2 polegadas 4 polegadas 6 polegadas 8 polegadas 3C-N Wafer SiC Silicon Carbide Optoelectronic High-Power RF LEDs

Descrição da Wafer 3C-N SiC:

Em comparação com o 4H-Sic, embora o bandgap do carburo de silício 3C

(3C SiC)A sua condutividade térmica e as suas propriedades mecânicas são melhores do que as do 4H-SiC.a densidade de defeito na interface entre o óxido isolante qate e o 3C-sic é menor. que é mais propício para a fabricação de dispositivos de alta tensão, altamente fiáveis e de longa vida.Os dispositivos baseados em 3C-SiC são principalmente preparados em substratos de Si com grande desajuste da rede e desajuste do coeficiente de expansão térmica entre Si e 3C SiC, resultando em uma alta densidade de defeitoAlém disso, as placas 3C-SiC de baixo custo terão um impacto significativo de substituição no mercado dos dispositivos de potência na gama de tensões 600-1200v,acelerar o progresso de toda a indústriaPor conseguinte, é inevitável o desenvolvimento de wafers 3C-SiC a granel.

Características da Wafer 3C-N SiC:

1Estrutura cristalina: O 3C-SiC tem uma estrutura cristalina cúbica, ao contrário dos politipos hexagonais 4H-SiC e 6H-SiC mais comuns.
2Bandgap: O bandgap do 3C-SiC é de cerca de 2,2 eV, tornando-o adequado para aplicações em optoeletrônica e eletrônica de alta temperatura.
3Conductividade térmica: O 3C-SiC tem uma elevada condutividade térmica, o que é importante para aplicações que exigem uma dissipação de calor eficiente.
4Compatibilidade: é compatível com as tecnologias de processamento de silício padrão, permitindo a sua integração com dispositivos existentes à base de silício.

Forma de Wafer 3C-N SiC:

Aplicações da Wafer SiC 3C-N:

1Eletrónica de Potência:As wafers 3C-SiC são usadas em dispositivos eletrônicos de alta potência, como MOSFETs (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors) e diodos Schottky devido à sua alta tensão de quebra, alta condutividade térmica e baixa resistência.
2. Dispositivos de RF e microondas: The high electron mobility and superior thermal conductivity of 3C-SiC make it suitable for applications in radio frequency (RF) and microwave devices like high-power amplifiers and high-frequency transistors.
3Optoeletrónica: as wafers 3C-SiC são utilizadas no desenvolvimento de dispositivos optoelectrónicos, tais como diodos emissores de luz (LED), fotodetectores,e diodos laser devido ao seu amplo intervalo de banda e excelentes propriedades térmicas.
4Dispositivos MEMS e NEMS: os sistemas micro-eletromecânicos (MEMS) e os sistemas nano-eletromecânicos (NEMS) beneficiam de wafers 3C-SiC pela sua estabilidade mecânica,Capacidade de operação a altas temperaturas, e inércia química.
5Sensores: as wafers 3C-SiC são utilizadas na produção de sensores para ambientes adversos, tais como sensores de alta temperatura, sensores de pressão, sensores de gases e sensores químicos,devido à sua robustez e estabilidade.
6Sistemas de rede elétrica: nos sistemas de distribuição e transmissão de energia, as placas 3C-SiC são empregadas em dispositivos e componentes de alta tensão para uma conversão eficiente de energia e redução das perdas de energia.
7Aeroespacial e Defesa: A tolerância à alta temperatura e a dureza da radiação do 3C-SiC tornam-no adequado para aplicações aeroespaciais e de defesa, incluindo componentes de aeronaves, sistemas de radar,e dispositivos de comunicação.
8Armazenamento de energia: as wafers 3C-SiC são usadas em aplicações de armazenamento de energia como baterias e supercondensadores devido à sua alta condutividade térmica e estabilidade em condições operacionais adversas.
Indústria de semicondutores: as wafers 3C-SiC também são usadas na indústria de semicondutores para o desenvolvimento de circuitos integrados avançados e componentes eletrônicos de alto desempenho.

Imagem de aplicação da Wafer 3C-N SiC:

Embalagem e transporte:

Perguntas frequentes:

1.P: Qual é a diferença entre 4H e 3Ccarburo de silício?

R:Em comparação com o 4H-SiC, embora a distância entre as bandas do carburo de silício 3C (3C SiC) seja menor, sua mobilidade de transportador, condutividade térmica e propriedades mecânicas são melhores do que as do 4H-SiC

2.P: Qual é a afinidade eletrônica do 3C SiC?
R:As afinidades de elétrons do SIC 3C, 6H e 4H (0001) são de 3,8 eV, 3,3 eV e 3,1 eV, respectivamente.

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