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Transistores de silício epitaxial npn

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SOT-323 3904W /3906W NPN Transistor Plano Epitaxial de Silício PNP
Guangdong Uchi Electronics Co.,Ltd

SOT-323 3904W /3906W NPN Transistor Plano Epitaxial de Silício PNP
Número do modelo：3904W /3906W
Local de origem：Dongguan China
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Espessura Epitaxial lustrada da bolacha 1mm do carboneto de silicone de 100mm SIC para o crescimento do lingote
SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD

Espessura Epitaxial lustrada da bolacha 1mm do carboneto de silicone de 100mm SIC para o crescimento do lingote
Capacidade da fonte：1-50pcs/month
MOQ：5PCS
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Modelo Silicon Transistor D2 PAK Electric Cigarette Machine Parts de Molins MK9
vídeo
HK UPPERBOND INDUSTRIAL LIMITED

Modelo Silicon Transistor D2 PAK Electric Cigarette Machine Parts de Molins MK9
Capacidade da fonte：10000 PCes/mês
MOQ：2 PCes
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RURG8060 Diodo de comutação 80A 600V de uso geral Transistor de comutação de energia npn e pnp
Shenzhen Retechip Electronics Co., Ltd

RURG8060 Diodo de comutação 80A 600V de uso geral Transistor de comutação de energia npn e pnp
Quantidade mínima de encomenda：10
Condições de pagamento：Western Union, T/T, MoneyGram
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FQP6N60C Amplificador de Transistores de Potência de Áudio Npn de Alta Tensão e Comutação Rápida Novo e Original FQP6N60C
ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.

FQP6N60C Amplificador de Transistores de Potência de Áudio Npn de Alta Tensão e Comutação Rápida Novo e Original FQP6N60C
Temperatura de funcionamento：Padrão, Padrão
Série：circuitos integrados de diodo triodo, FQP6N60C
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8 Canais IHM Programável PLC NPN COM 12 Transistor 7 Polegadas
vídeo
Shenzhen Coolmay Technology Co., Ltd.

8 Canais IHM Programável PLC NPN COM 12 Transistor 7 Polegadas
Capacidade da fonte：1500 PCes pela semana
MOQ：1 unidade
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O circuito integrado do transistor de TO-92 2N3904 NPN parte através da montagem do furo
TOP Electronic Industry Co., Ltd.

O circuito integrado do transistor de TO-92 2N3904 NPN parte através da montagem do furo
Número de modelo：2N3904
MOQ：1pcs
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Tipo planar Epitaxial de múltiplos propósitos do transistor 2SC3133 do silicone NPN
Yougou Electronics (Shenzhen) Co., Ltd.

Tipo planar Epitaxial de múltiplos propósitos do transistor 2SC3133 do silicone NPN
Number modelo：2SC3133
Número da peça.：2SC3133
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Transporte passivo eletrônico bipolar NPN 80V 1A do transistor BCP56-16T1G dos componentes SOT223
STJK(HK) ELECTRONICS CO.,LIMITED

Transporte passivo eletrônico bipolar NPN 80V 1A do transistor BCP56-16T1G dos componentes SOT223
Capacidade da fonte：60000 acres/acres por 2-3Days
MOQ：>=2pcs
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Transistor bipolar do Pin 600V 55A da microplaqueta 3 de IC do transistor 2SC4468
Shenzhen Res Electronics Limited

Transistor bipolar do Pin 600V 55A da microplaqueta 3 de IC do transistor 2SC4468
Capacidade da fonte：10000pcs pelo mês
MOQ：discutível
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Planar Epitaxial do silicone dos diodos de interruptor 1SS226 para o interruptor ultra de alta velocidade
Angel Technology Electronics Co

Planar Epitaxial do silicone dos diodos de interruptor 1SS226 para o interruptor ultra de alta velocidade
Capacidade da fonte：500000pcs
MOQ：100pcs
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corrente alta do transistor de poder do transistor de poder NPN do silicone 600mA
Otomo Semiconductor Technology (Shenzhen) Co., Ltd

corrente alta do transistor de poder do transistor de poder NPN do silicone 600mA
Capacidade da fonte：18,000,000PCS/pelo dia
MOQ：PCS 1000-2000
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Tensão bipolar 60 V do emissor do coletor dos transistor das peças 2N2907A da aviação
XIXIAN FORWARD TECHNOLOGY LTD

Tensão bipolar 60 V do emissor do coletor dos transistor das peças 2N2907A da aviação
Number modelo：2N2907A
MOQ：PCes 1
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1500C CVD SIC Forno de crescimento epitaxi para crescimento de carburo de silício em 1000*1000*1500mm Espaço efetivo
vídeo
Zhuzhou Ruideer Metallurgy Equipment Manufacturing Co.,Ltd

1500C CVD SIC Forno de crescimento epitaxi para crescimento de carburo de silício em 1000*1000*1500mm Espaço efetivo
Número do modelo：Personalizável
Local de origem：China
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CVD SiC Epitaxy Wafer 2 polegadas 3 polegadas 4 polegadas 6 polegadas espessura de epitaxia 2,5-120 um para energia eletrônica
SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD

CVD SiC Epitaxy Wafer 2 polegadas 3 polegadas 4 polegadas 6 polegadas espessura de epitaxia 2,5-120 um para energia eletrônica
Número do modelo：Wafer de epitaxia de SiC
Local de origem：China
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BFP420H6327XTSA1 Infineon NPN Transistores de RRF de Silício
vídeo
Shenzhen Chive Electronics Co., Ltd.

BFP420H6327XTSA1 Infineon NPN Transistores de RRF de Silício
Descrição：BFP420H6327XTSA1 BFP420 Visão geral Parâmetros Documentação Pedido Apoio ao projeto Apoio à embalage
Resíduos：100000
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Multímetro do verificador do transistor de MOS/PNP/NPN TC1 para o Triode do diodo
Shenzhen Creatall Electronics Co., Ltd.

Multímetro do verificador do transistor de MOS/PNP/NPN TC1 para o Triode do diodo
Capacidade da fonte：1000 partes/partes por Dia
Lugar de origem：Guangdong, China
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MMUN2214LT1G Transistor de diodo de junção bipolar pré-polarizado 100mA 50V BRT NPN IC
Hong Kong Jia Li Xin Technology Limited

MMUN2214LT1G Transistor de diodo de junção bipolar pré-polarizado 100mA 50V BRT NPN IC
Número do modelo：MMUN2214LT1G
Lugar de origem：Original
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Caixa de gravação Consumíveis de semicondutores Cerâmica sinterizada de carburo de silício
China Abrasives Industry Hainan Corporation

Caixa de gravação Consumíveis de semicondutores Cerâmica sinterizada de carburo de silício
Local de origem：Henan, China
Quantidade mínima de encomenda：Uma parte
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