625um a 675um 4 polegadas LED azul nitruro de gálio GaN Wafer epitaxial em safira SSP safira plana Vídeo da China

Jun 09, 2025

17 opiniões

Descrição do produto: Espessura do substrato 650 ± 25 μm 4 polegadas LED azul GaN Wafer epitaxial em safira SSP safira plana Nitreto de gálio LED azul Wafer epitaxial de GaAprenda mais

625um a 675um 4 polegadas LED azul nitruro de gálio GaN Wafer epitaxial em safira SSP safira plana

625um a 675um 4 polegadas LED azul nitruro de gálio GaN Wafer epitaxial em safira SSP safira plana

JDWY03-001-031

porcelana de suzhou

Contacte agora

Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

Active Member

4 Anos

GaN dopado com UID tipo N de 4 polegadas em wafer de safira SSP Resistividade＞0,5 Ω cm LED, laser, PIN Wafer epitaxial

GaN dopado com UID tipo N de 4 polegadas em wafer de safira SSP Resistividade＞0,5 Ω cm LED, laser, PIN Wafer epitaxial

GaN dopado com UID tipo N de 4 polegadas em wafer de safira SSP Resistividade＞0,5 Ω cm LED, laser, PIN Wafer epitaxial

Wafer epitaxial de 2 ′′ 6 polegadas tipo N GaN em safira para dispositivo PIN a laser LED

Wafer epitaxial de 2 ′′ 6 polegadas tipo N GaN em safira para dispositivo PIN a laser LED

Wafer epitaxial de 2 ′′ 6 polegadas tipo N GaN em safira para dispositivo PIN a laser LED

GaN 2 polegadas Nitreto de gálio Substrato de cristal único

GaN 2 polegadas Nitreto de gálio Substrato de cristal único

GaN 2 polegadas Nitreto de gálio Substrato de cristal único

Sistema de recozimento RTP-SA-8 de processamento térmico rápido de produção

Sistema de recozimento RTP-SA-8 de processamento térmico rápido de produção

Sistema de recozimento RTP-SA-8 de processamento térmico rápido de produção

JDCD07-001-001 Wafer epitaxial SOI de 4 polegadas para processamento de MEMS

JDCD07-001-001 Wafer epitaxial SOI de 4 polegadas para processamento de MEMS

JDCD07-001-001 Wafer epitaxial SOI de 4 polegadas para processamento de MEMS

Substituir um lote

Nitreto de gálio de substrato GaN independente dopado de 4 polegadas

Nitreto de gálio de substrato GaN independente dopado de 4 polegadas

Ver detalhes

GaN 2 polegadas Nitreto de gálio Substrato de cristal único

GaN 2 polegadas Nitreto de gálio Substrato de cristal único

Ver detalhes

Wafer epitaxial de GaN essencial para a produção de chips de alta tensão e alta

Wafer epitaxial de GaN essencial para a produção de chips de alta tensão e alta

Ver detalhes

Wafer epitaxial de 2 ′′ 6 polegadas tipo N GaN em safira para dispositivo PIN a

Wafer epitaxial de 2 ′′ 6 polegadas tipo N GaN em safira para dispositivo PIN a

Ver detalhes

SI GaN Substrates de 2 polegadas U GaN Substrates 50.8mm

SI GaN Substrates de 2 polegadas U GaN Substrates 50.8mm

Ver detalhes

Encontre produtos semelhantes por categoria:

Página inicial do fornecedor Produtos

MachineU Canal de vídeo Minerais e Metalurgia Metais e produtos metálicos Outros metais e produtos metálicos

Fornecedor de contacto

Mensagem*

E-mail*

Telefone ou WhatsApp*

Nome

Empresa

Exigência de submissão

Por favor, responda-me dentro de 24 horas.

Quero o serviço de contratação de fornecedores!