MachineU > Produtos da China > Equipamentos e suprimentos elétricos > Controles Industriais > Driver de frequência variável
Módulo 1200V 80A 306W do transistor de FGH4L40T120LQD IGBT através do furo TO-247-4L
Módulo 1200V 80A 306W do transistor de FGH4L40T120LQD IGBT através do furo TO-247-4L
Especificações
Number modelo :
FGH4L40T120LQD
MOQ :
50pcs
Capacidade da fonte :
1000000 unidades
Tensão - Decomposição do Emissor do Coletor (Máx.) :
1200 V
Corrente - Coletor (Ic) (Máx) :
80A
Atual - coletor pulsado (Icm) :
160 A
Vce (sobre) (máximo) @ Vge, CI :
1.8V @ 15V, 40A
Potência - Máx. :
306 W
Energia de comutação :
1.04mJ (sobre), 1.35mJ (fora)
Descrição

Parada de campo 1200 V da trincheira de FGH4L40T120LQD IGBT 80 A 306 W através do furo TO-247-4L

onsemi FGH4L40T120LQD IGBT

o onsemi FGH4L40T120LQD IGBT é ultra uma construção robusta da trincheira da parada de campo que forneça o desempenho superior em aplicações de comutação de exigência. Este IGBT é incorporado no dispositivo que é um diodo deroda co-empacotado macio e rápido com uma baixa tensão dianteira. O FGH4L40T120LQD IGBT oferece ambo a baixa tensão do em-estado e a perda de comutação mínima. Este IGBT opera-se na temperatura de junção 175°C máxima. O FGH4L40T120LQD IGBT opera-se em 1200V, 40A, e é construído em um pacote de TO247 4L. As aplicações típicas incluem inversores solares e UPS, interruptor industrial, e soldadura.

CARACTERÍSTICAS

  • Trincheira extremamente eficiente com tecnologia da parada de campo
  • temperatura de junção 175°C máxima (TJ)
  • Diodo reverso rápido e macio da recuperação
  • Aperfeiçoado para baixo VCE(Sat)
  • tensão máxima do Coletor-emissor 1200V (VCE)

APLICAÇÕES

  • Inversor solar e UPS
  • Interruptor industrial
  • Soldadura

CONEXÃO DE PIN

Módulo 1200V 80A 306W do transistor de FGH4L40T120LQD IGBT através do furo TO-247-4L

CARACTERÍSTICAS DA CARGA DA PORTA

Módulo 1200V 80A 306W do transistor de FGH4L40T120LQD IGBT através do furo TO-247-4L

PRODUTOS RELACIONADOS

Envie sua mensagem para este fornecedor
Envie agora

Módulo 1200V 80A 306W do transistor de FGH4L40T120LQD IGBT através do furo TO-247-4L

Pergunte o preço mais recente
Detalhes do produto
Number modelo :
FGH4L40T120LQD
MOQ :
50pcs
Capacidade da fonte :
1000000 unidades
Tensão - Decomposição do Emissor do Coletor (Máx.) :
1200 V
Corrente - Coletor (Ic) (Máx) :
80A
Atual - coletor pulsado (Icm) :
160 A
Fornecedor de contacto
Módulo 1200V 80A 306W do transistor de FGH4L40T120LQD IGBT através do furo TO-247-4L

HongKong Wei Ya Hua Electronic Technology Co.,Limited

Verified Supplier
3 Anos
shenzhen
Desde 2020
Tipo de empresa :
Distribuidor/atacadista
Produtos principais :
Circuitos integrados CI, Lógica programável CI, Diodo IC de Zener
Total Anual :
3000000-5000000
Número de trabalhadores :
10~20
Nível de certificação :
Verified Supplier
Descubra produtos similares
Veja mais

Encontre produtos semelhantes por categoria:

Página inicial do fornecedor Produtos Módulo do transistor de IGBT
MachineU Produtos da China Equipamentos e suprimentos elétricos Controles Industriais Driver de frequência variável
Fornecedor de contacto
Exigência de submissão