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GD200FFY120C6S TRANSISTOR Módulo IGBT 1.2KV 309A Semicondutor
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Especificações
Número do modelo :
GD200FFY120C6S
Local de origem :
CHN
Quantidade mínima de encomenda :
1pcs
Condições de pagamento :
Paypal, TT, Western Union
Capacidade de abastecimento :
1000 pcs
Tempo de entrega :
1 dia
Detalhes da embalagem :
Padrão
Descrição :
GD200FFY120C6S TRANSISTOR Módulo IGBT 1.2KV 309A Semicondutor
Atividades :
200 PCS
Código de data :
Código mais recente
Transporte por :
DHL/UPS/Fedex
Condição :
Novo*Original
Garantia :
365 dias
Sem chumbo :
Compatível com a norma Rohs
Prazos de execução :
Envio imediato
Pacote :
Padrão
Estilo de montagem :
SMD/SMT
Descrição

 

 

GD200FFY120C6S TRANSISTOR Módulo IGBT 1.2KV 309A Semicondutor

GD200FFY120C6S TRANSISTOR Módulo IGBT 1.2KV 309A Semicondutor

StarPower Europe AG
Categoria do produto: Módulo IGBT
RoHS: Detalhes
Módulo IGBT
Marca: StarPower
Voltagem de alimentação de funcionamento: 1.2 V
Embalagem: Padrão
Subcategoria: Módulo IGBT

 

 

Descrição

O módulo de alimentação IGBT STARPOWER fornece velocidade de comutação ultra-rápida, bem como robustez de curto-circuito.

É concebido para aplicações como máquinas de solda e UPS.

 

Características

  • Tecnologia IGBT de trincheira com baixo VCE (sat)
  • Capacidade de curto-circuito de 10 μs
  • VCE (sat) com coeficiente de temperatura positivo
  • Temperatura máxima de junção 175oC
  • Caixa de baixa indutividade
  • Recuperação inversa rápida e suave anti-paralelo FWD
  • Base de cobre isolada utilizando a tecnologia DBC

Aplicações típicas

  • Fonte de alimentação ininterrupta
  • Aquecimento por indução
  • Máquina de soldar

- Não.GD200FFY120C6S TRANSISTOR Módulo IGBT 1.2KV 309A Semicondutor

Descrição

O módulo de alimentação IGBT STARPOWER fornece velocidade de comutação ultra-rápida, bem como robustez de curto-circuito.

É concebido para aplicações como máquinas de solda e UPS.

 

Características

  • Tecnologia IGBT de trincheira com baixo VCE (sat)
  • Capacidade de curto-circuito de 10 μs
  • VCE (sat) com coeficiente de temperatura positivo
  • Temperatura máxima de junção 175oC
  • Caixa de baixa indutividade
  • Recuperação inversa rápida e suave anti-paralelo FWD
  • Base de cobre isolada utilizando a tecnologia DBC

Aplicações típicas

  • Fonte de alimentação ininterrupta
  • Aquecimento por indução
  • Máquina de soldar

- Não.

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Wisdtech Technology Co.,Limited
Telefone: +86-755-23606019
Endereço: quarto 1205-1207, edifício Nanguang, Rua Huafu,
Distrito de Futian, Shenzhen, Guangdong, China

 

Laneya.
Telefone: +86-13420902155
E-mail: sales@wisdtech.com.cn
Wechat:laneyatao66
WhatsApp: +8613420902155
Skype: sales@wisdtech.com.cn

 

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Número do modelo :
GD200FFY120C6S
Local de origem :
CHN
Quantidade mínima de encomenda :
1pcs
Condições de pagamento :
Paypal, TT, Western Union
Capacidade de abastecimento :
1000 pcs
Tempo de entrega :
1 dia
Fornecedor de contacto
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Wisdtech Technology Co.,Limited

Active Member
3 Anos
guangdong, shenzhen
Produtos principais :
CIs de Circuitos Integrados, Transistores de RF, Optoeletrónica
Número de trabalhadores :
>100
Nível de certificação :
Active Member
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