistente

 

Artigo

C-plano 3-inch (0001) 500μm Sapphire Wafers

Crystal Materials

99.999%, pureza alta, Al2O3 Monocrystalline

Categoria

Principal, Epi-pronto

Orientação de superfície

C-plano (0001)

fora-ângulo do C-plano para a M-linha central 0,2 +/- 0.1°

Diâmetro

76,2 milímetro +/- 0,1 milímetros

Espessura

μm 500 +/- μm 25

Orientação lisa preliminar

Um-plano (11-20) +/- 0.2°

Comprimento liso preliminar

22,0 milímetro +/- 1,0 milímetros

Único lateral lustrado

Front Surface

Epi-lustrado, Ra < 0="">

(SSP)

Superfície traseira

Terra fina, Ra = 0,8 μm ao μm 1,2

Lateral dobro lustrado

Front Surface

Epi-lustrado, Ra < 0="">

(DSP)

Superfície traseira

Epi-lustrado, Ra < 0="">

TTV

< 15="">

CURVA

< 15="">

URDIDURA

< 15="">

Limpeza/que empacota

Limpeza da sala de limpeza da classe 100 e empacotamento de vácuo,

25 partes em uma gaveta que empacota ou único que empacota da parte.

 

Artigo

C-plano 4-inch (0001) 650μm Sapphire Wafers

Crystal Materials

99.999%, pureza alta, Al2O3 Monocrystalline

Categoria

Principal, Epi-pronto

Orientação de superfície

C-plano (0001)

fora-ângulo do C-plano para a M-linha central 0,2 +/- 0.1°

Diâmetro

100,0 milímetro +/- 0,1 milímetros

Espessura

μm 650 +/- μm 25

Orientação lisa preliminar

Um-plano (11-20) +/- 0.2°

Comprimento liso preliminar

30,0 milímetro +/- 1,0 milímetros

Único lateral lustrado

Front Surface

Epi-lustrado, Ra < 0="">

(SSP)

Superfície traseira

Terra fina, Ra = 0,8 μm ao μm 1,2

Lateral dobro lustrado

Front Surface

Epi-lustrado, Ra < 0="">

(DSP)

Superfície traseira

Epi-lustrado, Ra < 0="">

TTV

< 20="">

CURVA

< 20="">

URDIDURA

< 20="">

Limpeza/que empacota

Limpeza da sala de limpeza da classe 100 e empacotamento de vácuo,

25 partes em uma gaveta que empacota ou único que empacota da parte.

 

Artigo

C-plano 6-inch (0001) 1300μm Sapphire Wafers

Crystal Materials

99.999%, pureza alta, Al2O3 Monocrystalline

Categoria

Principal, Epi-pronto

Orientação de superfície

C-plano (0001)

fora-ângulo do C-plano para a M-linha central 0,2 +/- 0.1°

Diâmetro

150,0 milímetro +/- 0,2 milímetros

Espessura

μm 1300 +/- μm 25

Orientação lisa preliminar

Um-plano (11-20) +/- 0.2°

Comprimento liso preliminar

47,0 milímetro +/- 1,0 milímetros

Único lateral lustrado

Front Surface

Epi-lustrado, Ra < 0="">

(SSP)

Superfície traseira

Terra fina, Ra = 0,8 μm ao μm 1,2

Lateral dobro lustrado

Front Surface

Epi-lustrado, Ra < 0="">

(DSP)

Superfície traseira

Epi-lustrado, Ra < 0="">

TTV

< 25="">

CURVA

< 25="">

URDIDURA

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Limpeza/que empacota

Limpeza da sala de limpeza da classe 100 e empacotamento de vácuo,

25 partes em uma gaveta que empacota ou único que empacota da parte.

 

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Detalhes do produto
Number modelo :
Safira (Al2O3)
Lugar de origem :
China
MOQ :
5 peças
Termos do pagamento :
T/T
Capacidade da fonte :
10000 partes/mês
Prazo de entrega :
1-4 semanas
Fornecedor de contacto
Risco de Sapphire Windows Piezoelectric Wafer Semiconductor resistente
Risco de Sapphire Windows Piezoelectric Wafer Semiconductor resistente

Hangzhou Freqcontrol Electronic Technology Ltd.

Verified Supplier
4 Anos
shanghai, hangzhou
Desde 1999
Tipo de empresa :
Manufacturer, Trading Empresa
Produtos principais :
Wafer Piezoelétrico, Bolacha LiNbO3, Bolacha LiTaO3
Total Anual :
800M-1500M
Número de trabalhadores :
10~99
Nível de certificação :
Verified Supplier
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