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Substrato monocristal de GaN monocristal do tipo SI dopado com face C de 2 polegadas Resistividade > 10⁶ Ω·cm Dispositivos de RF
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Especificações
Number modelo :
JDCD01-001-021
Lugar de origem :
Suzhou China
Prazo de entrega :
3-4 dias da semana
Detalhes de empacotamento :
Embalagem a vácuo em um ambiente de sala limpa classe 10000, em cassetes de 25 peças ou recipientes
Dimensões :
50,8 ± 1mm
Espessura :
350 ± 25μm
Plano da orientação :
± 0.5˚ (de 1-100), 16 ± 1mm
Plano secundário da orientação :
± 3˚ (de 11-20), 8 ± 1mm
TTV :
≤ 15μm
Curva :
≤ 40μm do ≤ 20μm
Descrição

Substrato monocristal de GaN dopado com Fe do tipo SI de 2 polegadas Resistividade > 106Dispositivos de RF Ω·cm

Visão geral

Bolachas epitaxiais de nitreto de gálio (GaN) (epi-wafers).Transistores de alta mobilidade eletrônica GaN (HEMT) wafers em diferentes substratos, como substrato de silício, substrato de safira, substrato de carboneto de silício (SiC).Oferecemos GaN em wafers de SiC para aplicações de RF e energia.

Substratos independentes de U-GaN/SI-GaN de 2 polegadas

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Substrato monocristal de GaN monocristal do tipo SI dopado com face C de 2 polegadas Resistividade > 10⁶ Ω·cm Dispositivos de RF

Observação:

(1) Área utilizável: exclusão de defeitos de borda e macro

(2) 3 pontos: os ângulos incorretos das posições (2, 4, 5) são 0,35 ± 0,15o
S-1 S-2 A-1 A-2
Dimensões 50,8 ± 1 mm
Grossura 350 ± 25 μm
Orientação plana (1-100) ± 0,5o, 16 ± 1 mm
Orientação secundária plana (11-20) ± 3o, 8 ± 1 mm
Resistividade (300K)

< 0,5 Ω·cm para tipo N (não dopado; GaN-FS-CU-C50)

ou > 1 x 106Ω·cm para semi-isolante (dopado com Fe; GaN-FS-C-SI-C50)
TTV ≤ 15 μm
ARCO ≤ 20 μm ≤ 40 μm
Ga rugosidade da superfície facial

< 0,2 nm (polido)

ou < 0,3 nm (polido e tratamento de superfície para epitaxia)
N rugosidade da superfície da face

0,5 ~1,5 μm

opção: 1~3 nm (solo fino);< 0,2 nm (polido)
Pacote Embalado em uma sala limpa em um único recipiente de wafer
Área utilizável > 90% >80% >70%
Densidade de deslocamento <9,9x105cm-2 <3x106cm-2 <9,9x105cm-2 <3x106cm-2 <3x106cm-2
Orientação: plano C (0001) fora do ângulo em direção ao eixo M

0,35 ± 0,15o

(3 pontos)

0,35 ± 0,15o

(3 pontos)

0,35 ± 0,15o

(3 pontos)
Densidade de macro defeito (furo) 0 cm-2 < 0,3 cm-2 < 1 cm-2
Tamanho máximo de defeitos de macro < 700 μm < 2000 μm < 4000 μm

Sobre nós

Nós nos especializamos no processamento de uma variedade de materiais em wafers, substratos e peças personalizadas de vidro óptico. Componentes amplamente utilizados em eletrônica, óptica, optoeletrônica e muitos outros campos.Também trabalhamos em estreita colaboração com muitas universidades nacionais e estrangeiras, instituições de pesquisa e empresas, fornecendo produtos e serviços personalizados para seus projetos de P&D.É nossa visão manter um bom relacionamento de cooperação com todos os nossos clientes por nossa boa reputação.

Perguntas frequentes

Q: você está negociando empresa ou fabricante?
Nós somos fábrica.
Q: Quanto tempo é o seu tempo de entrega?
Geralmente leva de 3 a 5 dias se as mercadorias estiverem em estoque.
ou leva de 7 a 10 dias se as mercadorias não estiverem em estoque, é de acordo com a quantidade.
P: você fornece amostras?é gratuito ou extra?
Sim, podemos oferecer a amostra gratuitamente, mas não pagamos o custo do frete.
Q: Quais são as suas condições de pagamento?
Pagamento <=5000USD, 100% adiantado.
Pagadores >=5000USD, 80% T/T adiantado, saldo antes do envio.

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Number modelo :
JDCD01-001-021
Lugar de origem :
Suzhou China
Prazo de entrega :
3-4 dias da semana
Detalhes de empacotamento :
Embalagem a vácuo em um ambiente de sala limpa classe 10000, em cassetes de 25 peças ou recipientes
Dimensões :
50,8 ± 1mm
Espessura :
350 ± 25μm
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Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

Active Member
4 Anos
shanghai, shanghai
Desde 2020
Tipo de empresa :
Fabricante
Produtos principais :
, ,
Número de trabalhadores :
>100
Nível de certificação :
Active Member
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