Substrato monocristal de GaN monocristal do tipo SI dopado com face C de 2 polegadas Resistividade > 10⁶ Ω·cm Dispositivos de RF Vídeo da China

May 14, 2025

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Descrição do produto: Substrato monocristal de GaN dopado com Fe do tipo SI de 2 polegadas Resistividade > 106Dispositivos de RF Ω·cm Visão geral Bolachas epitaAprenda mais

Substrato monocristal de GaN monocristal do tipo SI dopado com face C de 2 polegadas Resistividade > 10⁶ Ω·cm Dispositivos de RF

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