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4 Sapphire Based GaN Templates Semiconductor Substrate
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Especificações
Number modelo :
GaN-safira 4inch
Lugar de origem :
China
MOQ :
5pcs
Termos do pagamento :
T/T, Western Union, Paypal
Capacidade da fonte :
50PCS/Month
Prazo de entrega :
em 30days
Detalhes de empacotamento :
único recipiente da bolacha no quarto desinfetado
carcaça :
bolacha da safira
camada :
Molde de GaN
espessura da camada :
1-5um
tipo da condutibilidade :
N/P
Orientação :
0001
aplicação :
poder superior/dispositivos eletrónicos de alta frequência
aplicação 2 :
dispositivos de 5G saw/BAW
espessura do silicone :
525um/625um/725um
Descrição

2inch 4inch 4" safira baseou o filme de GaN dos moldes de GaN na carcaça da safira

 

Propriedades de GaN

 

Propriedades químicas de GaN

1) Na temperatura ambiente, GaN é insolúvel na água, no ácido e no alcaloide.

2)Dissolvido em uma solução alcalina quente em uma taxa muito lenta.

3) O NaOH, H2SO4 e H3PO4 podem rapidamente corroer o de má qualidade de GaN, podem ser usados para estes detecção de má qualidade do defeito de cristal de GaN.

4) GaN no HCL ou no hidrogênio, na alta temperatura apresenta características instáveis.

5) GaN é o mais estável sob o nitrogênio.

Propriedades elétricas de GaN

1) As propriedades elétricas de GaN são a maioria de fatoras importantes que afetam o dispositivo.

2) O GaN sem a lubrificação era n em todos os casos, e a concentração do elétron da melhor amostra era sobre 4* (10^16) /c㎡.

3) Geralmente, as amostras preparadas de P são compensadas altamente.

Propriedades óticas de GaN

1) O material largo do semicondutor composto de diferença de faixa com largura de banda alta (2.3~6.2eV), pode cobrir o verde amarelo vermelho, azul, violeta e o espectro ultravioleta, é até agora que todos os outros materiais do semicondutor são incapazes de conseguir.

2) Usado principalmente no dispositivo luminescente azul e violeta.

Propriedades de GaN Material

1) A propriedade de alta frequência, chega em 300G hertz. (O si é 10G & o GaAs é 80G)

2) Propriedade de alta temperatura, trabalho em 300℃, muito apropriado normais para ambiente aeroespacial, militar e outro de alta temperatura.

3) A tração do elétron tem a velocidade alta da saturação, a baixa constante dielétrica e a boa condutibilidade térmica.

4) A resistência do ácido e do alcaloide, resistência de corrosão, pode ser usada no ambiente áspero.

5) Características de alta tensão, resistência de impacto, confiança alta.

6) O grande poder, o equipamento de comunicação está muito ansioso.

 
Aplicação de GaN

Uso principal de GaN:

1) diodos luminescentes, diodo emissor de luz

2) transistor de efeito de campo, FET

3) diodos láser, LD

 
             Especificação
 
 
Especificação4aracteristic de C

 

A outra especificação do relaterd 4INCH GaN Template

 

 

     
  Carcaças do ₃ do ₂ O do Al de GaN/(4") 4inch
Artigo Un-lubrificado N-tipo

Alto-lubrificado

N-tipo
Tamanho (milímetros) Φ100.0±0.5 (4")
Estrutura da carcaça GaN na safira (0001)
SurfaceFinished (Padrão: Opção de SSP: DSP)
Espessura (μm) 4.5±0.5; 20±2; Personalizado
Tipo da condução Un-lubrificado N-tipo N-tipo Alto-lubrificado
Resistividade (Ω·cm) (300K) ≤0.5 ≤0.05 ≤0.01
GaN Thickness Uniformity
 		 ≤±10% (4")
Densidade de deslocação (cm2)
 		 ≤5×108
Área de superfície útil >90%
Pacote Empacotado em um ambiente do quarto desinfetado da classe 100.
 

4

44

Estrutura de cristal

Wurtzite
Constante da estrutura (Å) a=3.112, c=4.982
Tipo da faixa de condução Bandgap direto
Densidade (g/cm3) 3,23
Microhardness de superfície (teste de Knoop) 800
Ponto de derretimento (℃) 2750 (barra 10-100 no N2)
Condutibilidade térmica (W/m·K) 320
Energia da diferença de faixa (eV) 6,28
Mobilidade de elétron (V·s/cm2) 1100
Campo elétrico da divisão (MV/cm) 11,7

4

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GaN-safira 4inch
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Capacidade da fonte :
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Prazo de entrega :
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Fornecedor de contacto
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SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD

Verified Supplier
7 Anos
shanghai, shanghai
Desde 2013
Tipo de empresa :
Manufacturer, Agent, Importer, Exporter, Trading Company
Produtos principais :
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Total Anual :
1000000-1500000
Nível de certificação :
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