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Preto dos transistor do efeito de campo do semicondutor de óxido de metal de PD57030-E RF (MOSFET do RF)
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Preto dos transistor do efeito de campo do semicondutor de óxido de metal de PD57030-E RF (MOSFET do RF)
Especificações
Number modelo :
PD57030-E
MOQ :
1000
Termos do pagamento :
T/T
Capacidade da fonte :
5k-10k pelo dia
Prazo de entrega :
5-8 dias do trabalho
Detalhes de empacotamento :
Pacote: SMD
Tipo :
circuito integrado
Pacote :
SMD
Garantia da qualidade :
30-90days
D/C :
Novo
Cor :
Preto
Descrição
Nome do produto: PD57030-E Preto dos transistor do efeito de campo do semicondutor de óxido de metal de PD57030-E RF (MOSFET do RF)
Fabricante: STMicroelectronics Categoria de produto: Transistor do efeito de campo do semicondutor de óxido de metal do RF (MOSFET do RF)
Polaridade do transistor: N-canal Tecnologia: Si
Corrente Identificação-contínua do dreno: 4 A tensão de divisão da Vds-dreno-fonte: 65 V
Frequência de funcionamento: 1 gigahertz Ganho: DB 14
Potência de saída: 30W Temperatura de funcionamento mínima: - 65 C
Temperatura de funcionamento máximo: + 150 C Estilo da instalação: SMD/SMT
Pacote/caso: PowerSO-10RF-Formed-4 Pacote: Tubo
Tipo: STMicroelectronics Modo do canal: Realce
Configuração: Único Altura: 3,5 milímetros
Comprimento: 7,5 milímetros Sensibilidade de umidade: Sim
Dissipação do Paládio-poder: 52,8 W Tipo de produto: Transistor do MOSFET do RF
Série: PD57030-E Quantidade de embalagem da fábrica: 400
Subcategoria: MOSFETs Tipo: MOSFET do poder do RF
Vgs - tensão da Porta-fonte: 20 V Peso de unidade: 3 g

 

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Preto dos transistor do efeito de campo do semicondutor de óxido de metal de PD57030-E RF (MOSFET do RF)

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Detalhes do produto
Number modelo :
PD57030-E
MOQ :
1000
Termos do pagamento :
T/T
Capacidade da fonte :
5k-10k pelo dia
Prazo de entrega :
5-8 dias do trabalho
Detalhes de empacotamento :
Pacote: SMD
Fornecedor de contacto
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Beijing Silk Road Enterprise Management Services Co.,LTD

Verified Supplier
5 Anos
shenzhen
Tipo de empresa :
Fabricante
Produtos principais :
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