laser MG-lubrificado 4-Inch PIN Epitaxial Wafer do diodo emissor de luz de GaN/Sapphire Substrates SSP Resistivity~10Ω cm Vídeo da China

May 14, 2025

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Descrição do produto: P-tipo GaN MG-lubrificado de 4 polegadas no diodo emissor de luz da bolacha SSP resistivity~10Ω cm da safira, laser, bolacha epitaxial do PIN Aprenda mais

laser MG-lubrificado 4-Inch PIN Epitaxial Wafer do diodo emissor de luz de GaN/Sapphire Substrates SSP Resistivity~10Ω cm

laser MG-lubrificado 4-Inch PIN Epitaxial Wafer do diodo emissor de luz de GaN/Sapphire Substrates SSP Resistivity~10Ω cm

10000pcs/Month

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Substratos SI-GaN autônomos de 2 polegadas

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12.5mm 2inch N autônomo GaN Epi Wafer Si Doped

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GaN dopado com UID tipo N de 4 polegadas em wafer de safira SSP Resistividade＞0,5 Ω cm LED, laser, PIN Wafer epitaxial

GaN dopado com UID tipo N de 4 polegadas em wafer de safira SSP Resistividade＞0,5 Ω cm LED, laser, PIN Wafer epitaxial

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Substrato monocristal de GaN monocristal do tipo SI dopado com face C de 2 polegadas Resistividade > 10⁶ Ω·cm Dispositivos de RF

Substrato monocristal de GaN monocristal do tipo SI dopado com face C de 2 polegadas Resistividade > 10⁶ Ω·cm Dispositivos de RF

Substrato monocristal de GaN monocristal do tipo SI dopado com face C de 2 polegadas Resistividade > 10⁶ Ω·cm Dispositivos de RF

plano de 10*10.5mm2 GaN Single Crystal Substrate C (0001) fora do ângulo para a M-linha central 0,35 ±0.15°

plano de 10*10.5mm2 GaN Single Crystal Substrate C (0001) fora do ângulo para a M-linha central 0,35 ±0.15°

plano de 10*10.5mm2 GaN Single Crystal Substrate C (0001) fora do ângulo para a M-linha central 0,35 ±0.15°

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Nitreto de gálio de substrato GaN independente dopado de 4 polegadas

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