Plano da bolacha de semicondutor 325um do nitreto do gálio 375um C Vídeo da China

Jun 09, 2025

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Descrição do produto: carcaças autônomas do si-GaN de 2-polegada Uma bolacha epitaxial (igualmente chamou a bolacha, a epi-bolacha, ou o epiwafer do epi) é uma bolachAprenda mais

Plano da bolacha de semicondutor 325um do nitreto do gálio 375um C

Plano da bolacha de semicondutor 325um do nitreto do gálio 375um C

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Substratos SI-GaN autônomos de 2 polegadas

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12.5mm 2inch N autônomo GaN Epi Wafer Si Doped

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GaN dopado com UID tipo N de 4 polegadas em wafer de safira SSP Resistividade＞0,5 Ω cm LED, laser, PIN Wafer epitaxial

GaN dopado com UID tipo N de 4 polegadas em wafer de safira SSP Resistividade＞0,5 Ω cm LED, laser, PIN Wafer epitaxial

GaN dopado com UID tipo N de 4 polegadas em wafer de safira SSP Resistividade＞0,5 Ω cm LED, laser, PIN Wafer epitaxial

Substrato monocristal de GaN monocristal do tipo SI dopado com face C de 2 polegadas Resistividade > 10⁶ Ω·cm Dispositivos de RF

Substrato monocristal de GaN monocristal do tipo SI dopado com face C de 2 polegadas Resistividade > 10⁶ Ω·cm Dispositivos de RF

Substrato monocristal de GaN monocristal do tipo SI dopado com face C de 2 polegadas Resistividade > 10⁶ Ω·cm Dispositivos de RF

plano de 10*10.5mm2 GaN Single Crystal Substrate C (0001) fora do ângulo para a M-linha central 0,35 ±0.15°

plano de 10*10.5mm2 GaN Single Crystal Substrate C (0001) fora do ângulo para a M-linha central 0,35 ±0.15°

plano de 10*10.5mm2 GaN Single Crystal Substrate C (0001) fora do ângulo para a M-linha central 0,35 ±0.15°

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Nitreto de gálio de substrato GaN independente dopado de 4 polegadas

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