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Substrato Primário de Bolacha Epitaxial de Silício Microeletrônico 279um
Substrato Primário de Bolacha Epitaxial de Silício Microeletrônico 279um
Especificações
Lugar de origem :
Suzhou China
MOQ :
1
Termos do pagamento :
T/T
Capacidade da fonte :
50000pcs/month
Prazo de entrega :
3-4 dias da semana
Detalhes de empacotamento :
Embalagem a vácuo em um ambiente de sala limpa classe 10000, em cassetes de 25 peças ou recipientes
Number modelo :
JDCD06-001-002
Categoria :
Principal
Método do crescimento :
CZ
Tipo/entorpecente :
Tipo de P/boro, tipo de N/Phos, N Type/As, N Type/Sb
Espessura (μm) :
279
Tolerância da espessura :
± padrão 25μm, ± máximo 5μm das capacidades
resistividade :
0.001-100 ohm-cm
De superfície terminado :
P/E, P/P, E/E, G/G
TTV (μm) :
<10μm padrão, Capabilities<5μm máximo
Descrição

Espessura (μm)279 Silicon Wafer TTV(μm) Padrão <10 um, Capacidade máxima <5 μm

Dispositivos MEMS de wafer de silício de 2 polegadas, circuitos integrados, substratos dedicados para dispositivos discretos


Visão geral

Os wafers de silício (Si) são materiais de substrato primário na área microeletrônica e microeletromecânica por causa de suas propriedades superiores, que podem ser ajustadas.Neste capítulo, primeiro fornecemos uma visão geral das técnicas de usinagem por descarga elétrica.Além disso, também são discutidos os resultados de capacidade e desempenho de técnicas de usinagem de descarga elétrica para usinagem de cavidades tridimensionais em Si com configurações de parâmetros ideais.

Especificação

bolacha de silício

Diâmetro

 2"/3"/4"/5"/6"/8"/12"
Nota Melhor
Crescimento Método CZ
Orientação <1-0-0>,<1-1-1>,<1-1-0>
Tipo/Dopante Tipo P/Boro, Tipo N/Phos, Tipo N/As, Tipo N/Sb
Espessura (μm) 279/380/525/625/675/725/775
Grossura Tolerância Padrão ± 25μm, Capacidade(s) Máxima(s) ± 5μm
Resistividade 0,001-100 ohm-cm
Superfície Finalizado P/E,P/P,E/E,G/G
TTV(μm) Padrão <10μm, Capacidades Máximas <5 μm
arco/urdidura Padrão <40 μm, Capacidades Máximas <20 μm
Partícula <10@0,5μm;<10@0,3μm;<10@0,2μm;

Sobre nós

Nós nos especializamos no processamento de uma variedade de materiais em wafers, substratos e peças personalizadas de vidro óptico. Componentes amplamente utilizados em eletrônica, óptica, optoeletrônica e muitos outros campos.Também trabalhamos em estreita colaboração com muitas universidades nacionais e estrangeiras, instituições de pesquisa e empresas, fornecendo produtos e serviços personalizados para seus projetos de P&D.É nossa visão manter um bom relacionamento de cooperação com todos os nossos clientes por nossa boa reputação.

Perguntas frequentes

Q: você está negociando empresa ou fabricante?
Nós somos fábrica.
Q: Quanto tempo é o seu tempo de entrega?
Geralmente leva de 3 a 5 dias se as mercadorias estiverem em estoque.
ou leva de 7 a 10 dias se as mercadorias não estiverem em estoque, é de acordo com a quantidade.
P: você fornece amostras?é gratuito ou extra?
Sim, podemos oferecer a amostra gratuitamente, mas não pagamos o custo do frete.
Q: Quais são as suas condições de pagamento?
Pagamento <=5000USD, 100% adiantado.
Pagadores >=5000USD, 80% T/T adiantado, saldo antes do envio.

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Detalhes do produto
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MOQ :
1
Termos do pagamento :
T/T
Capacidade da fonte :
50000pcs/month
Prazo de entrega :
3-4 dias da semana
Detalhes de empacotamento :
Embalagem a vácuo em um ambiente de sala limpa classe 10000, em cassetes de 25 peças ou recipientes
Fornecedor de contacto
Substrato Primário de Bolacha Epitaxial de Silício Microeletrônico 279um

Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

Active Member
4 Anos
shanghai, shanghai
Desde 2020
Tipo de empresa :
Fabricante
Produtos principais :
, ,
Número de trabalhadores :
>100
Nível de certificação :
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