Especificações
Brand Name :
BonTek
Model Number :
Sapphire (Al2O3)
Certification :
ISO:9001
Place of Origin :
China
Minimum Order Quantity :
5 Pieces
Price :
Negotiable
Payment Terms :
T/T
Supply Ability :
10000 pieces/Month
Delivery Time :
1-4 weeks
Packaging Details :
Cassette, Jar, Film package
Material :
Sapphire Wafer
Type :
Single Crystal
Color :
White / Red / Blue
Growth Method :
Horizontally Directed Crystallization (HDC)
Surface :
Double side polish
VIS range :
85%
Application :
Semicondutor Wafer, Led Chip, Optical Glass Window, Electronic Ceramics
Industry :
Led,optical Glass,eli-ready Wafer
Descrição

C-linha central crescida cristalização horizontalmente dirigida de Sapphire Wafer 4inch 0.5mm Epi-pronta

 

A única safira de cristal Al2O3 possui uma combinação original de propriedades óticas, físicas e químicas excelentes. A mais dura dos cristais do óxido, safira Al2O3 retém seu de grande resistência em altas temperaturas, tem boas propriedades térmicas e a transparência excelente. O sistema ótico de Sapphire Al 2O3 é quimicamente resistente a muitos ácidos e alcaloides em temperaturas até 1000 graus de C assim como ao HF abaixo de 300 graus de C. Estas propriedades incentivam seu uso largo do sistema ótico de Sapphire Al 2O3 nos ambientes hostis onde a transmissão ótica na escala do visível ao infravermelho próximo é exigida.

Agora a maioria dos cristais está crescendo do derretimento líquido. As substâncias as mais apropriadas a crescer de cristal de um derretimento têm que derreter sem decomposição, não têm nenhuma transição polimorfo e são caracterizadas pela baixa atividade química. O processo da cristalização de um derretimento é aplicado nos métodos os mais difundidos do crescimento monocrystalline da safira: a saber, o método horizontalmente dirigido da cristalização (HDC) e o método de Stepanov.

 

C-linha central de 4inch 0.5mm Sapphire Crystal Wafer Single Crystal Epi-prontaC-linha central de 4inch 0.5mm Sapphire Crystal Wafer Single Crystal Epi-prontaC-linha central de 4inch 0.5mm Sapphire Crystal Wafer Single Crystal Epi-pronta

 

PROPRIEDADES ÓTICAS

Transmissão

0,17 a 5,5 um

R.I.

1,75449 (o) 1,74663 (e) em 1,06 um

Perda de reflexão

em 1,06 mícrons (2 superfícies) para o-Ray - 11,7%; para e-Ray - 14,2%

Índice da absorção

0,3 x 10-3 cm-1 em 2,4 um

dN/dT

13,7 x 10-6 em 5,4 um

dn/dm = 0

1,5 um

 

PROPRIEDADES FÍSICAS

Densidade

3,97 g/cm3

Ponto de derretimento

2040 graus de C

Condutibilidade térmica

27,21 com (m x K) em 300 K

Expansão térmica

5,6 x 10 -6 /K (C-linha central paralela) & 5,0 (C-linha central perpendicular) x 10 -6 /K

Dureza

Knoop 2000 kg/mm 2 com o indenter 2000g

Capacidade de calor específico

419 j (quilograma x K)

Constante dielétrica

11,5 (C-linha central paralela) 9,4 (C-linha central perpendicular) em 1MHz

Módulo Young (e)

335 GPa

Módulo da tesoura (g)

148,1 GPa

Módulo de maioria (K)

240 GPa

Coeficientes elásticos

C11=496C12=164C13=115
C33=498C44=148

Limite elástico aparente

MPa 275 (40.000 libras por polegada quadrada)

Relação de Poisson

0,25

 

C-linha central de 4inch 0.5mm Sapphire Crystal Wafer Single Crystal Epi-pronta

 

Verificação de aceitação

C-linha central de 4inch 0.5mm Sapphire Crystal Wafer Single Crystal Epi-pronta

 

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C-linha central de 4inch 0.5mm Sapphire Crystal Wafer Single Crystal Epi-pronta

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C-linha central de 4inch 0.5mm Sapphire Crystal Wafer Single Crystal Epi-pronta
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Hangzhou Freqcontrol Electronic Technology Ltd.

Verified Supplier
4 Anos
shanghai, hangzhou
Desde 1999
Tipo de empresa :
Manufacturer, Trading Empresa
Produtos principais :
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Total Anual :
800M-1500M
Número de trabalhadores :
10~99
Nível de certificação :
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