Resumo

O 4-HSemi-isolação SiCO substrato é um material semicondutor de alto desempenho com uma ampla gama de aplicações.Este substrato apresenta características elétricas excepcionais, incluindo alta resistividade e baixa concentração de portador, tornando-se uma escolha ideal para dispositivos eletrônicos de radiofrequência (RF), microondas e potência.

Principais características do 4-HSemi-isolador de SiCO substrato possui propriedades elétricas altamente uniformes, baixa concentração de impurezas e excelente estabilidade térmica.Estes atributos tornam-no adequado para a fabricação de dispositivos de potência de RF de alta frequência, sensores eletrónicos de alta temperatura e equipamento eletrónico de microondas.Sua alta resistência ao campo de ruptura e excelente condutividade térmica também o posicionam como o substrato preferido para dispositivos de alta potência.

Além disso, o 4-HSemi-isolação SiCO substrato demonstra uma excelente estabilidade química, o que lhe permite operar em ambientes corrosivos e ampliar a sua gama de aplicações.Desempenha um papel fundamental em indústrias como a fabricação de semicondutores, telecomunicações, defesa e experimentos de física de alta energia.

Em resumo, o 4-HSemi-isolador de SiCum substrato, com as suas excelentes propriedades eléctricas e térmicas,é muito promissor no domínio dos semicondutores e constitui uma base fiável para a produção de dispositivos eletrónicos de alto desempenho.

Propriedades

Propriedades elétricas:

1. Alta resistência:4H Semi-isolação SiCTem uma resistência muito elevada, tornando-o um excelente material para aplicações de semi-isolação onde se deseja uma baixa condutividade elétrica.
2. Alta tensão de ruptura: devido à sua larga distância,4H Semi-isolação SiCTem uma tensão de ruptura elevada, tornando-a adequada para aplicações de alta potência e alta tensão.

Propriedades térmicas:

1. Alta condutividade térmica:SiCem geral tem uma elevada condutividade térmica, e esta propriedade se estende a 4-H Semi-IsoladorSiCAlém disso, ajuda na dissipação eficiente do calor.
2. Estabilidade térmica: Este material mantém suas propriedades e desempenho mesmo em altas temperaturas, tornando-o adequado para uso em ambientes térmicos adversos.

Propriedades mecânicas e físicas:

1. Dureza: Tal como outras formas deSiC, o4-H Semi-IsoladorA variante também é muito dura e resistente à abrasão.
2. Inertitude química: É quimicamente inerte e resistente à maioria dos ácidos e álcalis, garantindo estabilidade e longevidade em ambientes químicos adversos.

Propriedades ópticas:

1. Transparência em infravermelho:4H SiC semi-isolanteÉ transparente à luz infravermelha, o que pode ser benéfico em determinadas aplicações ópticas.

Vantagens para aplicações específicas:

1. Eletrônica: ideal para dispositivos de alta frequência e alta potência devido à sua alta tensão de ruptura e condutividade térmica.
2. Optoelectronics: Adequado para dispositivos optoelectronic que operam na região infravermelha.
3. Dispositivos de energia: Usados na fabricação de dispositivos de energia, como diodos Schottky, MOSFETs e IGBTs.

4H SiC semi-isolanteÉ um material versátil que é utilizado em várias aplicações de alto desempenho devido às suas excepcionais propriedades elétricas, térmicas e físicas.

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