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6H-N Semi-isolação SiC Substarte / Wafer Para MOSFETs、JFETs BJTs Alta Resistividade Larga Bandgap
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Especificações
Número do modelo :
4H Substrato/wafer de SiC semi-isolante
Local de origem :
China
Quantidade mínima de encomenda :
1
Condições de pagamento :
T/T
Tempo de entrega :
2 a 4 semanas
Grau :
Grau de Produção Grau de Pesquisa Grau Dummy Grau
Diâmetro :
100.0 mm +/- 0,5 mm
Espessura :
500 um +/- 25 um (tipo semi-isolante), 350 um +/- 25 um (tipo N)
Orientação da bolacha :
No eixo: <0001> +/- 0,5 deg para 4H-SI Fora do eixo: 4,0 deg para <11-20> +/- 0,5 deg para 4H-N
Resistividade elétrica (Ohm-cm) :
4H-N 0,015 ~ 0,028 4H-SI> 1E5
Concentração de doping :
Tipo N: ~ 1E18/cm3 Tipo SI (dopado em V): ~ 5E18/cm3
Flat primário :
32.5 mm +/- 2,0 mm
Comprimento liso secundário :
18.0 mm +/- 2,0 mm
Orientação lisa secundária :
Silício virado para cima: 90 graus CW do plano primário +/- 5,0 graus
Descrição

6H-N Substrato/wafer de SiC semi-isolante para MOSFETs, JFETs, BJTs, banda larga de alta resistividade

Resumo do substrato/wafer de SiC semisolador

Os substratos/wafers de carburo de silício (SiC) semi-isolantes surgiram como materiais cruciais no domínio dos dispositivos eletrónicos avançados.Alta condutividade térmicaEste resumo fornece uma visão geral das propriedades e aplicações dos substratos/wafers de SiC semi-isolantes.Discuta o seu comportamento semi-isolador, que inibe a livre circulação de elétrons, melhorando assim o desempenho e a estabilidade dos dispositivos electrónicos.A banda larga de SiC permite altas velocidades de deriva de elétrons e saturaçãoAlém disso, a excelente condutividade térmica do SiC assegura uma dissipação de calor eficiente,que o tornam adequado para utilização em ambientes operativos adversosA estabilidade química e a dureza mecânica do SiC aumentam ainda mais a sua fiabilidade e durabilidade em várias aplicações.Substratos/wafers de SiC semi-isolantes oferecem uma solução convincente para o desenvolvimento de dispositivos eletrónicos de próxima geração com desempenho e fiabilidade melhorados.

Semi-isolação do substrato/wafer de SiC

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Diagrama de dados do substrato/wafer de SiC semi-isolante (parcialmente)

Os principais parâmetros de desempenho
Nome do produto
Substrato de carburo de silício, wafer de carburo de silício, wafer de SiC, substrato de SiC
Método de crescimento
MOCVD
Estrutura cristalina
6H, 4H
Parâmetros da malha
6H ((a=3,073 Å c=15,117 Å),
4H ((a=3,076 Å c=10,053 Å)
Sequência de empilhamento
6H: ABCACB,
4H: ABCB
Grau
Grau de produção, grau de investigação, grau de simulação
Tipo de condutividade
 Tipo N ou semi-isolante
Fenda de banda
3.23 eV
Dureza
9.2 (Mohs)
Conductividade térmica @300K
3.2~4.9 W/cm.K
Constantes dielétricas
e(11)=e(22)=9.66 e(33)=10.33
Resistividade
 4H-SiC-N: 0,015 a 0,028 Ω·cm,
6H-SiC-N: 0,02 a 0,1 Ω·cm,
4H/6H-SiC-SI: > 1E7 Ω·cm
Embalagem
Saco limpo de classe 100, sala limpa de classe 1000

 

Especificação padrão
Nome do produto Orientação Tamanho normal Espessura Poluição  
Substrato de 6H-SiC
Substrato de 4H-SiC		 <0001>
<0001> 4° de desvio para <11-20>
< 11-20>
< 10 a 10>
Outros aparelhos de televisão		 10x10 mm
10x5 mm
5x5 mm
20x20 mm
φ2" x 0,35 mm
φ3" x 0,35 mm
φ4" x 0,35 mm
φ4" x 0,5 mm
φ6" x 0,35 mm
Ou outros.		 0.1 mm
0.2 mm
0.5 mm
1.0 mm
2.0 mm
Ou outros.		 Boa terra
Polida de lado único
Polido de duas faces

Resistência à corrosão:		 Inquérito OLinha

 

Aplicações essenciais:

Os substratos/wafers de carburo de silício (SiC) semi-isolantes encontram diversas aplicações em vários dispositivos eletrônicos de alto desempenho.

  1. Eletrónica de Potência:Os substratos de SiC semi-isolantes são amplamente utilizados no fabrico de dispositivos de potência, como os transistores de efeito de campo de óxido metálico-semicondutores (MOSFETs),Transistores de efeito de campo de junção (JFET), e Bipolar Junction Transistors (BJTs). O amplo intervalo de banda do SiC permite que esses dispositivos operem a temperaturas e tensões mais elevadas,Resultando em melhoria da eficiência e redução das perdas nos sistemas de conversão de energia para aplicações como veículos elétricos, energias renováveis e fontes de alimentação industrial.

  2. Dispositivos de radiofrequência (RF):As placas de SiC são utilizadas em dispositivos de RF como amplificadores de potência de microondas e switches de RF. A alta mobilidade eletrônica e velocidade de saturação do SiC permitem o desenvolvimento de dispositivos de alta frequência,Dispositivos RF de alta potência para aplicações como comunicação sem fios, sistemas de radar e comunicações por satélite.

  3. Optoeletrónica:Os substratos de SiC semi-isolantes são utilizados na fabricação de fotodetectores ultravioleta (UV) e diodos emissores de luz (LED).A sensibilidade do SiC à luz UV torna-o adequado para aplicações de detecção UV em áreas como detecção de chama, esterilização UV e monitorização ambiental.

  4. Eletrónica de alta temperatura:Os dispositivos de SiC operam de forma confiável a temperaturas elevadas, tornando-os adequados para aplicações de alta temperatura, como aeroespacial, automotivo e perfuração de poços.Os substratos de SiC são utilizados para fabricar sensores, actuadores e sistemas de controlo que possam suportar condições de funcionamento adversas.

  5. Fotônica:Os substratos de SiC são utilizados no desenvolvimento de dispositivos fotônicos, como switches ópticos, moduladores e guias de onda.O amplo espaço de banda do SiC e a sua elevada condutividade térmica permitem a fabricação de, dispositivos fotónicos de alta velocidade para aplicações em telecomunicações, sensores e computação óptica.

  6. Aplicações de alta frequência e alta potência:Os substratos de SiC são utilizados na produção de dispositivos de alta frequência e alta potência, como diodos Schottky, tiristores e transistores de alta mobilidade eletrônica (HEMT).Estes dispositivos encontram aplicações em sistemas de radar, infra-estruturas de comunicação sem fios e aceleradores de partículas.

Em resumo, os substratos/wafers de SiC semi-isolantes desempenham um papel crucial em várias aplicações eletrónicas, oferecendo um desempenho superior, fiabilidade,e eficiência em comparação com os materiais semicondutores tradicionaisA sua versatilidade faz com que sejam a escolha preferida para sistemas electrónicos de próxima geração em vários sectores.

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