2inch plano da polegada C de Sapphire Wafers Thickness 0.175mm/0.3mm/0.4mm/0.5mm Dsp 2 do grau de 50.8mm C Miscut A 4 lustrou Sapphire Wafers Crystal Substrates
As especificações da carcaça da bolacha da safira 2inch
Material: Pureza alta >99.99%, único Al2O3 de cristal
Dimensão: 50,8 milímetro +/- 0,1 milímetros
Espessura: 430 um +/- 25 um para SSP e 400 um +/- 25 um para DSP (a outra espessura disponível mediante solicitação)
Parâmetro da estrutura: a=4.785 A, c=12.991 A
Densidade: 3,98 g/cm3
Orientação: Plano de C (0001) a M grau (de 1-100) 0,2 +/- 0,1 fora.
Orientação lisa preliminar: Um-plano [11-20] +/- 0,2 graus
Comprimento liso preliminar: 16,0 +/- 1,0 milímetros
Variação total da espessura (TTV): <5 um="">
Curva: <10 um="">
Urdidura: <10 um="">
Coeficiente da expansão térmica: paralela de 6,66 x de 10-6/°C à linha central de C, perpendicular de 5 x de 10-6/°C à linha central de C
Força dielétrica: 4,8 x 105 V/cm
Constante dielétrica: 11,5 (1 megahertz) ao longo da linha central de C, 9,3 perpendicular (1 megahertz) à linha central de C
Tangente da perda dielétrica (a.k.a fator de dissipação): menos de 1 x 10-4
Condutibilidade térmica: 40 com (m.K) em 20℃
Polonês: (SSP) Ra de superfície epi-pronto lustrado único lado da parte anterior < 0="">
PROPRIEDADES ÓTICAS de SAPPHIRE Al 2O3 | |
Escala de transmissão | 0,17 a 5,5 mícrons |
R.I. | 1,75449 (o) 1,74663 (e) em 1,06 mícrons |
Perda de reflexão | em 1,06 mícrons (2 superfícies) para o-Ray - 11,7%; para e-Ray - 14,2% |
Posicione da absorção | 0,3 x 10-3 cm-1 em 2,4 mícrons |
dN/dT | 13,7 x 10-6 em 5,4 mícrons |
dn/dm = 0 | 1,5 mícrons |
PROPRIEDADES FÍSICAS de SAPPHIRE Al 2O3 | |
Densidade | 3,97 g/cm3 |
Ponto de derretimento | 2040 graus de C |
Condutibilidade térmica | 27,21 com (m x K) em 300 K |
Expansão térmica | 5,6 x 10 -6 /K (C-linha central paralela) & 5,0 (C-linha central perpendicular) x 10 -6 /K |
Dureza | Knoop 2000 kg/mm 2 com o indenter 2000g |
Capacidade de calor específico | 419 j (quilograma x K) |
Constante dielétrica | 11,5 (C-linha central paralela) 9,4 (C-linha central perpendicular) em 1MHz |
Módulo Young (e) | 335 GPa |
Módulo da tesoura (g) | 148,1 GPa |
Módulo de maioria (K) | 240 GPa |
Coeficientes elásticos | C11=496 C12=164 C13=115 C33=498 C44=148 |
Limite elástico aparente | MPa 275 (40.000 libras por polegada quadrada) |
Relação de Poisson | 0,25 |
Bolacha padrão
bolacha SSP/DSP da safira do C-plano de 2 polegadas
bolacha SSP/DSP da safira do C-plano de 3 polegadas bolacha SSP/DSP da safira do C-plano de 4 polegadas bolacha SSP/DSP da safira do C-plano de 6 polegadas |
Orientação especial
bolachas da safira do Um-plano (1120) bolachas da safira do R-plano (1102) bolachas da safira do M-plano (1010) C-linha central com um offcut de 0.5°~ 10°, para a Um-linha central ou a M-linha central A outra orientação personalizada |
Tamanho personalizado
bolacha da safira de 10x10x0.5mm bolacha da safira de 20x20x0.5mm (100um) bolacha ultra fina da safira 2inch bolacha da safira de 8 polegadas |
Sapphire Substrate modelada (PSS)
C-plano PSS de 2 polegadas C-plano PSS de 4 polegadas |
2inch |
DSP C-AXIS 0.1mm/0.175mm/0.2mm/0.3mm/0.4mm/0.5mm/1.0mmt |
3inch |
C-linha central 0.43mm/0.5mm de DSP/SSP |
4Inch |
c-linha central 0.4mm/0.5mm/1.0mm do dsp |
6inch |
c-linha central 1.0mm/1.3mmm do ssp |
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