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MIP75R12E2ATN-BP
MIP75R12E2ATN-BP
Especificações
Categoria :
Produtos de semicondutores discretos Transistores IGBTs Módulos IGBT
Corrente - colector (Ic) (máximo) :
75 A
Estatuto do produto :
Atividade
Tipo de montagem :
Montura do chassi
Pacote :
Em granel
Série :
-
Embalagem / Caixa :
Modulo
Vce ((on) (Max) @ Vge, Ic :
2.15V @ 15V, 75A
Voltagem - Desagregação do emissor do colector (máximo) :
1200 V
Pacote de dispositivos do fornecedor :
E2A
Mfr :
Micro Comercial
Temperatura de funcionamento :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Corrente - limite do colector (máximo) :
1 mA
Tipo IGBT :
-
Potência - Máximo :
476 W
Input :
retificador de ponte trifásico
Capacidade de entrada (Cies) @ Vce :
4.2 nF @ 25 V
Configuração :
Inversor de três fases
Termistor NTC :
- Sim, sim.
Número do produto de base :
MIP75
Descrição :
Módulos IGBT 1200V 75A, E2A
Descrição
Módulo IGBT Inverter de três fases 1200 V 75 A 476 W Montador do chassi E2A
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MIP75R12E2ATN-BP

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Detalhes do produto
Categoria :
Produtos de semicondutores discretos Transistores IGBTs Módulos IGBT
Corrente - colector (Ic) (máximo) :
75 A
Estatuto do produto :
Atividade
Tipo de montagem :
Montura do chassi
Pacote :
Em granel
Série :
-
Fornecedor de contacto
MIP75R12E2ATN-BP

Kailiyuan Electronic Technology (shenzhen) Co., Ltd.

Active Member
2 Anos
hongkong
Desde 2016
Produtos principais :
, ,
Total Anual :
1 Million-2.5 Million
Número de trabalhadores :
20~50
Nível de certificação :
Active Member
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Fornecedor de contacto
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