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NXH100B120H3Q0PG
NXH100B120H3Q0PG
Especificações
Categoria :
Produtos de semicondutores discretos Transistores IGBTs Módulos IGBT
Corrente - colector (Ic) (máximo) :
61 A
Estatuto do produto :
Atividade
Tipo de montagem :
Montura do chassi
Pacote :
Caixa
Série :
-
Embalagem / Caixa :
Modulo
Vce ((on) (Max) @ Vge, Ic :
2.3V @ 15V, 50A
Voltagem - Desagregação do emissor do colector (máximo) :
1200 V
Pacote de dispositivos do fornecedor :
22-PIM (55x32,5)
Mfr :
ONSEMI
Temperatura de funcionamento :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Corrente - limite do colector (máximo) :
200 µA
Tipo IGBT :
Paragem de campo de trincheiras
Potência - Máximo :
186 W
Input :
Padrão
Capacidade de entrada (Cies) @ Vce :
9.075 nF @ 20 V
Configuração :
2 Independente
Termistor NTC :
- Não.
Descrição :
PIM 60-80KW Q0BOOST-L57 1200V, 1
Descrição
Módulo IGBT Paragem de campo de trincheira 2 Independente 1200 V 61 A 186 W Chassis Mount 22-PIM (55x32.5)
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NXH100B120H3Q0PG

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Detalhes do produto
Categoria :
Produtos de semicondutores discretos Transistores IGBTs Módulos IGBT
Corrente - colector (Ic) (máximo) :
61 A
Estatuto do produto :
Atividade
Tipo de montagem :
Montura do chassi
Pacote :
Caixa
Série :
-
Fornecedor de contacto
NXH100B120H3Q0PG

Kailiyuan Electronic Technology (shenzhen) Co., Ltd.

Active Member
2 Anos
hongkong
Desde 2016
Produtos principais :
, ,
Total Anual :
1 Million-2.5 Million
Número de trabalhadores :
20~50
Nível de certificação :
Active Member
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