TK13A60D (STA4, Q, M) transistor de efeito de campo 13A de TOSHIBA 600V MOS do N-canal de 0,33 ohms
Canal MOS Type do silicone N do transistor de efeito de campo de TOSHIBA
Aplicações
Reguladores de tensão de comutação
Descrição
Os MOSFETs VII do π-MOS de Toshiba são movimentação da porta 10V, únicos dispositivos do N-canal, combinando a tecnologia π-MOS com
um processo planar para fornecer uma vasta seleção da tensão e do RDS (SOBRE)avaliações. Estes MOSFETs de alta tensão são
oferecido com uma escala da tensão da dreno-fonte de 250V até 650V, e com uma escala atual do dreno de 2à 20A.
Os MOSFETs π-MOS VII são oferecidos em TO-220-3 e em TO-252 através dos pacotes do furo, e em DPAK-3 compacto e
Pacotes da montagem da superfície PW-Mold-3.
Características
Especificações
| Atributo de produto | Valor de atributo |
|---|---|
| Toshiba | |
| Categoria de produto: | MOSFET |
| Si | |
| Através do furo | |
| TO-220-3 | |
| N-canal | |
| 1 canal | |
| 600 V | |
| 13 A | |
| 430 mOhms | |
| - 30 V, + 30 V | |
| 2 V | |
| 40 nC | |
| - 55 C | |
| + 150 C | |
| 50 W | |
| Realce | |
| TK13A60D | |
| Carretel | |
| Corte a fita | |
| MouseReel | |
| Tipo: | Toshiba |
| Configuração: | Único |
| Tempo de queda: | 25 ns |
| Altura: | 15 milímetros |
| Comprimento: | 10 milímetros |
| Tempo de elevação: | 50 ns |
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