Caixas de carburo de silício placas de bandejas de silicone para gravação de ICP MOCVD Susceptor resistente ao desgaste

Descrição

As bandejas de grafite revestidas com SIC são fabricadas a partir de matrizes de grafite de alta pureza, recebendo um revestimento de SiC via CVD (deposição química de vapor) com uma pureza excepcionalmente elevada e densidade teórica.Este revestimento CVD SiC é excepcionalmente duro, permitindo-lhe ser polido até um acabamento semelhante a um espelho, apresentando uma pureza ultra-alta e uma resistência ao desgaste notável.tornando-os ideais para a indústria de semicondutores e outros ambientes ultra-limposUtilizados principalmente como substratos para a formação de camadas epitaxial em wafers de semicondutores, oferecem várias vantagens, tais como superfícies de ultra-alta pureza e resistência superior ao desgaste.Com CVD garantindo revestimentos de SiC com poros mínimos e natureza poliável do carburo de silício, estes produtos encontram ampla aplicação nas indústrias de semicondutores, incluindo bandejas MOCVD, RTP e câmaras de gravação de óxido,devido à excelente resistência ao choque térmico e à resistência ao plasma do nitreto de silício.

Vitrine de produtos

Propriedades do produto

1. Ultra-alta pureza
2. Excelente resistência a choques térmicos
3. Excelente resistência ao impacto físico
4. Máquinabilidade para formas complexas
5. Excelente estabilidade química
6. Pode ser utilizado em atmosferas oxidantes.

Aplicação do produto

Gravação ICP:As bandejas de carburo de silício são componentes cruciais em sistemas de gravação ICP (Plasma acoplado por indução), onde servem como plataformas robustas para segurar e processar wafers de semicondutores.A natureza resistente ao desgaste das bandejas garante uma fiabilidade e consistência prolongadas durante o processo de gravação, contribuindo para a transferência precisa de padrões e a modificação da superfície das wafers.

Suspeito de MOCVD:Nos sistemas MOCVD, as bandejas de carburo de silício atuam como suscetores, fornecendo suporte estável para a deposição de filmes finos em substratos de semicondutores.A capacidade das bandejas de manter uma alta pureza e resistir a temperaturas elevadas as torna ideais para facilitar o crescimento de camadas epitaxiais com qualidade superior e uniformidade.

Resistente ao desgaste:Equipadas com revestimento de SiC, estas bandejas apresentam uma resistência excepcional ao desgaste, garantindo uma vida útil prolongada mesmo em condições de funcionamento exigentes.A sua resistência à abrasão e à degradação química aumenta a produtividade e minimiza o tempo de inatividade, tornando-os indispensáveis em ambientes de fabricação de semicondutores de elevado rendimento.

A bandeja de grafite revestida com SIC é usada como base para fixação e aquecimento de wafers de semicondutores durante o tratamento térmico. A energia pode ser absorvida e aquecida pelo chip por indução, condução ou radiação,e sua resistência ao choque térmicoNo processo de epitaxia de silício, a bolacha é transportada em uma base,e o desempenho e a qualidade da base têm um efeito crucial na qualidade da camada epitaxial da bolacha.

Perguntas e respostas

O que é um susceptor de grafite?

Susceptores e muffles de materiais de grafiteProteger a sinterizadora de influências externas, tais como a radiação térmica direta dos elementos de aquecimentoOs sistemas de aquecimento automático e os sistemas de aquecimento automático são concebidos de modo a evitar o sobreaquecimento local (chamados pontos quentes).

O que é revestimento de SiC?

O que é um revestimento de carburo de silício?um revestimento denso e resistente ao desgaste de carburo de silício (SiC),O grafite é um material que possui propriedades de alta resistência à corrosão e ao calor, bem como excelente condutividade térmica.Aplicações.

O que é grafite de carburo de silício?

SiC30 - Material composto de carburo de silício e grafite

O SiC30 éum material composto excepcional composto por carburo de silício e grafite, cuja combinação de propriedades resolve problemas que não podem ser resolvidos com outros materiais.Produto

Recomendação do produto

1SIC Silicon Carbide Wafer 4H - N Tipo Para Dispositivo MOS 2 polegadas Dia50.6mm ((para mais por favor clique na imagem)

Aviso

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Palavras chave:

1. Caixas de carburo de silício
2. Revestimento de SiC
3. CVD (deposição química de vapor)
4. Alta pureza
5. Resistente ao desgaste
6. Indústria de semicondutores
7. Camada epitaxial
8. MOCVD
9. Resistência ao choque térmico
10. Opções personalizáveis