GaN 2 polegadas Nitreto de gálio Substrato de cristal único Vídeo da China

Apr 22, 2025

5 opiniões

Descrição do produto: Substrato de GaN independente não dopado 1, Visão geral do substrato de nitreto de gálio monocristalino(Substrato de GaN) O substrato de cristal úAprenda mais

GaN 2 polegadas Nitreto de gálio Substrato de cristal único

GaN 2 polegadas Nitreto de gálio Substrato de cristal único

JDCD01-001-019

China

Contacte agora

Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

Active Member

4 Anos

12.5mm 2inch N autônomo GaN Epi Wafer Si Doped

12.5mm 2inch N autônomo GaN Epi Wafer Si Doped

12.5mm 2inch N autônomo GaN Epi Wafer Si Doped

GaN dopado com UID tipo N de 4 polegadas em wafer de safira SSP Resistividade＞0,5 Ω cm LED, laser, PIN Wafer epitaxial

GaN dopado com UID tipo N de 4 polegadas em wafer de safira SSP Resistividade＞0,5 Ω cm LED, laser, PIN Wafer epitaxial

GaN dopado com UID tipo N de 4 polegadas em wafer de safira SSP Resistividade＞0,5 Ω cm LED, laser, PIN Wafer epitaxial

Substrato monocristal de GaN monocristal do tipo SI dopado com face C de 2 polegadas Resistividade > 10⁶ Ω·cm Dispositivos de RF

Substrato monocristal de GaN monocristal do tipo SI dopado com face C de 2 polegadas Resistividade > 10⁶ Ω·cm Dispositivos de RF

Substrato monocristal de GaN monocristal do tipo SI dopado com face C de 2 polegadas Resistividade > 10⁶ Ω·cm Dispositivos de RF

Substratos SI-GaN autônomos de 2 polegadas

Substratos SI-GaN autônomos de 2 polegadas

Substratos SI-GaN autônomos de 2 polegadas

plano de 10*10.5mm2 GaN Single Crystal Substrate C (0001) fora do ângulo para a M-linha central 0,35 ±0.15°

plano de 10*10.5mm2 GaN Single Crystal Substrate C (0001) fora do ângulo para a M-linha central 0,35 ±0.15°

plano de 10*10.5mm2 GaN Single Crystal Substrate C (0001) fora do ângulo para a M-linha central 0,35 ±0.15°

sistema de recozimento térmico rápido de 150mm com três gás do processo dos grupos

sistema de recozimento térmico rápido de 150mm com três gás do processo dos grupos

sistema de recozimento térmico rápido de 150mm com três gás do processo dos grupos

Substituir um lote

Nitreto de gálio de substrato GaN independente dopado de 4 polegadas

Nitreto de gálio de substrato GaN independente dopado de 4 polegadas

Ver detalhes

625um a 675um 4 polegadas LED azul nitruro de gálio GaN Wafer epitaxial em

625um a 675um 4 polegadas LED azul nitruro de gálio GaN Wafer epitaxial em

Ver detalhes

Wafer epitaxial de GaN essencial para a produção de chips de alta tensão e alta

Wafer epitaxial de GaN essencial para a produção de chips de alta tensão e alta

Ver detalhes

Wafer epitaxial de 2 ′′ 6 polegadas tipo N GaN em safira para dispositivo PIN a

Wafer epitaxial de 2 ′′ 6 polegadas tipo N GaN em safira para dispositivo PIN a

Ver detalhes

SI GaN Substrates de 2 polegadas U GaN Substrates 50.8mm

SI GaN Substrates de 2 polegadas U GaN Substrates 50.8mm

Ver detalhes

Encontre produtos semelhantes por categoria:

Página inicial do fornecedor Produtos

MachineU Canal de vídeo Minerais e Metalurgia Metais e produtos metálicos Outros metais e produtos metálicos

Fornecedor de contacto

Mensagem*

E-mail*

Telefone ou WhatsApp*

Nome

Empresa

Exigência de submissão

Por favor, responda-me dentro de 24 horas.

Quero o serviço de contratação de fornecedores!