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Carcaça de lustro sic Chip Semiconductor 8inch 200mm do lingote do carboneto de silicone
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Especificações
Number modelo :
8inch sic bolachas 4h-n
Lugar de origem :
China
MOQ :
1pcs
Termos do pagamento :
T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidade da fonte :
1-50pcs/month
Prazo de entrega :
4-6weeks
Detalhes de empacotamento :
único pacote da bolacha no quarto desinfetado de 100 categorias
Material :
monocristal SiC
Categoria :
Categoria do manequim
Thicnkss :
0.35mm 0.5mm
Suraface :
lado dobro lustrado
Aplicação :
teste de lustro do fabricante do dispositivo
Diâmetro :
200±0.5mm
MOQ :
1
Data de entrega :
1-5 a parte precisa de uma semana mais quantidade precisa 30 dias
Descrição

Bolachas de lustro lustradas das bolachas 200mm do carboneto de silicone sic Wafer4H-N do fabricante da bolacha da bolacha da bolacha de silicone de CorrosionSingle do carboneto sic da carcaça/silicone das bolachas (150mm, 200mm) único lado de cristal excelente cerâmico sic SIC ingots/200mm sic sic

 

Sobre o cristal do carboneto de silicone (sic)

 

 

O carboneto de silicone (sic), igualmente conhecido como o carborundum, é um semicondutor que contém o silicone e o carbono com fórmula química sic. É usado sic nos dispositivos da eletrônica do semicondutor que se operam em altas temperaturas ou em altas tensões, ou both.SiC é igualmente um dos componentes importantes do diodo emissor de luz, é uma carcaça popular para crescer dispositivos de GaN, e igualmente serve como um propagador do calor no diodo emissor de luz de alta potência.

 
Propriedade 4H-SiC, único cristal 6H-SiC, único cristal
Parâmetros da estrutura a=3.076 Å c=10.053 Å a=3.073 Å c=15.117 Å
Empilhando a sequência ABCB ABCACB
Dureza de Mohs ≈9.2 ≈9.2
Densidade 3,21 g/cm3 3,21 g/cm3
Therm. Coeficiente da expansão 4-5×10-6/K 4-5×10-6/K
Índice @750nm da refração

nenhuns = 2,61

ne = 2,66

nenhuns = 2,60

ne = 2,65
Constante dielétrica c~9.66 c~9.66
Condutibilidade térmica (N-tipo, 0,02 ohm.cm)

a~4.2 W/cm·K@298K

c~3.7 W/cm·K@298K

  
Condutibilidade térmica (Semi-isolar)

a~4.9 W/cm·K@298K

c~3.9 W/cm·K@298K

a~4.6 W/cm·K@298K

c~3.2 W/cm·K@298K
Faixa-Gap eV 3,23 eV 3,02
Campo elétrico da divisão 3-5×106V/cm 3-5×106V/cm
Velocidade de tração da saturação 2.0×105m/s 2.0×105m/s

 

As dificuldades atuais na preparação dos cristais 4H-SiC de 200mm envolvem principalmente.
1) A preparação dos cristais de semente 4H-SiC de alta qualidade de 200mm;
2) Grande não uniformidade e nucleação do campo da temperatura do tamanho controles de processos;
3) A eficiência do transporte e a evolução de componentes gasosos em grandes sistemas do crescimento de cristal do tamanho;
4) Proliferação de cristal do rachamento e do defeito causada pelo grande aumento do esforço térmico do tamanho.

Para superar estes desafios e obter sic as bolachas de alta qualidade de 200mm, as soluções são propostas:
Em termos da preparação do cristal de semente de 200mm, do campo apropriado da temperatura, do campo de fluxo, e do assemblwere de expansão estudado e projetado tomar em consideração a qualidade de cristal e o tamanho de expansão; Começando com um cristal de 150mm SiCseed, realize a iteração do cristal de semente para expandir gradualmente o tamanho sic de cristal até que alcance 200mm; O crescimento de cristal múltiplo de Throuch e o processamento, aperfeiçoam gradualmente a qualidade de cristal no expandingarea de cristal, e melhoram a qualidade de cristais de semente de 200mm.
termos de n da preparação condutora crvstal de 200mm e da carcaça. a pesquisa aperfeiçoou o projeto do campo de fluxo do fieland da temperatura para o crescimento de cristal do grande tamanho, conduz o crescimento sic de cristal condutor de 200mm, e a uniformidade controldoping. Após o processamento e dar forma ásperos do cristal, umas 8 polegadas 4H-SiCingot condutor com um diâmetro padrão foram obtidas eletricamente. Após o corte, moendo, lustro, processando para obter sic 200mmwafers com uma espessura de 525um ou assim.
 
 

Carcaça de lustro sic Chip Semiconductor 8inch 200mm do lingote do carboneto de siliconeCarcaça de lustro sic Chip Semiconductor 8inch 200mm do lingote do carboneto de silicone

 

Sobre ZMKJ Empresa

 

ZMKJ pode fornece a bolacha de alta qualidade do único cristal sic (carboneto de silicone) à indústria eletrônica e optoelectronic. Sic a bolacha é um material do semicondutor da próxima geração, com propriedades elétricas originais e as propriedades térmicas excelentes, comparadas à bolacha de silicone e à bolacha do GaAs, sic bolacha são mais apropriadas para a aplicação do dispositivo da alta temperatura e de poder superior. Sic a bolacha pode ser fornecida na polegada do diâmetro 2-6, 4H e 6H sic, N-tipo, nitrogênio lubrificado, e tipo deisolamento disponível. Contacte-nos por favor para mais informações sobre o produto.

 

FAQ:

Q: Que é a maneira de transporte e de custo?

: (1) nós aceitamos DHL, Fedex, EMS etc.

(2) é muito bem se você tem sua própria conta expressa, se não, nós poderíamos o ajudar aos enviar e

O frete é de acordo com o pagamento real.

 

Q: Como pagar?

: Depósito de T/T 100% antes da entrega.

 

Q: Que é seu MOQ?

: (1) para o inventário, o MOQ é 1pcs. se 2-5pcs ele é melhor.

(2) para produtos comuns personalizados, o MOQ é 10pcs acima.

 

Q: Que é o prazo de entrega?

: (1) para os produtos padrão

Para o inventário: a entrega é 5 dias úteis depois que você coloca a ordem.

Para produtos personalizados: a entrega é 2 -4 semanas após você contato da ordem.

 

Q: Você tem produtos padrão?

: Nossos produtos padrão no estoque. como as carcaças como 4inch 0.35mm.

 

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8inch sic bolachas 4h-n
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China
MOQ :
1pcs
Termos do pagamento :
T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidade da fonte :
1-50pcs/month
Prazo de entrega :
4-6weeks
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SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD

Verified Supplier
7 Anos
shanghai, shanghai
Desde 2013
Tipo de empresa :
Manufacturer, Agent, Importer, Exporter, Trading Company
Produtos principais :
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Total Anual :
1000000-1500000
Nível de certificação :
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