Especificações
Number modelo :
4inch aumenta sic
Lugar de origem :
CHINA
MOQ :
3pcs
Termos do pagamento :
T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidade da fonte :
1-50pcs/month
Prazo de entrega :
2-5weeks
Detalhes de empacotamento :
único pacote da bolacha no quarto desinfetado de 100 categorias
Material :
monocristal SiC
Dureza :
9.4
Forma :
Personalizado
Tolerância :
±0.1mm
Aplicação :
bolacha da semente, refletor
Tipo :
4h-n
Diâmetro :
4inch 6inch 8inch
Espessura :
aprovação de 5-15mm
resistividade :
0.015~0.028ohm.cm
Cor :
cor Chá-verde
Descrição

As bolachas de alta qualidade do carboneto de silicone das bolachas do Silicone-em-isolador SIC personalizaram o metal que de alta qualidade do espelho sic esférico da elevada precisão Dia.700mm o refletor ótico personalizou Dia.500mm de alta qualidade prata-chapeou bolachas óticas dos lingotes do refletor 2inch/3inch/4inch/6inch/8inch 6H-N/4H-SEMI/4H-N SIC do metal esférico do refletor/das carcaças do único cristal de carboneto de silicone do diâmetro 150mm pureza alta 4H-N 4inch 6inch (sic),

 

Descrição de produtos
  

2 / a bolacha 4H-N do carboneto de silicone 3/4/6inch/datilografa semi sic os lingotes industriais

Nome do produto
Espelho plano do metal
Material
Silicone Monocrystalline
Diâmetro
500mm
Qualidade de superfície
60-40
Precisão de superfície

Picovolt: 1/4 de Lambda;

RMS: Lambda 1/30
Revestimento

Reflectivity>90%

Filme de revestimento: @200-1100nm
Aplicação
Sistema refletindo
 
Descrição da bolacha de SIC
 
Propriedade 4H-SiC, único cristal 6H-SiC, único cristal
Parâmetros da estrutura a=3.076 Å c=10.053 Å a=3.073 Å c=15.117 Å
Empilhando a sequência ABCB ABCACB
Dureza de Mohs ≈9.2 ≈9.2
Densidade 3,21 g/cm3 3,21 g/cm3
Therm. Coeficiente da expansão 4-5×10-6/K 4-5×10-6/K
Índice @750nm da refração

nenhuns = 2,61

ne = 2,66

nenhuns = 2,60

ne = 2,65

Constante dielétrica c~9.66 c~9.66
Condutibilidade térmica (N-tipo, 0,02 ohm.cm)

a~4.2 W/cm·K@298K

c~3.7 W/cm·K@298K

 
Condutibilidade térmica (Semi-isolar)

a~4.9 W/cm·K@298K

c~3.9 W/cm·K@298K

a~4.6 W/cm·K@298K

c~3.2 W/cm·K@298K

Faixa-Gap eV 3,23 eV 3,02
Campo elétrico da divisão 3-5×106V/cm 3-5×106V/cm
Velocidade de tração da saturação 2.0×105m/s 2.0×105m/s

 

Tamanho comum do catálogo
 

 

4 H-N Type/bolacha/lingotes pureza alta sic
2 N-tipo sic bolacha/lingotes da polegada 4H
3 N-tipo sic bolacha da polegada 4H
4 N-tipo sic bolacha/lingotes da polegada 4H
6 N-tipo sic bolacha/lingotes da polegada 4H

 

4H queisola/bolacha pureza alta sic

2 polegadas 4H queisolam sic a bolacha
3 polegadas 4H queisolam sic a bolacha
4 polegadas 4H queisolam sic a bolacha
6 polegadas 4H queisolam sic a bolacha
 
 
6H N-tipo sic bolacha
2 N-tipo sic bolacha/lingote da polegada 6H
 
Tamanho de Customzied para 2-6inch
 

 

O carboneto de silicone (sic), igualmente conhecido como o carborundum, é um semicondutor que contém o silicone e o carbono com fórmula química sic. É usado sic nos dispositivos da eletrônica do semicondutor que se operam em altas temperaturas ou em altas tensões, ou both.SiC é igualmente um do
componentes importantes do diodo emissor de luz, é uma carcaça popular para crescer dispositivos de GaN, e igualmente serve como um propagador do calor em de alta potência
Diodo emissor de luz.

 

 

Propriedades unidade Silicone Sic GaN
Largura de Bandgap eV 1,12 3,26 3,41
Campo da divisão MV/cm 0,23 2,2 3,3
Mobilidade de elétron cm^2/Vs 1400 950 1500
Valocity da tração 10^7 cm/s 1 2,7 2,5
Condutibilidade térmica W/cmK 1,5 3,8 1,3

 

 

 

Aproximadamente sic detalhe do lingote do cristal de semente
2 / a bolacha 4H-N do carboneto de silicone 3/4/6inch/datilografa semi sic os lingotes industriais2 / a bolacha 4H-N do carboneto de silicone 3/4/6inch/datilografa semi sic os lingotes industriais2 / a bolacha 4H-N do carboneto de silicone 3/4/6inch/datilografa semi sic os lingotes industriais2 / a bolacha 4H-N do carboneto de silicone 3/4/6inch/datilografa semi sic os lingotes industriais

Sobre ZMKJ Empresa

 

ZMKJ pode fornece a bolacha de alta qualidade do único cristal sic (carboneto de silicone) à indústria eletrônica e optoelectronic. Sic a bolacha é um material do semicondutor da próxima geração, com propriedades elétricas originais e as propriedades térmicas excelentes, comparadas à bolacha de silicone e à bolacha do GaAs, sic bolacha são mais apropriadas para a aplicação do dispositivo da alta temperatura e de poder superior. Sic a bolacha pode ser fornecida na polegada do diâmetro 2-6, 4H e 6H sic, N-tipo, nitrogênio lubrificado, e tipo deisolamento disponível. Contacte-nos por favor para mais informações sobre o produto.

 

FAQ:

Q: Que é a maneira de transporte e de custo?

: (1) nós aceitamos DHL, Fedex, EMS etc.

(2) é muito bem se você tem sua própria conta expressa, se não, nós poderíamos o ajudar aos enviar e

O frete é de acordo com o pagamento real.

 

Q: Como pagar?

: Depósito de T/T 100% antes da entrega.

 

Q: Que é seu MOQ?

: (1) para o inventário, o MOQ é 1pcs. se 2-5pcs ele é melhor.

(2) para produtos comuns personalizados, o MOQ é 10pcs acima.

 

Q: Que é o prazo de entrega?

: (1) para os produtos padrão

Para o inventário: a entrega é 5 dias úteis depois que você coloca a ordem.

Para produtos personalizados: a entrega é 2 -4 semanas após você contato da ordem.

 

Q: Você tem produtos padrão?

: Nossos produtos padrão no estoque. como as carcaças como 4inch 0.35mm.

 

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Prazo de entrega :
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shanghai, shanghai
Desde 2013
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