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Plano da bolacha de semicondutor 325um do nitreto do gálio 375um C
Plano da bolacha de semicondutor 325um do nitreto do gálio 375um C
Especificações
Number modelo :
JDCD01-001-021
Lugar de origem :
Suzhou China
Termos do pagamento :
T/T
Capacidade da fonte :
10000pcs/Month
Prazo de entrega :
3-4 dias da semana
Detalhes de empacotamento :
Embalagem a vácuo em um ambiente de sala limpa classe 10000, em cassetes de 6 peças ou recipientes d
Nome do produto :
Única carcaça de cristal de GaN
Dimensões :
± 50,8 1 milímetro
Espessura :
350 ±25µm
Orientação :
Plano de C (0001) fora do ângulo para a M-linha central
TTV :
≤ 10µm
Curva :
μm do ≤ 20
Densidade macro do defeito :
² 0cm⁻
Área útil :
> 90% (exclusão da borda)
Descrição

carcaças autônomas do si-GaN de 2-polegada


Uma bolacha epitaxial (igualmente chamou a bolacha, a epi-bolacha, ou o epiwafer do epi) é uma bolacha de material semiconducting feita pelo crescimento epitaxial (epitaxia) para o uso no photonics, na microeletrônica, no spintronics, ou no photovoltaics.

As bolachas finas de Epi são de uso geral para dispositivos do MOS da vanguarda. Epi grosso ou as bolachas epitaxial Multi-mergulhadas são usados para os dispositivos principalmente para controlar a energia elétrica, e está contribuindo a melhorar a eficiência do consumo de energia.

carcaças autônomas do si-GaN de 2-polegada
Nível excelente (s) Nível da produção (a) Nível da pesquisa (b) Nível do manequim (c)

Plano da bolacha de semicondutor 325um do nitreto do gálio 375um C

Nota:

(1) área útil: borda e exclusão macro dos defeitos

(2) 3 pontos: o miscut dobra das posições (2, 4, 5) é 0,35 ± 0,15o
S-1 S-2 A-1 A-2
Dimensão ± 50,8 1 milímetro
Espessura 350 μm do ± 25
Plano da orientação ± 0,5o (de 1-100), ± 16 1 milímetro
Plano secundário da orientação ± 3o (de 11-20), ± 8 1 milímetro
Resistividade (300K) > 1 x 106 Ω·cm para Semi-isolar (Fe-lubrificado; GaN-FS-C-SI-C50)
TTV μm do ≤ 15
CURVA μm do ≤ 20 μm do ≤ 40
Aspereza de superfície da cara de GA

< 0="">

ou < 0="">

Aspereza de superfície da cara de N

0,5 μm ~1,5

opção: 1~3 nanômetro (terra fina); < 0="">

Pacote Empacotado em uma sala de limpeza no único recipiente da bolacha
Área útil > 90% >80% >70%
Densidade de deslocação <9>cm2 x105 <3x10>6 cm2 <9>5 cm2 <3>cm2 x106 <3x10>6 cm2
Orientação: Plano de C (0001) fora do ângulo para a M-linha central

0,35 ± 0,15o

(3 pontos)

0,35 ± 0,15o

(3 pontos)

0,35 ± 0,15o

(3 pontos)
Densidade macro do defeito (furo) 0 cm2 < 0="">-2 < 1="" cm="">-2
Tamanho máximo de defeitos macro < 700=""> < 2000=""> < 4000="">

* padrões nacionais de China (GB/T32282-2015)

Sobre nós

Nós especializamo-nos em processar uma variedade de materiais em bolachas, em carcaças e em parts.components de vidro ótico personalizado amplamente utilizados na eletrônica, no sistema ótico, na eletrônica opto e nos muitos outros campos. Nós temos trabalhado igualmente proximamente com muitos domésticos e as universidades, as instituições de pesquisa e as empresas ultramarinas, fornecem produtos e serviço personalizados para seus projetos do R&D. É nossa visão a manter um bom relacionamento da cooperação com nossos todos os clientes por nossas boas reputações.

FAQ

Q: São você empresa comercial ou o fabricante?
Nós somos fábrica.
Q: Quanto tempo é seu prazo de entrega?
Geralmente é 3-5 dias se os bens estão no estoque.
ou é 7-10 dias se os bens não estão no estoque, ele é de acordo com a quantidade.
Q: Você fornece amostras? são livre ou extra?
Sim, nós poderíamos oferecer a amostra para a carga livre mas não pagamos o custo do frete.
Q: Que é seus termos de pagamento?
Pagamento <> >=5000USD do pagamento, 80% T/T adiantado, equilíbrio antes da expedição.

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Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

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4 Anos
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Tipo de empresa :
Fabricante
Produtos principais :
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Número de trabalhadores :
>100
Nível de certificação :
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