Transistor de uso geral IXTH200N10T 200A 100V 5,4 RDS 550W C.C.-C.C. Conversor
Descrição
O único MOSFET morre, avalancha avaliada, baixo Qg do modo do realce do N-canal
Os MOSFETs do poder da porta da trincheira de IXYS Gen1 são seridos idealmente para aplicações atuais altas da baixa tensão,
exigindo um R excessivamente baixoDS (SOBRE), permitindo muito a dissipação de baixa potência. Isto, combinado com
a temperatura de junção de funcionamento ampla, de -40°C a 175°C, faz-lhe candidatos apropriados
para aplicações do automóvel e outras aplicações de exigência similares em ambientes ásperos.


Características
• IXYS avançou o baixo processo de Qg
• Baixa carga e capacidades da porta - mais fáceis conduzir - interruptor mais rápido
• Pacotes de standard internacional
• Baixo RDS (sobre)
• Avaliado para o interruptor unclamped da carga indutiva (UIS) avaliou
• As colas Epoxy moldando encontram a classificação da inflamabilidade V-0 do UL 94
Aplicações
• Conversores de DC-DC
• Carregadores de bateria
• fontes do Comutar-modo e da alimentação do ressonante-modo
• Controlo do motor da C.A. dos interruptores inversores z da C.C.
• Controles da temperatura e da iluminação
Especificações
| Atributo de produto | Valor de atributo |
|---|---|
| Categoria de produto: | MOSFET |
| Si | |
| Através do furo | |
| TO-247-3 | |
| N-canal | |
| 1 canal | |
| 100 V | |
| 200 A | |
| 5,5 mOhms | |
| - 55 C | |
| + 175 C | |
| Realce | |
| HiPerFET | |
| IXTH200N10 | |
| Tubo | |
| Tipo: | IXYS |
| Configuração: | Único |
| Tempo de queda: | 34 ns |
| Altura: | 21,46 milímetros |
| Comprimento: | 16,26 milímetros |
Guia da compra
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Retorno |
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