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C-plano Sapphire Windows For Infrared de Sapphire Wafer Orientation Off do semicondutor
C-plano Sapphire Windows For Infrared de Sapphire Wafer Orientation Off do semicondutor
Especificações
Brand Name :
BonTek
Model Number :
Sapphire (Al2O3)
Certification :
ISO:9001
Place of Origin :
China
Minimum Order Quantity :
5 Pieces
Price :
Negotiable
Payment Terms :
T/T
Supply Ability :
10000 pieces/Month
Delivery Time :
1-4 weeks
Packaging Details :
Cassette, Jar, Film package
Material :
Sapphire Wafer
Growth :
Kyropoulos method
Melting Point :
2040 °C
Thermal Conductivity :
27.21 W/(m x K) at 300 K
Thermal Expansion :
5.6 x 10 -6 /K (parallel C-axis) & 5.0 (perpendicular C-axis) x 10 -6 /K
Hardness :
Knoop 2000 kg/mm 2 with 2000g indenter
Specific Heat Capacity :
419 J/(kg x K)
Dielectric Constant :
11.5 (parallel C-axis) 9.4 (perpendicular C-axis) at 1MHz
Descrição

Semicondutor Sapphire Wafer Customized Orientation fora da safira Windows do C-plano para o infravermelho

 

Sapphire Windows é fabricada da única safira Al2O3 de cristal, fazendo os ideais para aplicações de exigência (tais como sistemas do laser) devido a sua dureza de superfície extrema, a condutibilidade térmica alta, a constante dielétrica alta e a resistência aos ácidos e aos alcaloides químicos comuns. A safira é o segundo cristal o mais duro ao lado dos diamantes e, devido a sua força estrutural, as janelas da safira podem ser feitas muito mais finamente do que outras janelas dielétricas comuns com transmitância melhorado. , e é útil em uma escala de transmissão de 0,2 - 5.5µm.

 

C-plano Sapphire Windows For Infrared de Sapphire Wafer Orientation Off do semicondutorC-plano Sapphire Windows For Infrared de Sapphire Wafer Orientation Off do semicondutorC-plano Sapphire Windows For Infrared de Sapphire Wafer Orientation Off do semicondutor

 

Artigo

C-plano 3-inch (0001) 500μm Sapphire Wafers

Crystal Materials

99.999%, pureza alta, Al2O3 Monocrystalline

Categoria

Principal, Epi-pronto

Orientação de superfície

C-plano (0001)

fora-ângulo do C-plano para a M-linha central 0,2 +/- 0.1°

Diâmetro

76,2 milímetro +/- 0,1 milímetros

Espessura

μm 500 +/- μm 25

Orientação lisa preliminar

Um-plano (11-20) +/- 0.2°

Comprimento liso preliminar

22,0 milímetro +/- 1,0 milímetros

Único lateral lustrado

Front Surface

Epi-lustrado, Ra < 0,2 nanômetros (pelo AFM)

(SSP)

Superfície traseira

Terra fina, Ra = 0,8 μm ao μm 1,2

Lateral dobro lustrado

Front Surface

Epi-lustrado, Ra < 0,2 nanômetros (pelo AFM)

(DSP)

Superfície traseira

Epi-lustrado, Ra < 0,2 nanômetros (pelo AFM)

TTV

< μm 15

CURVA

< μm 15

URDIDURA

< μm 15

Limpeza/que empacota

Limpeza da sala de limpeza da classe 100 e empacotamento de vácuo,

25 partes em uma gaveta que empacota ou único que empacota da parte.

 

Artigo

C-plano 4-inch (0001) 650μm Sapphire Wafers

Crystal Materials

99.999%, pureza alta, Al2O3 Monocrystalline

Categoria

Principal, Epi-pronto

Orientação de superfície

C-plano (0001)

fora-ângulo do C-plano para a M-linha central 0,2 +/- 0.1°

Diâmetro

100,0 milímetro +/- 0,1 milímetros

Espessura

μm 650 +/- μm 25

Orientação lisa preliminar

Um-plano (11-20) +/- 0.2°

Comprimento liso preliminar

30,0 milímetro +/- 1,0 milímetros

Único lateral lustrado

Front Surface

Epi-lustrado, Ra < 0,2 nanômetros (pelo AFM)

(SSP)

Superfície traseira

Terra fina, Ra = 0,8 μm ao μm 1,2

Lateral dobro lustrado

Front Surface

Epi-lustrado, Ra < 0,2 nanômetros (pelo AFM)

(DSP)

Superfície traseira

Epi-lustrado, Ra < 0,2 nanômetros (pelo AFM)

TTV

< μm 20

CURVA

< μm 20

URDIDURA

< μm 20

Limpeza/que empacota

Limpeza da sala de limpeza da classe 100 e empacotamento de vácuo,

25 partes em uma gaveta que empacota ou único que empacota da parte.

 

Artigo

C-plano 6-inch (0001) 1300μm Sapphire Wafers

Crystal Materials

99.999%, pureza alta, Al2O3 Monocrystalline

Categoria

Principal, Epi-pronto

Orientação de superfície

C-plano (0001)

fora-ângulo do C-plano para a M-linha central 0,2 +/- 0.1°

Diâmetro

150,0 milímetro +/- 0,2 milímetros

Espessura

μm 1300 +/- μm 25

Orientação lisa preliminar

Um-plano (11-20) +/- 0.2°

Comprimento liso preliminar

47,0 milímetro +/- 1,0 milímetros

Único lateral lustrado

Front Surface

Epi-lustrado, Ra < 0,2 nanômetros (pelo AFM)

(SSP)

Superfície traseira

Terra fina, Ra = 0,8 μm ao μm 1,2

Lateral dobro lustrado

Front Surface

Epi-lustrado, Ra < 0,2 nanômetros (pelo AFM)

(DSP)

Superfície traseira

Epi-lustrado, Ra < 0,2 nanômetros (pelo AFM)

TTV

< μm 25

CURVA

< μm 25

URDIDURA

< μm 25

Limpeza/que empacota

Limpeza da sala de limpeza da classe 100 e empacotamento de vácuo,

25 partes em uma gaveta que empacota ou único que empacota da parte.

 

C-plano Sapphire Windows For Infrared de Sapphire Wafer Orientation Off do semicondutor

 

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C-plano Sapphire Windows For Infrared de Sapphire Wafer Orientation Off do semicondutor

 

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3. Abra por favor o pacote do vácuo em um quarto desinfetado quando os produtos devem ser aplicada.

 

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Detalhes do produto
Brand Name :
BonTek
Model Number :
Sapphire (Al2O3)
Certification :
ISO:9001
Place of Origin :
China
Minimum Order Quantity :
5 Pieces
Price :
Negotiable
Fornecedor de contacto
C-plano Sapphire Windows For Infrared de Sapphire Wafer Orientation Off do semicondutor

Hangzhou Freqcontrol Electronic Technology Ltd.

Verified Supplier
4 Anos
shanghai, hangzhou
Desde 1999
Tipo de empresa :
Manufacturer, Trading Empresa
Produtos principais :
, ,
Total Anual :
800M-1500M
Número de trabalhadores :
10~99
Nível de certificação :
Verified Supplier
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