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Tipo material do transistor do Triode do silicone dos transistor de poder NPN da ponta MJE13003
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Especificações
Place of Origin :
ShenZhen China
Brand Name :
OTOMO
Certification :
RoHS、SGS
Minimum Order Quantity :
1000-2000 PCS
Price :
Negotiated
Packaging Details :
Boxed
Delivery Time :
1 - 2 Weeks
Payment Terms :
L/C T/T Western Union
Supply Ability :
18,000,000PCS / Per Day
Model Number :
MJE13003
Type :
Triode Transistor
Material :
Silicon
Power mosfet transistor :
TO-126 Plastic-Encapsulate
Product name :
semiconductor triode type
Tj :
150℃
Descrição

TO-126 Plástico-encapsulam o TRANSISTOR dos transistor MJE13003 (NPN)

 

 

CARACTERÍSTICA
 

Aplicações de comutação do poder de Ÿ

 

 

MARCAÇÃO

Código de MJE13003=Device

Ponto contínuo = dispositivo composto moldando verde, se nenhum, o dispositivo normal

Tipo material do transistor do Triode do silicone dos transistor de poder NPN da ponta MJE13003

 

Tipo material do transistor do Triode do silicone dos transistor de poder NPN da ponta MJE13003

 

 

INFORMAÇÃO PEDINDO

Número da peça Pacote Método de embalagem Quantidade do bloco
MJE13003 TO-126 Volume 200pcs/Bag
MJE13003-TU TO-126 Tubo 60pcs/Tube


 

 

 

 

AVALIAÇÕES MÁXIMAS (Ta =25 Š salvo disposição em contrário)

 

Símbolo Parâmetro Valor Unidade
VCBO Coletor - tensão baixa 600 V
VCEO Tensão do Coletor-emissor 420 V
VEBO Tensão da Emissor-base 7 V
IC Corrente de coletor - contínua 0,2
PC Dissipação de poder do coletor 0,75 W
TJ Temperatura de junção 150 ℃
Tstg Temperatura de armazenamento -55 ~150 ℃

 

 

 

 


CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS

 

 

Ta =25 Š salvo disposição em contrário


 

Parâmetro Símbolo Condições de teste Minuto Tipo Máximo Unidade
tensão de divisão da Coletor-base V (BR) CBO IC = 0.1mA, IE =0 600     V
tensão de divisão do Coletor-emissor CEO DE V (BR) IC = 1mA, IB =0 400     V
tensão de divisão da Emissor-base V (BR) EBO IE =0.1MA, IC =0 6     V
Corrente de interrupção de coletor ICBO VCB =600V, IE =0     100 A
Corrente de interrupção de coletor ICEO VCE =400V, IB =0     100 A
Corrente da interrupção do emissor IEBO VEB =7V, IC =0     10 A
Ganho atual de C.C. hFE (1) * VCE =10V, IC =200MA 20   30  
hFE (2) VCE =10V, IC =250ΜA 5    
tensão de saturação do Coletor-emissor VCE (se sentou) 1 IC =200MA, IB =40MA     0,5 V
Tensão de saturação do emissor de base VBE (se sentou) IC =200MA, IB =40MA     1,1 V
Frequência da transição fT VCE =10V, IC =100mA, f=1MHz 5     Megahertz
Tempo de queda tf IC =100mA     0,5 μs
Tempo de armazenamento tS* IC =100mA 2   4

 

 
Dimensões do esboço do pacote TO-92

 

 

Símbolo Dimensões nos milímetros Dimensões nas polegadas
  Minuto Máximo Minuto Máximo
2,500 2,900 0,098 0,114
A1 1,100 1,500 0,043 0,059
b 0,660 0,860 0,026 0,034
b1 1,170 1,370 0,046 0,054
c 0,450 0,600 0,018 0,024
D 7,400 7,800 0,291 0,307
E 10,600 11,000 0,417 0,433
e 2,290 TIPO 0,090 TIPOS
e1 4,480 4,680 0,176 0,184
h 0,000 0,300 0,000 0,012
L 15,300 15,700 0,602 0,618
L1 2,100 2,300 0,083 0,091
P 3,900 4,100 0,154 0,161
Φ 3,000 3,200 0,118 0,126

 

 

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Beijing Silk Road Enterprise Management Services Co.,LTD

Verified Supplier
5 Anos
shenzhen
Tipo de empresa :
Fabricante
Produtos principais :
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Nível de certificação :
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