STGW80H65DFB isolou transistor bipolares do transistor 650V 80A 469W IGBT da porta
Aplicações
• Inversores fotovoltaicos
• Conversores de alta frequência
Especificações
Atributo de produto | Valor de atributo |
---|---|
STMicroelectronics | |
Categoria de produto: | Transistor de IGBT |
Si | |
TO-247-3 | |
Através do furo | |
Único | |
650 V | |
1,6 V | |
- 20 V, + 20 V | |
120 A | |
469 W | |
- 55 C | |
+ 175 C | |
Tubo | |
Corrente de coletor contínua CI máxima: | 80 A |
Corrente do escapamento do Porta-emissor: | nA 250 |
Subcategoria: | IGBTs |
Peso de unidade: | 1,340411 onças |
Descrição
Estes dispositivos são IGBTs desenvolvido usando uma estrutura proprietária avançada do fieldstop da porta da trincheira. Estes dispositivos são parte das séries novas do HB de IGBTs, que representam um acordo o melhor entre a condução e a perda de comutação para maximizar a eficiência de todo o conversor de frequência. Além disso, o coeficiente de temperatura levemente positivo de VCE (se sentou) e o resultado muito apertado da distribuição do parâmetro na operação de paralelização mais segura.
Características
• Temperatura de junção máxima: TJ = °C 175
• Série de comutação de alta velocidade
• Corrente minimizada da cauda
• Baixa tensão de saturação: VCE (sentado) = 1,6 V (tipo.) @ IC = 80 A
• Distribuição apertada do parâmetro
• Paralelização segura
• Coeficiente de temperatura positivo de VCE (se sentou)
• Baixa resistência térmica
• Diodo antiparalelo da recuperação macia muito rápida
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