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625um a 675um 4 polegadas LED azul nitruro de gálio GaN Wafer epitaxial em safira SSP safira plana
625um a 675um 4 polegadas LED azul nitruro de gálio GaN Wafer epitaxial em safira SSP safira plana
Especificações
Número do modelo :
JDWY03-001-031
Local de origem :
porcelana de suzhou
Quantidade mínima de encomenda :
5
Condições de pagamento :
T/T
Capacidade de abastecimento :
10000pcs/mês
Tempo de entrega :
3-4 dias da semana
Detalhes da embalagem :
Embalagem a vácuo em um ambiente de sala limpa classe 10000, em cassetes de 6 peças ou recipientes d
Nome do produto :
azul da GaN-em-safira 4inch/bolacha verde do diodo emissor de luz
Tipo :
Safira lisa
Espessura :
650 ± 25μm
orientação :
Plano de C (0001) fora do ângulo para o ± 0.1° da M-linha central 0,2
polonês :
Único lado lustrado (SSP)/lado dobro lustrado (DSP)
Dimensão :
100 ± 0.2mm
Descrição

Espessura do substrato 650 ± 25 μm 4 polegadas LED azul GaN Wafer epitaxial em safira SSP safira plana

Nitreto de gálio LED azul Wafer epitaxial de GaN em SSP de safira

 

Por exemplo, o nitruro de gálio (GaN) é o substrato que torna possíveis os diodos laser violeta (405 nm), sem o uso de duplicação de frequência óptica não linear.A sua sensibilidade à radiação ionizante é baixa (como outros nitritos do grupo III)A utilização de células solares para satélites também pode beneficiar aplicações militares e espaciais, uma vez que os dispositivos demonstraram estabilidade em ambientes de radiação.

 

4 polegadas GaN-on-Sapphire Blue/Green LED Wafer

 

 

 

Substrato

 Tipo Safira plana

 

625um a 675um 4 polegadas LED azul nitruro de gálio GaN Wafer epitaxial em safira SSP safira plana
Polonês Polido de lado único (SSP) / polido de lado duplo (DSP)
Dimensão 100 ± 0,2 mm
Orientação C plano (0001) fora de ângulo em direcção ao eixo M 0,2 ± 0,1°
Espessura 650 ± 25 μm

 

 

 

Epilação

 Estrutura 0.2μm pGaN/0.5μm MQWs/2.5μm nGaN/2.0μm uGaN
Espessura 5.5 ± 0,5 μm
Roughness (Ra) < 0,5 nm
Densidade de deslocamento < 5 × 108cm-2
Comprimento de onda LED azul LED verde
465 ± 10 nm 525 ± 10 nm
FWHM de comprimento de onda < 25 nm < 40 nm
Desempenho do chip Voltagem de corte@1μA 2.3-2.5 V 2.2-2.4V
Área utilizável > 90% (excluindo defeitos de borda e macro)

 

Pacote

 

Embalado em uma sala limpa num único recipiente de bolachas

 

 

Sobre nós

Somos especializados no processamento de uma variedade de materiais em wafers, substratos e componentes de vidro óptico personalizados amplamente utilizados em eletrônica, óptica, optoeletrônica e muitos outros campos.Também temos trabalhado em estreita colaboração com muitas universidades nacionais e estrangeiras., instituições de investigação e empresas, fornecem produtos e serviços personalizados para os seus projectos de I&D.É a nossa visão para manter uma boa relação de cooperação com todos os nossos clientes pela nossa boa reputação.

 

 

Perguntas frequentes

P: É uma empresa comercial ou fabricante?
Somos uma fábrica.
P: Quanto tempo é o seu prazo de entrega?
Geralmente são 3-5 dias se os produtos estiverem em estoque.
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P: Você fornece amostras? É grátis ou extra?
Sim, poderíamos oferecer a amostra gratuitamente, mas não pagar o custo de frete.
Q: Quais são os seus termos de pagamento?
Pagamento <= 5000USD, 100% adiantado.
Pagamento >= 5000USD, 80% T/T antecipadamente, saldo antes do envio.

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Número do modelo :
JDWY03-001-031
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Quantidade mínima de encomenda :
5
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T/T
Capacidade de abastecimento :
10000pcs/mês
Tempo de entrega :
3-4 dias da semana
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Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

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4 Anos
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Desde 2020
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Fabricante
Produtos principais :
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Número de trabalhadores :
>100
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