Especificações
Corrente de vazamento do emissor da porta: :
nA 100
Categoria de produtos: :
Transistores IGBT
Estilo de montagem: :
Através do Buraco
Corrente contínua do colector a 25oC: :
90 A
Paládio - dissipação de poder: :
400 W
Voltagem do colector-emissor VCEO Max: :
1200 V
Embalagem / Caixa: :
TO-247AC-3
Temperatura máxima de funcionamento: :
+ 150 C
Voltagem máxima do emissor da porta: :
+/- 30 V
Embalagem: :
Tubos
Configuração: :
Solteiro
Voltagem de saturação do colector-emissor: :
2,4 V
Fabricante: :
IR / Infineon
Descrição :
Transistores IGBT 1200V UltraFast Discreto IGBT
Descrição
O IRG7PH50K10DPBF, da IR / Infineon, são transistores IGBT. O que oferecemos tem preço competitivo no mercado global, que são em peças originais e novas.Se pretender saber mais sobre os produtos ou solicitar um preço mais baixo, por favor, contacte-nos através do chat on-line ou envie-nos um orçamento!
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IRG7PH50K10DPBF

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Corrente de vazamento do emissor da porta: :
nA 100
Categoria de produtos: :
Transistores IGBT
Estilo de montagem: :
Através do Buraco
Corrente contínua do colector a 25oC: :
90 A
Paládio - dissipação de poder: :
400 W
Voltagem do colector-emissor VCEO Max: :
1200 V
Fornecedor de contacto
IRG7PH50K10DPBF

UDEL Chips Tech Co., Ltd.

Active Member
2 Anos
shenzhen
Desde 2013
Total Anual :
1.000.000.00-30.000.000.00
Número de trabalhadores :
15~25
Nível de certificação :
Active Member
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