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IS42S32800J-7BLI IC DRAM 256MBIT PAR 90TFBGA ISSI, Solução Integrada de Silício Inc
IS42S32800J-7BLI IC DRAM 256MBIT PAR 90TFBGA ISSI, Solução Integrada de Silício Inc
Especificações
Número do modelo :
IS42S32800J-7BLI
Quantidade mínima de encomenda :
1
Condições de pagamento :
T/T
Capacidade de abastecimento :
Em existência
Tempo de entrega :
3-5 dias úteis
Detalhes da embalagem :
Saco antiestático e caixa de papelão
Tipo da memória :
Temporário
Formato da memória :
GOLE
Tecnologia :
SDRAM
Tamanho de memória :
256Mbit
Organização da memória :
8M x 32
Relação da memória :
Paralelo
Frequência de pulso de disparo :
143 megahertz
Escreva o tempo de ciclo - palavra, página :
-
Tempo de acesso :
5,4 ns
Voltagem - Fornecimento :
3 V ~ 3,6 V
Temperatura de funcionamento :
-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montagem :
Montagem de superfície
Embalagem / Caixa :
90-TFBGA
Pacote de dispositivos do fornecedor :
90-TFBGA (8x13)
Descrição

Detalhes do produto

OBSERVAÇÃO

A DRAM síncrona ISSIS 64Mb IS42S32200 é organizada em 524.288 bits x 32 bits x 4 bancos para melhor desempenho.Todos os sinais de entrada e saída referem-se à borda ascendente da entrada do relógio.

Descrição geral
A SDRAM de 64 Mb é uma memória CMOS de acesso aleatório dinâmico de alta velocidade concebida para funcionar em sistemas de memória de 3,3 V contendo 67,108Configurado internamente como uma DRAM quad-bank com uma interface síncrona.777O banco de 216 bits é organizado em 2.048 linhas por 256 colunas por 32 bits.

Características

• Frequência do relógio: 166, 143 MHz
• Totalmente sincronizado; todos os sinais referenciados a uma ponta positiva do relógio
• Banco interno para acesso/pré-carregamento em fila de esconderijos
• Fornecimento de energia único de 3,3 V
• Interface LVTTL
• comprimento de rajada programável (1, 2, 4, 8, página completa)
• Sequência de explosão programável: Sequencial/Interleave
• Módulos de auto-realização
• 4096 ciclos de atualização a cada 64 ms
• Endereço de coluna aleatório a cada ciclo de relógio
• Latência CAS programável (2, 3 horas)
• Capacidade de leitura/escritura em tempo real e de leitura/escritura em tempo real
• Terminação da explosão por comando de parada da explosão e pré-carga
• Disponibilidade de temperatura industrial
• Pacote TSOP II de 86 pines de 400 milímetros

Especificações

Atributo Atributo Valor
Fabricante ISSI
Categoria de produtos IC de memória
Série -
Embalagem Embalagens alternativas de bandeja
Embalagem 90-TFBGA
Temperatura de funcionamento -40°C ~ 85°C (TA)
Interface Paralelo
Fornecimento de tensão 3 V ~ 3,6 V
Embalagem do produto do fornecedor 90 TFBGA (8x13)
Capacidade de memória 256M (8M x 32)
Tipo de memória SDRAM
Velocidade 143 MHz
Memória de formato Memória RAM

Descrições

Memória SDRAM IC 256Mb (8M x 32) Paralela 143MHz 5.4ns 90-TFBGA (8x13)
DRAM Chip SDRAM 256Mbit 8Mx32 3.3V 90-Pin TFBGA
DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 143Mhz, 90 bolas BGA (8mmx13mm) RoHS, IT
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IS42S32800J-7BLI IC DRAM 256MBIT PAR 90TFBGA ISSI, Solução Integrada de Silício Inc

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Detalhes do produto
Número do modelo :
IS42S32800J-7BLI
Quantidade mínima de encomenda :
1
Condições de pagamento :
T/T
Capacidade de abastecimento :
Em existência
Tempo de entrega :
3-5 dias úteis
Detalhes da embalagem :
Saco antiestático e caixa de papelão
Fornecedor de contacto
IS42S32800J-7BLI IC DRAM 256MBIT PAR 90TFBGA ISSI, Solução Integrada de Silício Inc

Sanhuang electronics (Hong Kong) Co., Limited

Verified Supplier
3 Anos
shenzhen
Desde 2005
Tipo de empresa :
Distribuidor/Wholesaler, Trading Empresa
Produtos principais :
Circuito integrado IC, Módulo do RF IC, Gestão CI do poder
Total Anual :
1000000-3000000
Número de trabalhadores :
100~150
Nível de certificação :
Verified Supplier
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