Especificações
Number modelo :
SN6018
Lugar de origem :
China
Quantidade Mínima de Pedido :
1
Termos do pagamento :
T/T
Capacidade da fonte :
5 grupos pelo mês
Prazo de entrega :
30 dias
Detalhes de empacotamento :
Caixa da madeira compensada
Escala de frequência :
DC-6GHz
impedância da entrada :
50Ω±5Ω
Relação de onda de posição de tensão :
≤1.75
Poder de entrada máximo :
1000W
Altura eletrônica máxima da separação :
750mm
área de teste da uniformidade do campo de ±3dB :
350 milímetros x 350 milímetros
Área de teste recomendada máxima de EUT :
67,5 x 67,5 x 49cm
Dimensões da pilha de exterior :
4.0m x 2.2m x 2.1m
Descrição

 

Pilha magnética transversal do IEC 61967-2 Chip Test Integrated Circuit Gigahertz eletro

 

Vista geral do produto para a pilha de Chip Test Integrated Circuit GTEM:

 

A pilha transversal da onda eletromagnética do gigahertz de GTEM (eletro transversal do gigahertz magnético) é um medidor de ondas fechado do único-porto com uma frequência até 20GHz.

Usar GTEM (onda eletromagnética transversal do gigahertz) para testes da compatibilidade eletromagnética é uma tecnologia nova da medida desenvolvida no campo da compatibilidade eletromagnética internacional nos últimos anos. Dívida às características de faixa larga de GTEM (da corrente contínua à micro-ondas) e baixo custo (somente alguns por cento do custo de uma câmara surda), pode ser usada para testes da susceptibilidade da radiação eletromagnética (os testes do EMS, chamaram às vezes testes da imunidade). Pode igualmente ser usada para o teste da radiação eletromagnética (teste do IEM) e o equipamento usado (comparado ao teste na câmara surda) tem a configuração simples. O custo é barato e pode ser usado para testes rápidos e automáticos, assim que foi pagado cada vez mais a atenção por povos internacionais e domésticos relevantes. Entre eles, especialmente para os testes do equipamento pequeno, a solução da medida da pilha de GTEM é a melhor solução do teste com a melhor relação do desempenho-preço.

 

Padrões do teste para a pilha de Chip Test Integrated Circuit GTEM:

 

Padrão da compatibilidade eletrónica da pilha de GTEM (eletro transversal do gigahertz magnético) da pilha de GTEM:

Padrões do IEM: Estabeleça uma base comum para avaliar as emissões irradiadas de elétricos e de equipamentos eletrônicos (componentes).

Medida do IEC 61967-2 da emissão eletromagnética dos circuitos integrados 150kHz 1GHz à parte 2: Método irradiado da pilha da medida TEM da emissão.

Padrão do EMS: Para estabelecer uma base comum para avaliar a capacidade de elétrico e de equipamentos eletrônicos para resistir a interferência irradiada do campo eletromagnético.

Medida do IEC 62132-2 da imunidade eletromagnética da parte 2 dos circuitos integrados 150kHz~1GHz: Método da pilha de TEM e de GTEM.

IEC 61000-4-20, EN 61000-4-20

IEC 61000-4-3, EN 61000-4-3

IEC 61000-6-3, EN 61000-6-3

IEC 61000-6-4, EN 61000-6-4

ISO 11452-3, SAE J1113-24

 

Composição para a pilha de Chip Test Integrated Circuit GTEM:

 

GTEM pode ser considerado como uma expansão espacial do cabo 50Ω coaxial a fim acomodar o objeto medido. O fio do núcleo do cabo coaxial é expandido para ser a placa de núcleo da pilha de GTEM, e a bainha do cabo coaxial é feita no escudo da pilha de GTEM. A impedância característica dentro da pilha de GTEM é projetada ainda ser 50Ω. A fim impedir que a onda eletromagnética da entrada esteja refletida na extremidade da cavidade interna, a extremidade da placa de núcleo é conectada a uma carga de harmonização de faixa larga, e um material deabsorção é colocado na extremidade da cavidade. A fim absorver as ondas eletromagnéticas emissoras à extremidade.

As propagações transversais da onda eletromagnética ao longo da placa de núcleo, e a intensidade de campo elétrico gerada são proporcionais à tensão aplicada na placa de núcleo. A força do campo em posições diferentes igualmente depende da altura da placa de núcleo (a distância entre o condutor interno e a terra), mais perto da separação, mais forte a força de campo.

 

Parâmetros técnicos para a pilha de Chip Test Integrated Circuit GTEM:

 

Indicadores de desempenho principais:

Escala de frequência: DC-6GHz

Impedância entrada: 50Ω±5Ω (valor típico: 50Ω±2Ω)

Relação de onda de posição de tensão: ≤1.75 (valor típico: ≤1.5)

Poder de entrada máximo: 1000W

Dimensões da pilha de exterior: 4.0m x 2.2m x 2.1m (L x W x H)

Altura eletrônica máxima da separação: 750mm

área de teste da uniformidade do campo de ±3dB: 350 milímetros x 350 milímetros

Área de teste recomendada máxima de EUT: 67,5 x 67,5 x 49cm

Peso: 500kg

 

Escala de frequência 80MHz-1000MHz
Potência de saída 70W
Ganho +49dB
Tipo
Nivelamento linear do ganho do poder ±3dB máximo
Impedância do I/O 50ohm
VSWR entrado 2:1 máximo
Poder entrado +0dBm máximo
Distorção de harmônico H2, H3<-20dbc of="" output="" power="" at="" 1dB="" compression="" point="" limit="">
Relação de entrada do RF o N-tipo fêmea do terminal (painel frontal ou painel traseiro), outras relações pode ser personalizado
Relação da saída do RF o N-tipo fêmea do terminal (painel frontal ou painel traseiro), outras relações pode ser personalizado
 
 

 

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1
Termos do pagamento :
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Prazo de entrega :
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Sinuo Testing Equipment Co. , Limited

Verified Supplier
7 Anos
guangdong, guangzhou
Tipo de empresa :
Fabricante
Total Anual :
800000-1500000
Número de trabalhadores :
30~50
Nível de certificação :
Verified Supplier
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