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FQA11N90C MOSFET 900V N-Ch Q-FET avançado C-Série
FQA11N90C MOSFET 900V N-Ch Q-FET avançado C-Série
Especificações
Número do modelo :
FQA11N90C
Local de origem :
China
Tipo de transistor: :
1 Canal N
Vgs - Tensão da Fonte do Gate: :
- 30 V, + 30 V
Descrição
Atributo do produto Atributo Valor
Fabricante: semi-
Categoria do produto: MOSFET
RoHS: Detalhes
Tecnologia: Sim
Estilo de montagem: Através do Buraco
Embalagem / Caixa: TO-3PN-3
Polaridade do transistor: N-canal
Número de canais: 1 Canal
Vds - Tensão de ruptura da fonte de drenagem: 900 V
Id - Corrente de escoamento contínua: 11 A
Rds On - Resistência à fonte de drenagem: 1.4 Ohms
Vgs - Voltagem da fonte da porta: - 30 V, + 30 V
Temperatura de funcionamento mínima: - 55 C.
Temperatura máxima de funcionamento: + 150 C
Pd - Dissipação de energia: 300 W
Modo de canal: Reforço
Embalagem: Tubos
Marca: onsemi / Fairchild
Configuração: Solteiro
Tempo de queda: 85 ns
Transcondutividade para a frente - Min: 9 S
Altura: 20.1 mm
Duração: 16.2 mm
Tipo de produto: MOSFET
Hora de subida: 130 ns
Embalagem de fábrica 30
Subcategoria: MOSFETs
Tipo de transistor: 1 canal N
Tipo: MOSFET
Tempo típico de atraso da desligação: 130 ns
Tempo típico de atraso da ligação: 60 ns
Largura: 5 mm
Parte # Aliases: FQA11N90C_NL
Peso unitário: 0.162260 onças
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FQA11N90C MOSFET 900V N-Ch Q-FET avançado C-Série

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Detalhes do produto
Número do modelo :
FQA11N90C
Local de origem :
China
Tipo de transistor: :
1 Canal N
Vgs - Tensão da Fonte do Gate: :
- 30 V, + 30 V
Fornecedor de contacto
FQA11N90C MOSFET 900V N-Ch Q-FET avançado C-Série

Wisdtech Technology Co.,Limited

Active Member
2 Anos
guangdong, shenzhen
Produtos principais :
, ,
Número de trabalhadores :
>100
Nível de certificação :
Active Member
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