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MOS de lustro de Chip Production Grade For da carcaça do lingote do carboneto de silicone de 8inch 200mm sic
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Especificações
Number modelo :
8inch sic bolachas 4h-n
Lugar de origem :
China
MOQ :
1pcs
Termos do pagamento :
T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidade da fonte :
1-20pcs/month
Prazo de entrega :
3-6 meses
Detalhes de empacotamento :
único pacote da bolacha no quarto desinfetado de 100 categorias
Material :
monocristal SiC
Categoria :
Categoria da produção
Data de entrega :
3 meses
Aplicação :
MOS de lustro do teste do fabricante do dispositivo
Diâmetro :
200±0.5mm
MOQ :
1
Descrição

Bolachas de lustro lustradas das bolachas 200mm da bolacha 4H-N SIC ingots/200mm do carboneto de silicone do fabricante da bolacha da bolacha da bolacha de silicone de CorrosionSingle do carboneto sic da carcaça/silicone das bolachas (150mm, 200mm) único lado de cristal excelente cerâmico sic sic sic sic

 

Sobre o cristal do carboneto de silicone (sic)

 

O carboneto de silicone (sic), ou o carborundum, são um semicondutor que contém o silicone e o carbono com a fórmula química sic. É usado sic nos dispositivos da eletrônica do semicondutor que operam-se em altas temperaturas, em altas tensões, ou em ambas. É sic igualmente um dos componentes importantes do diodo emissor de luz, é uma carcaça popular para crescer dispositivos e saques de GaN como um propagador do calor no diodo emissor de luz de alta potência.

 
Propriedade 4H-SiC, único cristal 6H-SiC, único cristal
Parâmetros da estrutura a=3.076 Å c=10.053 Å a=3.073 Å c=15.117 Å
Empilhando a sequência ABCB ABCACB
Dureza de Mohs ≈9.2 ≈9.2
Densidade 3,21 g/cm3 3,21 g/cm3
Therm. Coeficiente da expansão 4-5×10-6/K 4-5×10-6/K
Índice @750nm da refração

nenhuns = 2,61

ne = 2,66

nenhuns = 2,60

ne = 2,65
Constante dielétrica c~9.66 c~9.66
Condutibilidade térmica (N-tipo, 0,02 ohm.cm)

a~4.2 W/cm·K@298K

c~3.7 W/cm·K@298K

  
Condutibilidade térmica (Semi-isolar)

a~4.9 W/cm·K@298K

c~3.9 W/cm·K@298K

a~4.6 W/cm·K@298K

c~3.2 W/cm·K@298K
Faixa-Gap eV 3,23 eV 3,02
Campo elétrico da divisão 3-5×106V/cm 3-5×106V/cm
Velocidade de tração da saturação 2.0×105m/s 2.0×105m/s


Para superar estes desafios e obter sic as bolachas de alta qualidade de 200mm, as soluções são propostas:
Em termos da preparação do cristal de semente de 200mm, do campo apropriado da temperatura, do campo de fluxo, e do assemblwere de expansão estudado e projetado tomar em consideração a qualidade de cristal e o tamanho de expansão; Começando com um cristal de 150mm SiCseed, realize a iteração do cristal de semente para expandir gradualmente o tamanho sic de cristal até que alcance 200mm; O crescimento de cristal múltiplo de Throuch e o processamento, aperfeiçoam gradualmente a qualidade de cristal no expandingarea de cristal, e melhoram a qualidade de cristais de semente de 200mm.
termos de n da preparação condutora crvstal de 200mm e da carcaça. a pesquisa aperfeiçoou o projeto do campo de fluxo do fieland da temperatura para o crescimento de cristal do grande tamanho, conduz o crescimento sic de cristal condutor de 200mm, e a uniformidade controldoping. Após o processamento e dar forma ásperos do cristal, umas 8 polegadas 4H-SiCingot condutor com um diâmetro padrão foram obtidas eletricamente. Após o corte, moendo, lustro, processando para obter sic 200mmwafers com uma espessura de 525um ou assim.

 
 

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Sic aplicação

Devido às propriedades sic físicas e eletrônicas, silicone Carboneto-baseou dispositivos são bem para breve comprimento de onda apropriado optoelectronic, de alta temperatura, radiação resistente, e dispositivos eletrónicos de alta potência/de alta frequência, comparados com o si e o dispositivo GaAs-baseado.

Dispositivos Optoelectronic

  • os dispositivos SIC-baseados são

  • camadas epitaxial do baixo queda-nitreto da má combinação da estrutura

  • condutibilidade térmica alta

  • monitoração de processos da combustão

  • todos os tipos de Uv-detecção

  • Devido às propriedades sic materiais, à eletrônica SIC-baseada e aos dispositivos pode trabalhar nos ambientes muito hostis, que podem trabalhar sob altas temperaturas, poder superior, e circunstâncias altas da radiação

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Number modelo :
8inch sic bolachas 4h-n
Lugar de origem :
China
MOQ :
1pcs
Termos do pagamento :
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Capacidade da fonte :
1-20pcs/month
Prazo de entrega :
3-6 meses
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SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD

Verified Supplier
7 Anos
shanghai, shanghai
Desde 2013
Tipo de empresa :
Manufacturer, Agent, Importer, Exporter, Trading Company
Produtos principais :
carcaça da safira, Gem Stone sintético, Safira Windows ótico
Total Anual :
1000000-1500000
Nível de certificação :
Verified Supplier
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