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o Fe da cara de 2inch GaN Epitaxial Wafer C lubrificou o tipo posição livre do SI
o Fe da cara de 2inch GaN Epitaxial Wafer C lubrificou o tipo posição livre do SI
Especificações
Number modelo :
JDCD01-001-021
Lugar de origem :
Suzhou China
Termos do pagamento :
T/T
Capacidade da fonte :
10000pcs/Month
Prazo de entrega :
3-4 dias da semana
Detalhes de empacotamento :
Embalagem a vácuo em um ambiente de sala limpa classe 10000, em cassetes de 6 peças ou recipientes d
Dimensões :
± 50,8 1 milímetro
Nome do produto :
GaN Substrates autônomo
Espessura :
350 ±25µm
Orientação :
Plano de C (0001) fora do ângulo para a M-linha central
TTV :
μm do ≤ 15
Curva :
μm do ≤ 20
Densidade macro do defeito :
² 0cm⁻
Descrição

a C-cara 2inch Fe-lubrificou o Si-tipo resistividade de cristal autônoma da carcaça de GaN única > 106 Ω·dispositivos RF do cm

As características do crescimento de camadas epitaxial Fe-lubrificadas de GaN em semi-isolar sic (001) carcaças foram estudadas usando o depósito de vapor químico metalorganic para aplicações altas do dispositivo da tensão de divisão. Uma superfície Fe-lubrificada lisa do epilayer de GaN pode ser realizada mudando o fluxo do ferrocene, quando umas concentrações mais altas do Fe no epilayer de GaN afetarem a morfologia de superfície.

carcaças autônomas do si-GaN de 2-polegada
Nível excelente (s) Nível da produção (a) Nível da pesquisa (b) Nível do manequim (c)

o Fe da cara de 2inch GaN Epitaxial Wafer C lubrificou o tipo posição livre do SI

Nota:

(1) área útil: borda e exclusão macro dos defeitos

(2) 3 pontos: o miscut dobra das posições (2, 4, 5) é 0,35 ± 0,15o
S-1 S-2 A-1 A-2
Dimensão ± 50,8 1 milímetro
Espessura 350 μm do ± 25
Plano da orientação ± 0,5o (de 1-100), ± 16 1 milímetro
Plano secundário da orientação ± 3o (de 11-20), ± 8 1 milímetro
Resistividade (300K) > 1 x 106 Ω·cm para Semi-isolar (Fe-lubrificado; GaN-FS-C-SI-C50)
TTV μm do ≤ 15
CURVA μm do ≤ 20 μm do ≤ 40
Aspereza de superfície da cara de GA

< 0="">

ou < 0="">

Aspereza de superfície da cara de N

0,5 μm ~1,5

opção: 1~3 nanômetro (terra fina); < 0="">

Pacote Empacotado em uma sala de limpeza no único recipiente da bolacha
Área útil > 90% >80% >70%
Densidade de deslocação <9>cm2 x105 <3x10>6 cm2 <9>5 cm2 <3>cm2 x106 <3x10>6 cm2
Orientação: Plano de C (0001) fora do ângulo para a M-linha central

0,35 ± 0,15o

(3 pontos)

0,35 ± 0,15o

(3 pontos)

0,35 ± 0,15o

(3 pontos)
Densidade macro do defeito (furo) 0 cm2 < 0="">-2 < 1="" cm="">-2
Tamanho máximo de defeitos macro < 700=""> < 2000=""> < 4000="">

* padrões nacionais de China (GB/T32282-2015)

Sobre nós

Nós especializamo-nos em processar uma variedade de materiais em bolachas, em carcaças e em parts.components de vidro ótico personalizado amplamente utilizados na eletrônica, no sistema ótico, na eletrônica opto e nos muitos outros campos. Nós temos trabalhado igualmente proximamente com muitos domésticos e as universidades, as instituições de pesquisa e as empresas ultramarinas, fornecem produtos e serviço personalizados para seus projetos do R&D. É nossa visão a manter um bom relacionamento da cooperação com nossos todos os clientes por nossas boas reputações.

FAQ

Q: São você empresa comercial ou o fabricante?
Nós somos fábrica.
Q: Quanto tempo é seu prazo de entrega?
Geralmente é 3-5 dias se os bens estão no estoque.
ou é 7-10 dias se os bens não estão no estoque, ele é de acordo com a quantidade.
Q: Você fornece amostras? são livre ou extra?
Sim, nós poderíamos oferecer a amostra para a carga livre mas não pagamos o custo do frete.
Q: Que é seus termos de pagamento?
Pagamento <> >=5000USD do pagamento, 80% T/T adiantado, equilíbrio antes da expedição.

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Prazo de entrega :
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Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

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4 Anos
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Desde 2020
Tipo de empresa :
Fabricante
Produtos principais :
, ,
Número de trabalhadores :
>100
Nível de certificação :
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