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FD200R12KE3HOSA1
FD200R12KE3HOSA1
Especificações
Categoria :
Produtos de semicondutores discretos Transistores IGBTs Módulos IGBT
Corrente - limite do colector (máximo) :
5 miliampères
Estatuto do produto :
Atividade
Tipo de montagem :
Montura do chassi
Pacote :
Caixa
Série :
C
Vce ((on) (Max) @ Vge, Ic :
2.15V @ 15V, 200A
Voltagem - Desagregação do emissor do colector (máximo) :
1200 V
Pacote de dispositivos do fornecedor :
Modulo
Mfr :
Tecnologias Infineon
Temperatura de funcionamento :
-40°C ~ 125°C
Potência - Máximo :
1050 W
Tipo IGBT :
Paragem de campo de trincheiras
Embalagem / Caixa :
Modulo
Input :
Padrão
Capacidade de entrada (Cies) @ Vce :
14 nF @ 25 V
Configuração :
Helicóptero único
Termistor NTC :
- Não.
Número do produto de base :
FD200R12
Descrição :
Módulo IGBT 1200V 1050W
Descrição
Módulo IGBT Paragem de campo de trincheira Chopper único 1200 V 1050 W Módulo montado no chassi
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FD200R12KE3HOSA1

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Detalhes do produto
Categoria :
Produtos de semicondutores discretos Transistores IGBTs Módulos IGBT
Corrente - limite do colector (máximo) :
5 miliampères
Estatuto do produto :
Atividade
Tipo de montagem :
Montura do chassi
Pacote :
Caixa
Série :
C
Fornecedor de contacto
FD200R12KE3HOSA1

Kailiyuan Electronic Technology (shenzhen) Co., Ltd.

Active Member
2 Anos
hongkong
Desde 2016
Produtos principais :
CI especializados, Módulos de IGBT, Baterias
Total Anual :
1 Million-2.5 Million
Número de trabalhadores :
20~50
Nível de certificação :
Active Member
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