JDCD07-001-002 Wafer epitaxial SOI de 5 polegadas para processamento MEMS Vídeo da China

Jun 09, 2025

17 opiniões

Descrição do produto: bolacha epitaxial de 5-inch SOI para o processamento de MEMS Vista geral As bolachas de silicone (bolacha do si) são fatias finas de silicone Aprenda mais

JDCD07-001-002 Wafer epitaxial SOI de 5 polegadas para processamento MEMS

JDCD07-001-002 Wafer epitaxial SOI de 5 polegadas para processamento MEMS

50000pcs/month

JDCD07-001-002

Contacte agora

Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

Active Member

4 Anos

JDCD07-001-001 Wafer epitaxial SOI de 4 polegadas para processamento de MEMS

JDCD07-001-001 Wafer epitaxial SOI de 4 polegadas para processamento de MEMS

JDCD07-001-001 Wafer epitaxial SOI de 4 polegadas para processamento de MEMS

Sistema de recozimento RTP-SA-8 de processamento térmico rápido de produção

Sistema de recozimento RTP-SA-8 de processamento térmico rápido de produção

Sistema de recozimento RTP-SA-8 de processamento térmico rápido de produção

GaN dopado com UID tipo N de 4 polegadas em wafer de safira SSP Resistividade＞0,5 Ω cm LED, laser, PIN Wafer epitaxial

GaN dopado com UID tipo N de 4 polegadas em wafer de safira SSP Resistividade＞0,5 Ω cm LED, laser, PIN Wafer epitaxial

GaN dopado com UID tipo N de 4 polegadas em wafer de safira SSP Resistividade＞0,5 Ω cm LED, laser, PIN Wafer epitaxial

Wafer epitaxial de 2 ′′ 6 polegadas tipo N GaN em safira para dispositivo PIN a laser LED

Wafer epitaxial de 2 ′′ 6 polegadas tipo N GaN em safira para dispositivo PIN a laser LED

Wafer epitaxial de 2 ′′ 6 polegadas tipo N GaN em safira para dispositivo PIN a laser LED

GaN 2 polegadas Nitreto de gálio Substrato de cristal único

GaN 2 polegadas Nitreto de gálio Substrato de cristal único

GaN 2 polegadas Nitreto de gálio Substrato de cristal único

Substituir um lote

JDCD07-001-004 Wafer epitaxial SOI de 7 polegadas para processamento MEMS

JDCD07-001-004 Wafer epitaxial SOI de 7 polegadas para processamento MEMS

Ver detalhes

JDCD07-001-001 Wafer epitaxial SOI de 4 polegadas para processamento de MEMS

JDCD07-001-001 Wafer epitaxial SOI de 4 polegadas para processamento de MEMS

Ver detalhes

4" 5" 6" tipo da bolacha P do si/tipo do boro N/como o tipo/Sb de N

4" 5" 6" tipo da bolacha P do si/tipo do boro N/como o tipo/Sb de N

Ver detalhes

0,001-100 ohm-cm Bolacha de Silício Tipo P Dopante de Boro

0,001-100 ohm-cm Bolacha de Silício Tipo P Dopante de Boro

Ver detalhes

Carcaças discretas P/P P/E E/POR EXEMPLO de superfície do si dos dispositivos de

Carcaças discretas P/P P/E E/POR EXEMPLO de superfície do si dos dispositivos de

Ver detalhes

Encontre produtos semelhantes por categoria:

Página inicial do fornecedor Produtos

MachineU Canal de vídeo Beleza e Cuidados Pessoais Equipamento de beleza Equipamento para salão de beleza Máquina de microdermoabrasão

Fornecedor de contacto

Mensagem*

E-mail*

Telefone ou WhatsApp*

Nome

Empresa

Exigência de submissão

Por favor, responda-me dentro de 24 horas.

Quero o serviço de contratação de fornecedores!