Especificações
Number modelo :
STGW80H65DFB
Lugar de origem :
original
MOQ :
5 PCS
Termos do pagamento :
T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidade da fonte :
30000 PCes pelo mês
Prazo de entrega :
3-5 dias do trabalho
Detalhes de empacotamento :
600 PCes/caixa
Tipo :
transistor de 650V 80A IGBT
Descrição :
Parada de campo dos transistor 650V 80A 469W de IGBT
Pacote :
TO-247-3
Empacotamento :
Tube&Box
Envio perto :
DHL \ UPS \ Fedex \ cargo do EMS \ HK \ TNT
Prazo de execução :
3-5 dias de trabalho
Descrição

STGW80H65DFB isolou transistor bipolares do transistor 650V 80A 469W IGBT da porta

Aplicações

 

• Inversores fotovoltaicos

• Conversores de alta frequência

Especificações

Atributo de produto Valor de atributo
STMicroelectronics
Categoria de produto: Transistor de IGBT
Si
TO-247-3
Através do furo
Único
650 V
1,6 V
- 20 V, + 20 V
120 A
469 W
- 55 C
+ 175 C
Tubo
Corrente de coletor contínua CI máxima: 80 A
Corrente do escapamento do Porta-emissor: nA 250
Subcategoria: IGBTs
Peso de unidade: 1,340411 onças

Descrição

 

Estes dispositivos são IGBTs desenvolvido usando uma estrutura proprietária avançada do fieldstop da porta da trincheira. Estes dispositivos são parte das séries novas do HB de IGBTs, que representam um acordo o melhor entre a condução e a perda de comutação para maximizar a eficiência de todo o conversor de frequência. Além disso, o coeficiente de temperatura levemente positivo de VCE (se sentou) e o resultado muito apertado da distribuição do parâmetro na operação de paralelização mais segura.

STGW80H65DFB isolou o transistor bipolar 650V 80A 469W do transistor IGBT da porta

Características

                                                                                                              

• Temperatura de junção máxima: TJ = °C 175

• Série de comutação de alta velocidade

• Corrente minimizada da cauda

• Baixa tensão de saturação: VCE (sentado) = 1,6 V (tipo.) @ IC = 80 A

• Distribuição apertada do parâmetro

• Paralelização segura

• Coeficiente de temperatura positivo de VCE (se sentou)

• Baixa resistência térmica

• Diodo antiparalelo da recuperação macia muito rápida

Guia da compra

                                                                             
Transporte Período de entrega

 

Para as peças do em-estoque, as ordens são calculadas para enviar para fora em 3 dias.
Uma vez que enviado, calculado prazo de entrega depende do abaixo   portadores que você escolheu:
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Comércio eletrónico de DHL, 12-22 dias úteis.
Prioridade internacional de Fedex, 3-7 dias úteis
EMS, 10-15 dias úteis.
Correio aéreo registrado, 15-30 dias úteis.

 

Taxas de envio

 

Após ter confirmado a ordem, nós avaliaremos os custos de envio   baseado no peso dos bens

 

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Nós fornecemos DHL, Fedex, EMS, SF expresso, e registrado     Transporte internacional do correio aéreo.

 

Seguimento do transporte

 

Nós notificá-lo-emos que pelo e-mail com número de referência peça uma vez   é enviado.

 

Retorno

garantia

Retorno

 

Os retornos são aceitados normalmente quando terminados dentro de 30   dias da data da expedição. As peças devem ser não utilizadas e dentro   empacotamento original. O cliente tem que tomar a carga para   transporte.

 

Garantia

 

Todas as compras de Retechip vêm com um dinheiro-para trás de 30 dias   a política do retorno, esta garantia não se aplicará a nenhum artigo de onde   os defeitos foram causados pelo conjunto impróprio do cliente,   falha pelo cliente seguir instruções, produto   operação da alteração, a negligente ou a imprópria

 

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MOQ :
5 PCS
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Capacidade da fonte :
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Prazo de entrega :
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Shenzhen Retechip Electronics Co., Ltd

Verified Supplier
3 Anos
guangdong, shenzhen
Desde 2013
Tipo de empresa :
Distribuidor/atacadista
Produtos principais :
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Total Anual :
5000000-1000000
Número de trabalhadores :
100~150
Nível de certificação :
Verified Supplier
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