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JDCD07-001-001 Wafer epitaxial SOI de 4 polegadas para processamento de MEMS
JDCD07-001-001 Wafer epitaxial SOI de 4 polegadas para processamento de MEMS
Especificações
Number modelo :
JDCD07-001-001
Lugar de origem :
Suzhou China
MOQ :
1
Termos do pagamento :
T/T
Capacidade da fonte :
50000pcs/month
Prazo de entrega :
3-4 dias da semana
Detalhes de empacotamento :
Embalagem a vácuo em um ambiente de sala limpa classe 10000, em cassetes de 25 peças ou recipientes
Diâmetro :
4"
Orientação :
<100>,<111>
Tipo/entorpecente :
Tipo de P/boro, tipo de N/Phos, N Type/As, N Type/Sb
Espessura (μm) :
300-725
resistividade :
0.001-20000 Ohm-cm
De superfície terminado :
P/P, P/E
Partícula :
<10>
Descrição

Wafer epitaxial SOI de 4 polegadas para processamento de MEMS


Visão geral

Embora os cristais de silício possam parecer metálicos, eles não são inteiramente metais.Devido aos "elétrons livres" que se movem facilmente entre os átomos, os metais são bons condutores de eletricidade, e a eletricidade é o movimento dos elétrons.Um cristal de silício puro, por outro lado, é quase um isolante;permitindo que muito pouca eletricidade passe por ele.No entanto, isso pode ser alterado por meio de um processo chamado doping.

Especificação

ENTÃO EU
Diâmetro 4'' 5'' 6'' 7''

Camada de dispositivo

 dopante Boro, Fos, Arsênico, Antimônio, Não dopado
Orientação <100>,<111>
Tipo SIMOX, BESOI, Simbond, corte inteligente
Resistividade 0,001-20000 Ohm-cm
Espessura (um) 0,2-150
A Uniformidade <5%
Camada CAIXA Espessura (um) 0,4-3
Uniformidade <2,5%

Substrato

 Orientação <100>, <111>
Tipo/Dopante Tipo P/Boro , Tipo N/Phos, Tipo N/As, Tipo N/Sb
Espessura (um) 300-725
Resistividade 0,001-20000 Ohm-cm
Superfície acabada P/P, P/E
Partícula <10@.0.3um

Sobre nós

Nós nos especializamos no processamento de uma variedade de materiais em wafers, substratos e peças personalizadas de vidro óptico. Componentes amplamente utilizados em eletrônica, óptica, optoeletrônica e muitos outros campos.Também trabalhamos em estreita colaboração com muitas universidades nacionais e estrangeiras, instituições de pesquisa e empresas, fornecendo produtos e serviços personalizados para seus projetos de P&D.É nossa visão manter um bom relacionamento de cooperação com todos os nossos clientes por nossa boa reputação.

Perguntas frequentes

Q: você está negociando empresa ou fabricante?
Nós somos fábrica.
Q: Quanto tempo é o seu tempo de entrega?
Geralmente leva de 3 a 5 dias se as mercadorias estiverem em estoque.
ou leva de 7 a 10 dias se as mercadorias não estiverem em estoque, é de acordo com a quantidade.
P: você fornece amostras?é gratuito ou extra?
Sim, podemos oferecer a amostra gratuitamente, mas não pagamos o custo do frete.
Q: Quais são as suas condições de pagamento?
Pagamento <=5000USD, 100% adiantado.
Pagadores >=5000USD, 80% T/T adiantado, saldo antes do envio.

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Detalhes do produto
Number modelo :
JDCD07-001-001
Lugar de origem :
Suzhou China
MOQ :
1
Termos do pagamento :
T/T
Capacidade da fonte :
50000pcs/month
Prazo de entrega :
3-4 dias da semana
Fornecedor de contacto
vídeo
JDCD07-001-001 Wafer epitaxial SOI de 4 polegadas para processamento de MEMS

Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

Active Member
4 Anos
shanghai, shanghai
Desde 2020
Tipo de empresa :
Fabricante
Produtos principais :
, ,
Número de trabalhadores :
>100
Nível de certificação :
Active Member
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