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Montagem de superfície IXBT14N300HV do módulo 3000V 38A 200W do transistor de TO-268HV IGBT
Montagem de superfície IXBT14N300HV do módulo 3000V 38A 200W do transistor de TO-268HV IGBT
Especificações
Number modelo :
IXBT14N300HV
MOQ :
50pcs
Capacidade da fonte :
1000000 unidades
Tensão - Decomposição do Emissor do Coletor (Máx.) :
3000 V
Corrente - Coletor (Ic) (Máx) :
38A
Atual - coletor pulsado (Icm) :
120A
Vce (sobre) (máximo) @ Vge, CI :
2.7V @ 15V, 14A
Potência - Máx. :
200 W
Tipo de entrada :
Padrão
Descrição

Montagem de superfície TO-268HV de IXBT14N300HV IGBT 3000 V 38 A 200 W (IXBT)

IXYS IXBx14N300HV BiMOSFET™ de condução reverso IGBTs

IXYS IXBx14N300HV BiMOSFET™ de condução reverso IGBTs combinam as forças dos MOSFETs e do IGBTs. Estes dispositivos de alta tensão são ideais para a operação paralela devido ao coeficiente de temperatura positivo da tensão de sua tensão de saturação e da queda de tensão dianteira de seu diodo intrínseco. Os diodos intrínsecos “livres” do corpo do saque de IXBx14N300HV BiMOSFET IGBTs como um diodo da proteção, fornecendo um trajeto alternativo para a carga indutiva atual durante a volta-fora do dispositivo, impedindo que os transeuntes altos da tensão de Ldi/dt imponham dano ao dispositivo.

Usar o IXBx14N300HV BiMOSFET IGBTs, desenhistas do poder pode eliminar a mais baixa tensão série-paralela múltipla, para abaixar os dispositivos avaliados atuais, desse modo reduzindo o número de componentes do poder exigidos e simplificando circuitos associados da movimentação da porta. Esta característica conduz a um projeto de sistema muito mais simples com uma confiança mais barata e melhorada.

Os IXYS IXBx14N300HV BiMOSFET™ IGBTs estão disponíveis em pacotes de TO-263HV (IXBA14N300HV) e de TO-268HV (IXBT14N300HV). Estes dispositivos caracterizam um -55°C à variação da temperatura da junção de +150°C.




CARACTERÍSTICAS

  • Diodo intrínseco “livre” do corpo
  • Salvar o espaço eliminando a mais baixa tensão série-paralela múltipla, abaixam dispositivos avaliados atuais
  • Densidade de poder superior
  • Operação de alta frequência
  • Baixas perdas da condução
  • A porta do MOS gerencie sobre para a simplicidade da movimentação
  • isolamento 4000V elétrico
  • Baixas exigências da movimentação da porta

APLICAÇÕES

  • fontes do Interruptor-modo e da alimentação do ressonante-modo
  • Fontes de alimentação ininterrupta (UPS)
  • Geradores do laser
  • Circuitos da descarga do capacitor
  • Interruptores da C.A.

ESPECIFICAÇÕES

  • tensão do coletor-emissor 3000V (VCES)
  • tensão da coletor-porta 3000V (VCGR)
  • tensão do porta-emissor de ±20V (VGES)
  • corrente de coletor de ±38A em +25°C (IC25)
  • corrente de escapamento de porta de ±100nA (IGES)
  • corrente de coletor de ±14A em +110°C (IC110)
  • tensão de saturação do coletor-emissor 2.7V (VCE (se sentou))
  • 10μs curto-circuito-suportam o tempo (tsc)
  • dissipação de poder do coletor 200W (PC)
  • -55°C à variação da temperatura da junção de +150°C

DESIGNAÇÕES & DIAGRAMA ESQUEMÁTICO DO PIN

Montagem de superfície IXBT14N300HV do módulo 3000V 38A 200W do transistor de TO-268HV IGBT

ESBOÇO DO PACOTE DE TO-263HV

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ESBOÇO DO PACOTE DE TO-268HV

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Detalhes do produto
Number modelo :
IXBT14N300HV
MOQ :
50pcs
Capacidade da fonte :
1000000 unidades
Tensão - Decomposição do Emissor do Coletor (Máx.) :
3000 V
Corrente - Coletor (Ic) (Máx) :
38A
Atual - coletor pulsado (Icm) :
120A
Fornecedor de contacto
Montagem de superfície IXBT14N300HV do módulo 3000V 38A 200W do transistor de TO-268HV IGBT

HongKong Wei Ya Hua Electronic Technology Co.,Limited

Verified Supplier
3 Anos
shenzhen
Desde 2020
Tipo de empresa :
Distribuidor/atacadista
Produtos principais :
Circuitos integrados CI, Lógica programável CI, Diodo IC de Zener
Total Anual :
3000000-5000000
Número de trabalhadores :
10~20
Nível de certificação :
Verified Supplier
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