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transistor de efeito de campo

12,093

Encontre o que procura fora de 12,093 de alta qualidade transistor de efeito de campo de fornecedores da China

KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Semicondutores discretos IRFS3207ZTRRPBF do Mosfet do transistor de efeito de campo do canal de N

Capacidade da fonte：Quantidade disponível 41128 peças

MOQ：Negociável

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Shenzhen Retechip Electronics Co., Ltd

Transistor de efeito de campo de TK13A60D TOSHIBA

Capacidade da fonte：60000pcs pela boca

MOQ：100pcs

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Peças brandnew da máquina do cigarro do transistor do transistor de efeito de campo de Irfz44ns MK8D

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HK UPPERBOND INDUSTRIAL LIMITED

Peças brandnew da máquina do cigarro do transistor do transistor de efeito de campo de Irfz44ns MK8D

Capacidade da fonte：10000 PCes/mês

MOQ：2 PCes

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Shenzhen Res Electronics Limited

SMD MOS Field Effect Transistor SOT-23 LP3407LT1G RoHS

Capacidade da fonte：10000 PCes pelo mês

MOQ：discutível

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JULUN (H.K)CO.,LTD (DONGGUAN JULUN ELECTRONICS CO.,LTD)

transistor de efeito de campo do transistor de poder IPA80R1K4CE do CE de 800V CoolMOSTM

Número de modelo：PG-TO 220

MOQ：100 / Negociável

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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.

Circuitos integrados IC CJL2019 SOT-23 N-canal 5A20V Transistor de Efeito de Campo CJ/Changjing Original

Local de origem：Originais e novos

Número do modelo：C.J.L.2019 SOT-23

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Reasunos Semiconductor Technology Co., Ltd.

N Tipo 1200V Sic Power Mosfet, Transistor de Efeito de Campo de Silício de Óxido Metálico

Local de origem：Guangdong, NC

Quantidade mínima de encomenda：600

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TO-220F Transistores de efeito de campo de óxido metálico semicondutores 15A 600V 274mΩ

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Guangdong Lingxun Microelectronics Co., Ltd

TO-220F Transistores de efeito de campo de óxido metálico semicondutores 15A 600V 274mΩ

Número do modelo：LC60R280F

Local de origem：China

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STJK(HK) ELECTRONICS CO.,LIMITED

FDB2614 TO-263 microplaqueta nova e original de MOS Field Effect Transistor Brand do circuito integrado

Capacidade da fonte：30000 acres/acres por Day+pcs+2-3days

MOQ：>=1pcs

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Yougou Electronics (Shenzhen) Co., Ltd.

Efeito de campo do canal do MOSFET N do módulo do transistor de STGH20N50FI IGBT

Number modelo：STGH20N50FI

Número da peça：STGH20N50FI

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ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

o automóvel 238W lasca os transistor TO-247-3 da parada de campo da trincheira de AFGHL40T65SPD IGBT

Prazo de entrega：5-8 dias do trabalho

MOQ：10

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Shenzhen Sanhuang Electronics Co.,Ltd.

I/O programável 484FBGA Intel da disposição 200MHz 328 do transistor do campo de EP4CE40F23I7N

Capacidade da fonte：no estoque

MOQ：1

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Changzhou Junqi International Trade Co.,Ltd

Modo de aumento de canal N Potência MOSFET JY8N5M TO252 Tubos de efeito de campo de alta potência 500V 4A

Capacidade da fonte：10000pcs pelo mês

MOQ：50pcs (amostra disponível)

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Chongqing Beiyi Import And Export Trade Co., Ltd.

DAYANG Triode 150cc Triciclo para carga 10PCS MOS Tubos de Efeito de Campo Maior Tamanho de Caixa de Carga

Tipo de condução：Motorizado

Tipo de carroceria：Aberto

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Angel Technology Electronics Co

MOSFETS do transistor de poder de PD85035S-E PD85035STR-E PD85035-E RF

Capacidade da fonte：5000PCS

MOQ：10pieces

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Shenzhen Siyue Electronics Co., Ltd.

Parada de campo IGBT da trincheira de BIDW30N60T 600V 60A 230W através do furo TO-247

Capacidade da fonte：1000000 unidades

MOQ：50pcs

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ShenzhenYijiajie Electronic Co., Ltd.

Relação Ratiometric da placa do sensor de SS496B Hall Effect Sensor Magnetic Field

Capacidade da fonte：1000000pcs/month

MOQ：1

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Dongguan Chenglue Electronic co.,Ltd

Sensor de corrente de efeito Hall de precisão 0,1% Não linearidade Núcleo dividido DIP-8 PCB Montagem 2500Vrms Isolamento

Não-linearidades：00,1% da escala completa

Voltagem de isolamento：2500Vrms

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Circuitos integrados IC CJL2019 SOT-23 N-canal 5A20V Transistor de Efeito de Campo CJ/Changjing Original

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