JanhooOs amplificadores ópticos de semicondutores (SOAs) de 1310 nm no chip de portador são projetados para alto ganho, alta potência, baixo PDL e larga
banda SOA que entra na norma GR-468-CORE.
Parâmetro
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Símbolo
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Condições de trabalho
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Minha.
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Tipo.
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Max. - O quê?
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Unidade
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comprimento de onda de trabalho
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λ
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1260
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1310
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1340
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nm
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Comprimento de onda operacional
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∆Δλ
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@-3dB
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45
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nm
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Corrente do motor
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Se
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---
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---
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250
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350
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mA
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Potência de saturação
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Psat
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Se=250mA
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15
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---
|
---
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dBm
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Pequeno ganho de sinal
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G
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15
|
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25
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dB
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Figura de ruído
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NF
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7
|
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|
dB
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Ganhos dependentes da polarização
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Diretor Executivo
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---
|
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2.0
|
dB
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Voltagem para a frente
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Vf
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|
---
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1.8
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V
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Tamanho do ponto
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θL/θT
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16/30
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°
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Temperatura de funcionamento
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TC
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I=Iop
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- 10
|
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70
|
°C
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Temperatura de armazenamento
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Tstg
|
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- 40
|
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|
85
|
°C
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