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2 polegadas, 4 polegadas, 6 polegadas, 8 polegadas, 12 polegadas Wafer de Si Wafer de silício Polido sem-topa P tipo N tipo Semicondutor
2 polegadas, 4 polegadas, 6 polegadas, 8 polegadas, 12 polegadas Wafer de Si Wafer de silício Polido sem-topa P tipo N tipo Semicondutor
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2 polegadas, 4 polegadas, 6 polegadas, 8 polegadas, 12 polegadas Wafer de Si Wafer de silício Polido sem-topa P tipo N tipo Semicondutor
Especificações
Número do modelo :
BOLACHA DO SI
orientação :
< 100> ou < 111>
Resistividade :
1-10 ohm-cm (ou conforme especificado)
TTV :
≤ 2 μm
Incline-se. :
≤ 40 μm
Warp. :
≤ 40 μm
Contagem de partículas :
≤ 50 @ ≥ 0,12μm
LTV :
≤ 1 μm (em área de 20 mm x 20 mm)
Flatness (GBIR) :
≤ 0,5 μm (intervalo ideal global para a parte traseira)
Descrição

 
2 polegadas, 4 polegadas, 6 polegadas, 8 polegadas, 12 polegadas Wafer de Si Wafer de silício Polido sem-topa P tipo N tipo Semicondutor

Descrição da Wafer de Si:

A wafer de silício é um material usado para produzir semicondutores, que podem ser encontrados em todos os tipos de dispositivos eletrônicos que melhoram a vida das pessoas.O silício é o segundo elemento mais comum no universo.A maioria das pessoas já teve a oportunidade de encontrar uma wafer de silício real na sua vida.Este disco super-plano é refinado para uma superfície semelhante a um espelhoAlém disso, é também feito de irregulares superficiais sutis que o tornam o objeto mais plano do mundo.qualidades essenciais para torná-lo o material de substrato perfeito para semicondutores modernos.
 
O Caráter da Wafer de Si:
Young's Modulus: Aproximadamente 130-185 GPa, indicando a rigidez da wafer de silício de 300 mm
Durabilidade à fractura: O silício tem uma baixa dureza à fractura, o que significa que é propenso a rachaduras sob estresse.
Conductividade térmica: Cerca de 149 W/m·K a 300 K, o que é relativamente elevado e benéfico para dissipar o calor gerado em dispositivos eletrônicos.
Coeficiente de expansão térmica: Aproximadamente 2,6 x 10^-6 /K, indicando o quanto a bolacha se expandirá com as mudanças de temperatura.
Band Gap: O silício tem um intervalo de banda indireto de cerca de 1,1 eV à temperatura ambiente, o que é adequado para criar dispositivos eletrônicos como transistores.
Resistividade: varia de acordo com o doping; o silício intrínseco tem uma alta resistividade (~10^3 Ω·cm), enquanto o silício dopado pode ter resistividades que variam de 10^-3 a 10^3 Ω·cm.
Constante dielétrica: Cerca de 11,7 a 1 MHz, o que afeta a capacitância dos dispositivos feitos de silício.
Estabilidade química: O silício é quimicamente estável e resistente à maioria dos ácidos e álcalis à temperatura ambiente, exceto para o ácido fluorídrico (HF).
Oxidação: O silício forma uma camada de óxido nativa (SiO2) quando exposto ao oxigênio a temperaturas elevadas, que é utilizada na fabricação de dispositivos semicondutores para camadas isolantes e protetoras.
 
Forma de SiWafer:
 

Parâmetro/FiguraDescrição/Especificação
Tipo de materialSilício monocristalino
Purificação990,9999% (6N) ou superior
Diâmetro2 polegadas, 3 polegadas, 4 polegadas, 6 polegadas, 8 polegadas, 12 polegadas, etc.
EspessuraEspessura padrão ou personalizada de acordo com as exigências do cliente
Orientação Cristalina<100>, <111>, <110>, etc.
Orientação Tolerância± 0,5° ou mais
Tolerância de espessura± 5 μm ou mais de precisão
Planosidade≤ 1 μm ou superior
Superfície rugosa< 0,5 nm RMS ou inferior

 
Fotos físicas de Si Wafer:
 
