Especificações
Tempo de entrega :
2-4 semanas
Condições de pagamento :
T/T
Materiais :
Carbono de silício
Revestimento de superfície :
Único/lateral dobro lustrado
orientação :
Em-linha central/linha central
A rugosidade da superfície :
≤1.2nm
Diâmetro :
50.8mm±0.38mm
EPD :
≤ 1E10/cm2
Resistividade :
Alto - baixa resistividade
Espessura :
330um±25um
Descrição

Wafer de carburo de silício de 6H lado duplo polido de 2 polegadas de diâmetro TTV Bow Warp <0001>

Descrição do produto:

Existem muitos polimorfos diferentes de carburo de silício e o carburo de silício 6H é um entre quase 200 polimorfos.O carburo de silício 6H é, de longe, a modificação mais comum de carburo de silício para fins comerciaisOs wafers de carburo de silício 6H são de suma importância e podem ser utilizados como semicondutores.É amplamente utilizado em abrasivos e ferramentas de corte, tais como discos de corte por causa de sua durabilidade e baixos custos de materialÉ usado em armaduras de corpo compostas modernas e coletes à prova de balas. Também é usado na indústria automotiva, onde é usado para fabricar discos de freio.é utilizado para manter metais fundidos em cristaisA sua utilização em aplicações eléctricas e electrónicas é tão conhecida que não requer qualquer debate.JóiasEstamos a oferecer wafers de carburo de silício 6H com qualidade distinta e 99,99%.

 

Nome do produto Substrato de carburo de silício, wafer de carburo de silício, wafer de SiC, substrato de SiC
Estrutura cristalina 6H
Parâmetros da malha 6H ((a=3,073 Å c=15,117 Å),
Sequência de empilhamento 6H: ABCACB,
Grau Grau de produção, grau de investigação, grau de simulação
Tipo de condutividade Tipo N ou semi-isolante
Fenda de banda 3.23 eV
Dureza 9.2 (Mohs)
Conductividade térmica @300K 3.2~4.9 W/cm.K
Constantes dielétricas e(11)=e(22)=9.66 e(33)=10.33
Resistividade 6H-SiC-N: 0,02~0,1 Ω·cm,6H-SiC-SI: >1E7 Ω·cm

 

 

6H SiC Silicon Carbide Wafer Duplo Lado Polido 2 polegadas <0001> Tipo N Tipo Semi

 

Caráter:

1A bolacha de carburo de silício (SiC) tem grandes propriedades elétricas e excelentes propriedades térmicas.
2A wafer de carburo de silício (SiC) tem propriedades de dureza superiores.

3A bolacha de carburo de silício (SiC) tem alta resistência à corrosão, erosão e oxidação.

Aplicações:

O SiC é usado para a fabricação de dispositivos de alta voltagem e alta potência, como diodos, transistores de potência e dispositivos de microondas de alta potência.Dispositivos de energia baseados em SiC têm velocidade de comutação mais rápida voltagens mais altas, menor resistência parasitária, menor tamanho, menos arrefecimento necessário devido à capacidade de alta temperatura.

Enquanto a bolacha de carburo de silício (SiC-6H) - 6H tem propriedades eletrônicas superiores, a bolacha de carburo de silício (SiC-6H) ¢ 6H é mais facilmente preparada e melhor estudada.

  • Eletrônicos de potência: as bolhas de carburo de silício são usadas na produção de eletrônicos de potência, que são utilizados em uma ampla gama de aplicações, incluindo veículos elétricos, sistemas de energia renovável,e equipamentos industriaisA elevada condutividade térmica e a baixa perda de potência do carburo de silício tornam-no um material ideal para estas aplicações.
  • Iluminação LED: as bolhas de carburo de silício são usadas na produção de iluminação LED.A alta resistência do carburo de silício permite produzir LEDs que são mais duráveis e duradouros do que fontes de iluminação tradicionais.
  • Dispositivos semicondutores: as bolhas de carburo de silício são utilizadas na produção de dispositivos semicondutores, que são utilizados numa ampla gama de aplicações, incluindo telecomunicações, computação,e electrónica de consumoA elevada condutividade térmica e a baixa perda de potência do carburo de silício tornam-no um material ideal para estas aplicações.
  • Células solares: as bolhas de carburo de silício são usadas na produção de células solares.A alta resistência do carburo de silício permite produzir células solares mais duráveis e duradouras do que as células solares tradicionais.

Em geral, a Wafer de Carbono de Silício ZMSH é um produto versátil e de alta qualidade que pode ser usado em uma ampla gama de aplicações.e alta resistência tornam-no um material ideal para dispositivos eletrônicos de alta temperatura e alta potência. Com um arco/vermelho de ≤ 50 mm, uma rugosidade de superfície de ≤ 1,2 nm e uma resistência de alta/baixa resistência,a Wafer de Carbono de Silício é uma escolha confiável e eficiente para qualquer aplicação que exija uma superfície plana e lisa.

 


 

Perguntas frequentes:

 

P: Qual é o número de modelo deste produto?

R: O número de modelo deste produto é Silicon Carbide.

P: De onde vem este produto?

R: Este produto é da China.

P: Qual é a diferença entre silício e SiC?

R: O silício tem uma tensão de ruptura de cerca de 600 V, mas os dispositivos baseados em SiC podem suportar tensões até dez vezes maiores.Os materiais de banda mais larga também podem suportar temperaturas muito mais altas.

P: O SiC é um semicondutor?

R: O carburo de silício é um semicondutor perfeitamente adaptado para aplicações energéticas, graças sobretudo à sua capacidade de resistir a altas tensões, até dez vezes superiores às utilizáveis com silício.

Personalização:

A ZMSH fornece serviços de personalização de produtos para a nossa Wafer de Carbono de Silício.Os clientes podem escolher entre a nossa selecção de tamanhos de wafer e especificações para atender às suas necessidades específicas.

A nossa Wafer de Carbono de Silício vem em diferentes modelos e tamanhos, com o número de modelo de Carbono de Silício.

Oferecemos uma gama de acabamentos de superfície, incluindo Single/Double Side Polished, com uma rugosidade de superfície de ≤1,2 nm e planosidade de Lambda/10.que podem ser personalizados de acordo com as suas necessidadesA nossa EPD é ≤ 1E10/cm2, garantindo que as nossas placas cumpram os mais elevados padrões da indústria.

 

 

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6H SiC Silicon Carbide Wafer Duplo Lado Polido 2 polegadas <0001> Tipo N Tipo Semi

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Condições de pagamento :
T/T
Materiais :
Carbono de silício
Revestimento de superfície :
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orientação :
Em-linha central/linha central
A rugosidade da superfície :
≤1.2nm
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6H SiC Silicon Carbide Wafer Duplo Lado Polido 2 polegadas  Tipo N Tipo Semi
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