Especificações
Number modelo :
Fabricante
Lugar de origem :
China
MOQ :
2 PCes
Termos do pagamento :
pagamento dianteiro de 50%
Capacidade da fonte :
10000 PCes/mês
Prazo de entrega :
5-8 dias
Detalhes de empacotamento :
Caixa
Qty. em cada máquina :
1
Máquina aplicável :
Fabricante de cigarro
Amostra :
Somente quando carregado
Posição :
Garniture
Borda apontada :
Nenhum
Descrição

Mosfet Nano Irfz44ns da versão do Através-furo de Hauni Protos para máquinas de Kretek

Transistor do silicone

O primeiro transistor de trabalho do silicone foi desenvolvido em Bell Labs o 26 de janeiro de 1954, por Morris Tanenbaum. O primeiro transistor comercial do silicone foi produzido por Texas Instruments em 1954. Este era o trabalho de Gordon Teal, um perito nos cristais crescentes da pureza alta, que tinham trabalhado previamente em Bell Labs.

Transistor de alta frequência

O primeiro transistor de alta frequência era o transistor do germânio da superfície-barreira desenvolvido por Philco em 1953, capaz de operar até 60 megahertz. Estes foram feitos gravando depressões em um n-tipo base do germânio de ambos os lados com os jatos do índio (III) sulfatam até que esteve alguns ten-thousandths de uma polegada densamente. O índio galvanizou nas depressões formou o coletor e o emissor.

Transistor do Ponto-contato

Em 1948, o transistor do ponto-contato foi inventado independentemente por físicos alemães Herbert Mataré e Heinrich Welker ao trabalhar no DES Freins e Signaux Westinghouse de Compagnie, uma subsidiária de Westinghouse situada em Paris. Mataré teve a experiência precedente em retificadores de cristal tornando-se do silicone e do germânio no esforço alemão do radar durante a segunda guerra mundial. Usando este conhecimento, começou a pesquisar o fenômeno da “interferência” em 1947.

Mosfet Nano Irfz44ns da versão do Através-furo de Hauni Protos para máquinas de Kretek

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HK UPPERBOND INDUSTRIAL LIMITED

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7 Anos
hong kong, hong kong
Desde 2007
Tipo de empresa :
Manufacturer, Distributor/Wholesaler, Exporter
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100~200
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