2 polegadas, 4 polegadas, 6 polegadas, 8 polegadas, 12 polegadas Wafer de Si Wafer de silício Polido sem-topa P tipo N tipo Semicondutor2 polegadas, 4 polegadas, 6 polegadas, 8 polegadas, 12 polegadas Wafer de Si Wafer de silício Polido sem-topa P tipo N tipo Semicondutor

 

 Aplicação de Wafer de Si:

1Produção de microchips e fabricação de circuitos integrados
2MEMS e sistemas microelectromecânicos
3Fabricação de semicondutores e sensores
4Iluminação LED e criação de diodos laser
5Células e wafers solares/fotovoltaicas
6. Componentes de equipamento óptico
7. Prototipos e ensaios de I&D
 

Aplicação Imagens de Wafer de Si:

2 polegadas, 4 polegadas, 6 polegadas, 8 polegadas, 12 polegadas Wafer de Si Wafer de silício Polido sem-topa P tipo N tipo Semicondutor

 
 
Imagem de embalagem de SiWafer:
2 polegadas, 4 polegadas, 6 polegadas, 8 polegadas, 12 polegadas Wafer de Si Wafer de silício Polido sem-topa P tipo N tipo Semicondutor2 polegadas, 4 polegadas, 6 polegadas, 8 polegadas, 12 polegadas Wafer de Si Wafer de silício Polido sem-topa P tipo N tipo Semicondutor

 

Personalização:

Podemos personalizar o tamanho, espessura e forma, incluindo os seguintes aspectos:
Orientação de cristal: As orientações comuns para a wafer de silício de 300 mm incluem <100>, <110> e <111>, cada uma oferecendo diferentes propriedades eletrônicas e vantagens para várias aplicações.
Dopantes: a bolacha de silício de 300 mm pode ser dopada com elementos como fósforo (tipo n), boro (tipo p), arsênico e antimônio para alterar suas propriedades elétricas.
Concentração de doping: pode variar muito em função da aplicação,De concentrações muito baixas (~10^13 átomos/cm^3) para as wafers de alta resistividade a concentrações muito altas (~10^20 átomos/cm^3) para as wafers de baixa resistividade.
 

Perguntas frequentes:

1.P: Para que se utiliza uma bolacha de silício?
R: Na electrónica, uma bolacha (também chamada de fatia ou substrato) é uma fatia fina de semicondutor, como um silício cristalino (c-Si, silício), utilizado para a fabricação de circuitos integrados e,em energia fotovoltaica, para fabricar células solares.
2.P: Qual é a diferença entre uma bolacha de silício e um chip?
R: Embora chips e wafers sejam tipicamente usados de forma intercambiável na eletrônica, existem algumas diferenças notáveis entre os dois.Uma das principais diferenças é que um chip ou circuito integrado é um conjunto de componentes electrónicos, enquanto uma bolacha é uma fatia fina de silício que é usada para a formação de circuitos integrados.
 

Recomendação de produto:

1.6 polegadas N Tipo de Wafer de Silício Polido Alta Pureza PVD / CVD Revestimento
 
2 polegadas, 4 polegadas, 6 polegadas, 8 polegadas, 12 polegadas Wafer de Si Wafer de silício Polido sem-topa P tipo N tipo Semicondutor
2Substrato 110 111 110 de 8 polegadas GaN-on-Si Epitaxy Si para reatores MOCVD ou aplicações de energia RF
 
2 polegadas, 4 polegadas, 6 polegadas, 8 polegadas, 12 polegadas Wafer de Si Wafer de silício Polido sem-topa P tipo N tipo Semicondutor

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Detalhes do produto
Número do modelo :
BOLACHA DO SI
orientação :
< 100> ou < 111>
Resistividade :
1-10 ohm-cm (ou conforme especificado)
TTV :
≤ 2 μm
Incline-se. :
≤ 40 μm
Warp. :
≤ 40 μm
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2 polegadas, 4 polegadas, 6 polegadas, 8 polegadas, 12 polegadas Wafer de Si Wafer de silício Polido sem-topa P tipo N tipo Semicondutor
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SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD

Verified Supplier
7 Anos
shanghai, shanghai
Desde 2013
Tipo de empresa :
Manufacturer, Agent, Importer, Exporter, Trading Company
Produtos principais :
carcaça da safira, Gem Stone sintético, Safira Windows ótico
Total Anual :
1000000-1500000
Nível de certificação :
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