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VS-GT80DA120U Transistores Bipolares de Portão Isolado Vishay Semicondutores
VS-GT80DA120U Transistores Bipolares de Portão Isolado Vishay Semicondutores
Especificações
Descrição :
IGBT MOD 1200V 139A 658W SOT227
Categoria :
Produtos semicondutores discretosTransistoresIGBTsMódulos IGBT
Corrente - colector (Ic) (máximo) :
139 A
Estatuto do produto :
Atividade
Tipo de montagem :
Montura do chassi
Pacote :
Em granel
Série :
HEXFRED®
Embalagem / Caixa :
SOT-227-4, miniBLOC
Vce ((on) (Max) @ Vge, Ic :
2.55V @ 15V, 80A
Voltagem - Desagregação do emissor do colector (máximo) :
1200 V
Pacote de dispositivos do fornecedor :
SOT-227
Mfr :
General semicondutor de Vishay - divisão dos diodos
Temperatura de funcionamento :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Corrente - limite do colector (máximo) :
100 μA
Tipo IGBT :
Trincheira
Potência - Máximo :
658 W
Input :
Padrão
Capacidade de entrada (Cies) @ Vce :
4.4 nF @ 25 V
Configuração :
Solteiro
Termistor NTC :
Não
Número do produto de base :
GT80
Descrição

Módulo IGBT Trench Single 1200 V 139 A 658 W Chassis Mount SOT-227

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VS-GT80DA120U Transistores Bipolares de Portão Isolado Vishay Semicondutores

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Detalhes do produto
Descrição :
IGBT MOD 1200V 139A 658W SOT227
Categoria :
Produtos semicondutores discretosTransistoresIGBTsMódulos IGBT
Corrente - colector (Ic) (máximo) :
139 A
Estatuto do produto :
Atividade
Tipo de montagem :
Montura do chassi
Pacote :
Em granel
Fornecedor de contacto
VS-GT80DA120U Transistores Bipolares de Portão Isolado Vishay Semicondutores

UDEL Chips Tech Co., Ltd.

Active Member
2 Anos
shenzhen
Desde 2013
Produtos principais :
Chip analógico, Diodos TVS supressores ESD, Chips de relógio e temporizador
Total Anual :
1.000.000.00-30.000.000.00
Número de trabalhadores :
15~25
Nível de certificação :
Active Member
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