Especificações
Número de modelo :
H9HCNNN4KMMLHR
MOQ :
1 pacote
Termos do pagamento :
T/T, Paypal, Western Union, compromisso e outro
Capacidade da fonte :
6000pcs por mês
Tempo de entrega :
3-5 dias de trabalho
Detalhes de empacotamento :
10cm x 10cm x 5cm
número do item :
H9HCNNN4KMMLHR
Pacote :
BGA200
Org. :
X16
Densidade :
4GB
Vol: :
1.8V-1.1V-0.6V
Velocidade :
L/M
Descrição

Memória Chip Storage do chip de memória H9HCNNN4KMMLHR 4Gb LPDDR4 BGA200 da GOLE do chip de memória da GOLE

 

 

Características:

 VDD1 = 1.8V (1.7V a 1.95V) · VDD2 e VDDCA = 1.1V (1.06V a 1.17V) · VDDQ = 0.6V (0.57V a 0.65V) · VSSQ terminou os sinais de DQ (DQ, DQS_t, DQS_c, DMI) · Os únicos dados avaliam a arquitetura para o comando e o endereço;   - todo o controle e endereço travados na borda de aumentação do pulso de disparo · Arquitetura dobro da taxa de dados para o ônibus de dados;   - dois acessos de dados pelo ciclo de pulso de disparo · Entradas de pulso de disparo diferencial (CK_t, CK_c) · Estroboscópio diferencial bidirecional dos dados (DQS_t, DQS_c)   - Transação síncrono dos dados da fonte alinhada ao estroboscópio diferencial bidirecional dos dados (DQS_t, DQS_c) · O apoio do pino de DMI para escreve o mascaramento dos dados e a funcionalidade de DBIdc · RL programável (latência lida) e WL (escreva a latência) · Comprimento da explosão: 16 (defeito), 32 e Em--mosca   - - - Na mosca o modo é permitido pela SRA. · O automóvel refresca e o auto refresca apoiado · Todo o automóvel do banco para refrescar e dirigido pelo automóvel do banco refresca apoiado · Auto TCSR (o auto compensado temperatura refresca) · PASR (o auto parcial da disposição refresca) pela máscara do banco e pela máscara do segmento · Calibração do fundo ZQ
Especificações de produto
Número da peça.

 Chip de memória de GOLE de H9HCNNN4KMMLHR 4Gb, armazenamento da microplaqueta de Ram do computador de LPDDR4 BGA200

Antro.

 

Org.

 

Vol

 

Velocidade

 

Poder

 

PACOTE

 

Estado do produto

 

H9HCNNN4KMMLHR 4Gb x16 1.8V-1.1V-0.6V L / M Baixa potência 200 Produção em massa
H9HCNNN4KUMLHR 4Gb x16 1.8V-1.1V-1.1V L / M Baixa potência 200 Produção em massa
H9HCNNN8KUMLHR 8Gb x16 1.8V-1.1V-1.1V L / M Baixa potência 200 Produção em massa
H9HCNNNBKMMLHR 16Gb x16 1.8V-1.1V-0.6V M / E Baixa potência 200 Produção em massa
H9HCNNNBKUMLHR 16Gb x16 1.8V-1.1V-1.1V M / E Baixa potência 200 Produção em massa
H9HCNNNBPUMLHR 16Gb x16 1.8V-1.1V-1.1V L / M Baixa potência 200 Produção em massa
H9HCNNNCPMMLHR 32Gb x16 1.8V-1.1V-0.6V M / E Baixa potência 200 Produção em massa
H9HCNNNCPUMLHR 32Gb x16 1.8V-1.1V-1.1V M / E Baixa potência 200 Produção em massa

 

Velocidade
Número da peça Velocidade
L 3200Mbps
M 3733Mbps

 

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Chip de memória de GOLE de H9HCNNN4KMMLHR 4Gb, armazenamento da microplaqueta de Ram do computador de LPDDR4 BGA200

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Tempo de entrega :
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Detalhes de empacotamento :
10cm x 10cm x 5cm
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Chip de memória de GOLE de H9HCNNN4KMMLHR 4Gb, armazenamento da microplaqueta de Ram do computador de LPDDR4 BGA200

Beijing Silk Road Enterprise Management Services Co.,LTD

Verified Supplier
8 Anos
Desde 2000
Tipo de empresa :
Distribuidor/Wholesaler, Agent, Importer, Exporter, Trading Company, Seller
Total Anual :
5000000-10000000
Número de trabalhadores :
50~80
Nível de certificação :
Verified Supplier
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