Especificações
Número do modelo :
Garrafas de soja
Local de origem :
China
Quantidade mínima de encomenda :
5
Condições de pagamento :
T/T
Tempo de entrega :
2-4 semanas
Diâmetro :
100 ± 0,2 mm
Tipo/entorpecente :
P/B
orientação :
1-0-0) ± 0,5°
Espessura: :
220 ± 10 nm
Resistividade :
80,5-11,5 ohm-cm
Acaba. :
Fronteira polida
Óxido térmico enterrado de soja: :
Espessura: 3 μm±5%
Capa de manuseio de SOI: :
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Descrição

SOI Wafer Silício em isolante 100mm 150mm Tipo de dopante B Dispositivo: 220 Resistividade: 8,5-11,5 ohm-cm

 

Página de Detalhes do Produto para Wafer SOI (Silicon-On-Isolator)


Visão geral do produto

Apresentamos as nossas placas de silicone em isolador de alto desempenho, disponíveis em diâmetros de 100 mm e 150 mm.que oferece um isolamento elétrico superiorIdeal para computação de alto desempenho, comunicação de RF, dispositivos MEMS e eletrônica de potência,As nossas placas SOI garantem desempenho e fiabilidade de primeira linha.

SOI Wafer Silicon On Insulator 100mm 150mm Tipo de Dopante P B Dispositivo 220 Resistividade: 8,5-11,5 ohm-cm


Especificações

Dimensões da bolacha:

  • Opções de diâmetro: 100 mm (4 polegadas) e 150 mm (6 polegadas)

Camada de dispositivo:

  • Materiais: Silício
  • Espessura: 220 nanómetros
  • Tipo de dopante: Tipo P
  • Elementos dopantes: Boro (B)
  • Resistividade: 8,5 a 11,5 ohms-cm

Capa de óxido enterrado (BOX):

  • Materiais: Dióxido de silício (SiO2)
  • Espessura: Personalizavel com base nas necessidades da aplicação (normalmente varia de 200 nm a 2 μm)

Manutenção da bolacha:

  • Materiais: Silício
  • Tipo: Tipo P (dopado com boro)
  • Espessura: espessura padrão de 500-700 μm, proporcionando um suporte mecânico robusto

 

SOI Wafer Silicon On Insulator 100mm 150mm Tipo de Dopante P B Dispositivo 220 Resistividade: 8,5-11,5 ohm-cm


Características fundamentais

  1. Isolamento elétrico superior:

    • A camada BOX garante um excelente isolamento elétrico entre a camada do dispositivo e a bolacha do cabo, reduzindo significativamente a capacitância parasitária e a intermitência.
  2. Capa de dispositivo de alta qualidade:

    • A camada de dispositivo de silício de tipo P de 220 nm de espessura, dopada com boro, fornece propriedades elétricas ideais para uma variedade de aplicações de semicondutores, garantindo alto desempenho e confiabilidade.
  3. Resistividade óptima:

    • A resistividade da camada do dispositivo de 8,5-11,5 ohm-cm é ideal para aplicações de alta velocidade e baixa potência, equilibrando a condutividade e as características de vazamento.
  4. Gerenciamento térmico melhorado:

    • A estrutura SOI permite uma melhor dissipação de calor, o que é fundamental para manter o desempenho e a longevidade do dispositivo sob condições de alta potência ou alta frequência.
  5. Estabilidade mecânica:

    • A bolacha de punho espessa fornece um suporte mecânico robusto, garantindo a estabilidade da bolacha durante o processo de fabricação e em ambientes operacionais.
  6. Opções de personalização:

    • Oferecemos personalização da espessura da camada BOX e outros parâmetros para atender aos requisitos específicos da aplicação, proporcionando flexibilidade para diversas necessidades de semicondutores.

Aplicações

  1. Computação de Alto Desempenho:

    • Ideal para CPUs, GPUs e outros circuitos lógicos digitais de alta velocidade, oferecendo melhor velocidade e menor consumo de energia.
  2. Comunicação 5G e RF:

    • Perfeito para componentes de RF e processamento de sinal de alta frequência, beneficiando do excelente isolamento e propriedades térmicas.
  3. Dispositivos MEMS:

    • Adequado para a fabricação de dispositivos MEMS, tais como acelerômetros, giroscópios e outros sensores, proporcionando a estabilidade mecânica e precisão necessárias.
  4. Eletrónica de Potência:

    • Utilizado em aplicações de gestão de energia, incluindo interruptores e conversores de energia, onde a gestão térmica e a eficiência são cruciais.
  5. Circuitos analógicos e de sinal misto:

    • Melhora o desempenho dos circuitos analógicos, reduzindo o ruído e a transmissão, tornando-o adequado para processamento de áudio e condicionamento de sinal.

SOI Wafer Silicon On Insulator 100mm 150mm Tipo de Dopante P B Dispositivo 220 Resistividade: 8,5-11,5 ohm-cm


Qualidade e Confiabilidade

  • Normas de fabrico:

    • As nossas placas SOI são fabricadas de acordo com os mais elevados padrões da indústria, garantindo uma qualidade e um desempenho consistentes.
  • Controle de qualidade:

    • Existem processos rigorosos de controle de qualidade para garantir que cada wafer atenda às propriedades elétricas, mecânicas e térmicas especificadas.
  • Certificações:

    • Cumprir as normas internacionais de fabricação de semicondutores, garantindo a compatibilidade com os processos de fabricação globais.

Informações de encomenda

  • Disponibilidade:

    • As placas SOI de 100 mm e 150 mm estão disponíveis para envio imediato.
  • Embalagem:

    • As bolinhas são embaladas de forma segura em recipientes antiestáticos, compatíveis com salas limpas, para evitar contaminação e danos durante o transporte.

Atualize as suas aplicações de semicondutores com as nossas sofisticadas placas SOI, concebidas para a excelência e confiabilidade.

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SOI Wafer Silicon On Insulator 100mm 150mm Tipo de Dopante P B Dispositivo 220 Resistividade: 8,5-11,5 ohm-cm

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Número do modelo :
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Local de origem :
China
Quantidade mínima de encomenda :
5
Condições de pagamento :
T/T
Tempo de entrega :
2-4 semanas
Diâmetro :
100 ± 0,2 mm
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SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD

Verified Supplier
7 Anos
shanghai, shanghai
Desde 2013
Tipo de empresa :
Manufacturer, Agent, Importer, Exporter, Trading Company
Produtos principais :
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Total Anual :
1000000-1500000
Nível de certificação :
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