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Quadrado SiC Windows Substrato de carburo de silício 1x1x0.5mmt Lente SiC
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Especificações
Number modelo :
1x1x0.5mmt
Lugar de origem :
CHINA
MOQ :
500PCS
Termos do pagamento :
T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidade da fonte :
1-50000000pcs/month
Prazo de entrega :
3 semanas
Detalhes de empacotamento :
único pacote da bolacha no quarto desinfetado de 100 categorias
Material :
Tipo 4H-N de cristal sic único
Categoria :
Categoria zero, da pesquisa, e do Dunmy
Thicnkss :
0,1 0,2 0,3 0,35 0,43 0,5
Aplicação :
Veículos novos da energia
Diâmetro :
2-8inch ou 1x1x0.5mmt, 1x1x0.3mmt:
cor :
Chá ou transpraent verde
Descrição

Wafer de carburo de silício óptico 1/2/3 polegada SIC Wafer para venda Sic Plate Silicon Wafer Flat Orientation Empresas para venda 4 polegadas 6 polegadas semente sic wafer 1.0 mm Espessura 4h-N SIC Wafer de Carbono de Silício Para crescimento de sementes 6H-N/6H-Semi 4H HPSI 5*10mmt 10x10mmt 5*5mm polido chips de substrato de Carbono de Silício sic Wafer

Sobre o cristal de carburo de silício (SiC)

O carburo de silício (SiC), ou carborundo, é um semicondutor que contém silício e carbono com a fórmula química SiC.alta tensãoO SiC é também um dos componentes importantes do LED, é um substrato popular para o crescimento de dispositivos GaN e também serve como um dispersor de calor em LEDs de alta potência.

1Descrição.
Imóveis
4H-SiC, cristal único
6H-SiC, cristal único
Parâmetros da malha
a=3,076 Å c=10,053 Å
a=3,073 Å c=15,117 Å
Sequência de empilhamento
ABCB
ABCACB
Dureza de Mohs
≈9.2
≈9.2
Densidade
30,21 g/cm3
30,21 g/cm3
Coeficiente de expansão térmica
5 × 10 × 6/K
5 × 10 × 6/K
Índice de refração @750nm
não = 2.61
ne = 2.66
não = 2.60
ne = 2.65
Constante dielétrica
c~9.66
c~9.66
Conductividade térmica (tipo N, 0,02 ohm.cm)
a~ 4,2 W/cm·K@298K
c~3,7 W/cm·K@298K
Condutividade térmica (semisulante)
a~4,9 W/cm·K@298K
c~3,9 W/cm·K@298K
a~4,6 W/cm·K@298K
c~3,2 W/cm·K@298K
Fenda de banda
3.23 eV
30,02 eV
Campo elétrico de ruptura
3 a 5 × 106 V/cm
3 a 5 × 106 V/cm
Velocidade da deriva de saturação
2.0×105m/s
2.0×105m/s

Carbono de silício (SiC) de alta pureza de 4 polegadas de diâmetro Especificação do substrato

2 polegadas de diâmetro de carburo de silício (SiC) Especificação do substrato
Grau Grau zero de MPD Grau de produção Grau de investigação Grau de simulação
Diâmetro 500,8 mm±0,2 mm
Espessura 330 μm±25 μm ou 430±25 μm
Orientação da wafer Fora do eixo: 4,0° para < 1120> ± 0,5° para 4H-N/4H-SI No eixo: < 0001> ± 0,5° para 6H-N/6H-SI/4H-N/4H-SI
Densidade dos microtubos ≤ 0 cm-2 ≤ 5 cm-2 ≤ 15 cm-2 ≤ 100 cm-2
Resistividade 4H-N 0.015~0.028 Ω•cm
6H-N 00,02 a 0,1 Ω•cm
4/6H-SI ≥1E5 Ω·cm
Flat primário {10-10} ± 5,0°
Duração plana primária 18.5 mm±2.0 mm
Duração plana secundária 100,0 mm±2,0 mm
Orientação plana secundária Silício virado para cima: 90° CW. a partir de Prime flat ±5,0°
Exclusão da borda 1 mm
TTV/Bow/Warp ≤ 10 μm /≤ 10 μm /≤ 15 μm
Resistência à corrosão Ra≤1 nm polaco
CMP Ra≤0,5 nm
Fragmentação por luz de alta intensidade Nenhum 1 permitido, ≤ 2 mm Comprimento acumulado ≤ 10 mm, comprimento único ≤ 2 mm
Placas hexadecimais por luz de alta intensidade Área acumulada ≤ 1% Área acumulada ≤ 1% Área acumulada ≤ 3%
Áreas de politipo por luz de alta intensidade Nenhum Área acumulada ≤ 2% Área acumulada ≤ 5%
Riscos causados por luz de alta intensidade 3 arranhões para 1 × comprimento acumulado do diâmetro da wafer 5 arranhões para 1 × comprimento acumulado do diâmetro da wafer 5 arranhões para 1 × comprimento acumulado do diâmetro da wafer
chip de borda Nenhum 3 permitidos, ≤ 0,5 mm cada 5 permitidos, ≤ 1 mm cada

Quadrado SiC Windows Substrato de carburo de silício 1x1x0.5mmt Lente SiCQuadrado SiC Windows Substrato de carburo de silício 1x1x0.5mmt Lente SiCQuadrado SiC Windows Substrato de carburo de silício 1x1x0.5mmt Lente SiCQuadrado SiC Windows Substrato de carburo de silício 1x1x0.5mmt Lente SiC

Aplicações de SiC

Os cristais de carburo de silício (SiC) têm propriedades físicas e eletrônicas únicas.Aplicações resistentes à radiaçãoOs dispositivos eletrônicos de alta potência e alta frequência feitos com SiC são superiores aos dispositivos baseados em Si e GaAs. Abaixo estão algumas aplicações populares de substratos de SiC.

Outros produtos

Wafer de 8 polegadas de SiC, de 2 polegadas.

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Embalagens  Logística
Nós nos preocupamos com cada detalhe da embalagem, limpeza, tratamento antiestático e choque.

De acordo com a quantidade e a forma do produto, vamos tomar um processo de embalagem diferente! Quase por cassetes de wafer único ou 25pcs cassetes na sala de limpeza de 100 graus.

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1x1x0.5mmt
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MOQ :
500PCS
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1-50000000pcs/month
Prazo de entrega :
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7 Anos
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Desde 2013
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1000000-1500000
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